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1. 发明专利

TW200625665A 太陽電池之層狀結構的製造方法、太陽電池電極及太陽電池失效
简体标题：太阳电池之层状结构的制造方法、太阳电池电极及太阳电池
公开(公告)号：TW200625665A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094100969
申请日：2005-01-13
申请人：李崇華
发明人：李崇華 , 陳建清
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0284 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/96 , Y10S977/78 , Y10S977/784 , Y10S977/893
摘要：本發明係關於一種太陽電池之層狀結構的製造方法、太陽電池電極及太陽電池，尤指一種可形成一具有複數個次微米級空洞之層狀結構且可提升太陽電池之光電轉換效率的製造方法。本方法包括(A)提供一具有複數層奈米球層於表面之基板，(B)形成至少一矽層於奈米球層之間隙與此基板之部分表面，及(C)移除此等奈米球層，形成一具有複數個微孔洞之層狀結構。本太陽電池包括一基板、一位於此基板之表面並具有複數個微孔洞之層狀結構、一位於此層狀結構之表面透明保護層、至少一電連接於此層狀結構之前接點及至少一電連接於此基板之背接點。
简体摘要：本发明系关于一种太阳电池之层状结构的制造方法、太阳电池电极及太阳电池，尤指一种可形成一具有复数个次微米级空洞之层状结构且可提升太阳电池之光电转换效率的制造方法。本方法包括(A)提供一具有复数层奈米球层于表面之基板，(B)形成至少一硅层于奈米球层之间隙与此基板之部分表面，及(C)移除此等奈米球层，形成一具有复数个微孔洞之层状结构。本太阳电池包括一基板、一位于此基板之表面并具有复数个微孔洞之层状结构、一位于此层状结构之表面透明保护层、至少一电连接于此层状结构之前接点及至少一电连接于此基板之背接点。

2. 发明专利

TWI590477B 太陽能電池鏤空電路及太陽能電池顯示裝置有权
简体标题：太阳能电池镂空电路及太阳能电池显示设备
公开(公告)号：TWI590477B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105130188
申请日：2016-09-19
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊英哲 , YANG, YING JHE
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/042
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/047 , H01L27/142 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0284 , Y02E10/50

3. 发明专利

TW201630811A 中空矽本體的製造方法审中-公开
简体标题：中空硅本体的制造方法
公开(公告)号：TW201630811A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104139194
申请日：2015-11-25
申请人：贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人：朗裘根 , LANG, JUERGEN ERWIN , 羅里德哈特威格 , RAULEDER, HARTWIG , 柳畢納茱莉亞 , LYUBINA, JULIA , 皮瑞茲加內那 , PEREZ, JANAINA MARINAS
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/027 , C01B33/03
CPC分类号： H01L31/035281 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01P2004/04 , C01P2004/34 , C01P2004/64 , H01L31/0284 , H01M4/386
摘要：本發明係關於具有包含矽之殼的中空本體的製造方法，其係藉由在非熱電漿中(利用熱解作用)導入電磁能、或在光電弧中轉化至少一種矽烷，然後分散在潤濕劑中且蒸餾，然後在蝕刻操作中轉化。
简体摘要：本发明系关于具有包含硅之壳的中空本体的制造方法，其系借由在非热等离子中(利用热解作用)导入电磁能、或在光电弧中转化至少一种硅烷，然后分散在润湿剂中且蒸馏，然后在蚀刻操作中转化。

4. 发明专利

TW201814918A 太陽能電池鏤空電路及太陽能電池顯示裝置审中-公开
简体标题：太阳能电池镂空电路及太阳能电池显示设备
公开(公告)号：TW201814918A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW105130188
申请日：2016-09-19
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊英哲 , YANG, YING JHE
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/042
CPC分类号： H01L25/167 , H01L25/047 , H01L27/142 , H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0284 , Y02E10/50
摘要：本發明係提供一種太陽能電池鏤空電路，包含一基板、一第一導電層、一光電轉換層以及一第二導電層。第一導電層、光電轉換層及第二導電層分別依序層疊於基板上且形成一中空環繞區域，且中空環繞區域於基板上中心位置定義一開口。於一實施例中，一顯示面板被覆蓋於基板上中心位置之開口，以顯示文字或圖案於開口而形成太陽能電池顯示裝置。藉此，可於顯示訊息同時，透過太陽能電池鏤空電路提供所需電力，可延長使用時間，並且透過太陽能電池鏤空電路的正、負極接點配置方式，可獲得較大可視範圍。
简体摘要：本发明系提供一种太阳能电池镂空电路，包含一基板、一第一导电层、一光电转换层以及一第二导电层。第一导电层、光电转换层及第二导电层分别依序层叠于基板上且形成一中空环绕区域，且中空环绕区域于基板上中心位置定义一开口。于一实施例中，一显示皮肤被覆盖于基板上中心位置之开口，以显示文本或图案于开口而形成太阳能电池显示设备。借此，可于显示消息同时，透过太阳能电池镂空电路提供所需电力，可延长使用时间，并且透过太阳能电池镂空电路的正、负极接点配置方式，可获得较大可视范围。

