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1. 发明专利

TW201527217A 用於薄膜光伏打裝置之無機鹽－奈米粒子墨水及相關方法审中-公开
简体标题：用于薄膜光伏打设备之无机盐－奈米粒子墨水及相关方法
公开(公告)号：TW201527217A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103131644
申请日：2014-09-12
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：劉促剛 , LIU, ZUGANG , 艾倫凱瑞 , ALLEN, CARY
IPC分类号： C01G15/00 , B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B05D7/24 , H01L31/0272 , B05D3/00 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L31/0272 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要：本發明描述用於CIGS薄膜之基於溶液之沈積的組合物。該等組合物包括溶解或分散於溶劑中形成墨水之三元、四元或五元硫族化物奈米粒子(亦即，CIGS奈米粒子)及一或多種無機鹽。該墨水可藉由習知塗佈技術沈積於基板上且接著經退火以形成結晶層。可採用進一步處理來製造PV裝置。包括該等無機鹽係用以(i)調諧該CIGS前驅體墨水之化學計量至所要比率，由此調諧半導體能帶隙；(ii)使用添加劑(諸如Sb及/或Na)摻雜該CIGS層