5. 发明专利

TWI577038B 光熱感測器的製作方法及其產品有权
简体标题：光热传感器的制作方法及其产品
公开(公告)号：TWI577038B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104100385
申请日：2015-01-07
申请人：國立暨南國際大學 , NATIONAL CHI NAN UNIVERSITY
发明人：蕭桂森 , 蔡朝揚 , 鄭聖霖 , 張晉愷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , H01L31/0284 , H01L31/0547 , H01L31/108 , H01L31/1804 , H01L35/08 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521

6. 发明专利

TW201801338A 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法审中-公开
简体标题：一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
公开(公告)号：TW201801338A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105138611
申请日：2016-11-24
申请人：蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司
发明人：鄒帥 , 王栩生 , 邢國強
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/02363 , B08B3/08 , H01L31/0284 , H01L31/1804 , Y02E10/50
摘要：本發明公開了一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法，包括如下步驟：(1) 在矽片表面形成多孔質層結構；(2) 然後用鹼性化學液進行清洗；(3) 採用第一清洗液去除殘留金屬顆粒；(4) 然後用第一化學腐蝕液進行表面蝕刻，即可得到晶體矽太陽能電池絨面結構。本發明大幅度延長了氫氟酸和硝酸混合液的使用壽命，並確保了絨面結構的穩定性和均勻性。
简体摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1) 在硅片表面形成多孔质层结构；(2) 然后用碱性化学液进行清洗；(3) 采用第一清洗液去除残留金属颗粒；(4) 然后用第一化学腐蚀液进行表面蚀刻，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。本发明大幅度延长了氢氟酸和硝酸混合液的使用寿命，并确保了绒面结构的稳定性和均匀性。

7. 发明专利

TWI596061B 中空矽本體的製造方法有权
简体标题：中空硅本体的制造方法
公开(公告)号：TWI596061B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW104139194
申请日：2015-11-25
申请人：贏創德固賽有限責任公司 , EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人：朗裘根 , LANG, JUERGEN ERWIN , 羅里德哈特威格 , RAULEDER, HARTWIG , 柳畢納茱莉亞 , LYUBINA, JULIA , 皮瑞茲加內那 , PEREZ, JANAINA MARINAS
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/027 , C01B33/03
CPC分类号： H01L31/035281 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01B33/03 , C01P2004/04 , C01P2004/34 , C01P2004/64 , H01L31/0284 , H01M4/386

8. 发明专利

TW201245033A 用於電氣接觸奈米線陣列的方法 METHOD OF ELECTRICALLY CONTACTING NANOWIRE ARRAYS 审中-公开
简体标题：用于电气接触奈米线数组的方法 METHOD OF ELECTRICALLY CONTACTING NANOWIRE ARRAYS
公开(公告)号：TW201245033A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW101101980
申请日：2012-01-18
申请人：班德蓋普工程公司
发明人：朱拉麥克 , 莫達瓦法利斯 , 布拉克馬爾西 , 莫爾菲布萊恩 , 米勒傑夫
IPC分类号： B82B , H01L
CPC分类号： H01L31/035227 , H01L31/02167 , H01L31/028 , H01L31/0284 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y10S977/762
摘要：本發明之一態樣係與裝置有關，該裝置包括：基材，該基材具有頂部表面及底部表面；奈米線陣列，具有底座及頂部表面，該底座接觸該基材之頂部表面；接觸結構，具有非奈米結構表面，該接觸結構具有頂部表面及底部表面，且與該矽奈米線陣列位於該基材之同一側；以及電氣接觸，與該接觸結構之頂部表面接觸。在某些實施例中，該裝置包括氧化鋁鈍化層於該奈米線陣列上。在某些實施例中，該氧化鋁層係藉由原子層沉積加以沉積。
简体摘要：本发明之一态样系与设备有关，该设备包括：基材，该基材具有顶部表面及底部表面；奈米线数组，具有底座及顶部表面，该底座接触该基材之顶部表面；接触结构，具有非奈米结构表面，该接触结构具有顶部表面及底部表面，且与该硅奈米线数组位于该基材之同一侧；以及电气接触，与该接触结构之顶部表面接触。在某些实施例中，该设备包括氧化铝钝化层于该奈米线数组上。在某些实施例中，该氧化铝层系借由原子层沉积加以沉积。

9. 发明专利

TW201626594A 光熱感測器的製作方法及其產品审中-公开
简体标题：光热传感器的制作方法及其产品
公开(公告)号：TW201626594A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100385
申请日：2015-01-07
申请人：國立暨南國際大學 , NATIONAL CHI NAN UNIVERSITY
发明人：蕭桂森 , 蔡朝揚 , 鄭聖霖 , 張晉愷
IPC分类号： H01L31/18 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , H01L31/0284 , H01L31/0547 , H01L31/108 , H01L31/1804 , H01L35/08 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種光熱感測器的製作方法，包含一準備步驟、一多孔矽晶片形成步驟，及一電極形成步驟。該準備步驟為準備一矽晶片，並配製一包括氫氟酸、異丙醇，與純水的蝕刻溶液；該多孔矽晶片形成步驟是將該矽晶片浸置於該蝕刻溶液中，進行電化學蝕刻，令該矽晶片經由蝕刻形成孔洞結構，而得到一多孔矽晶片；該電極形成步驟則於該多孔矽晶片的表面製作一用以對外形成導通電路的電極單元，而得該光熱感測器。本發明該製作方法不僅製法簡易且成本低廉，利用該製作方法製作出的光熱感測器可用以感測光或熱並將其轉換為電能，而能廣泛地應用於各領域。
简体摘要：一种光热传感器的制作方法，包含一准备步骤、一多孔硅芯片形成步骤，及一电极形成步骤。该准备步骤为准备一硅芯片，并配制一包括氢氟酸、异丙醇，与纯水的蚀刻溶液；该多孔硅芯片形成步骤是将该硅芯片浸置于该蚀刻溶液中，进行电化学蚀刻，令该硅芯片经由蚀刻形成孔洞结构，而得到一多孔硅芯片；该电极形成步骤则于该多孔硅芯片的表面制作一用以对外形成导通电路的电极单元，而得该光热传感器。本发明该制作方法不仅制法简易且成本低廉，利用该制作方法制作出的光热传感器可用以传感光或热并将其转换为电能，而能广泛地应用于各领域。

10. 发明专利

TW201250049A 多孔物質的離子輔助直接成長 ION-ASSISTED DIRECT GROWTH OF POROUS MATERIALS 审中-公开
简体标题：多孔物质的离子辅助直接成长 ION-ASSISTED DIRECT GROWTH OF POROUS MATERIALS
公开(公告)号：TW201250049A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101117082
申请日：2012-05-14
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：葛特盧多維克 , 陸賢鋒 , 瑞曼帕迪帕克
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/045 , C23C16/505 , H01J37/32082 , H01L31/02168 , H01L31/0284 , Y02E10/50
摘要：一種產生例如矽之多孔物質的方法。在一些實施例中，使用電漿鞘調整以產生多入射角的離子束。在一些實例中，此些離子束可形成經聚焦的離子束。廣範圍的入射角使物質能以非晶型式沈積。藉由改變多個製程參數可以變動多孔性及孔洞尺寸。在其他實施例中，可以藉由添加氧於預先產生的多孔物質層以產生多孔氧化物。
简体摘要：一种产生例如硅之多孔物质的方法。在一些实施例中，使用等离子鞘调整以产生多入射角的离子束。在一些实例中，此些离子束可形成经聚焦的离子束。广范围的入射角使物质能以非晶型式沉积。借由改变多个制程参数可以变动多孔性及孔洞尺寸。在其他实施例中，可以借由添加氧于预先产生的多孔物质层以产生多孔氧化物。

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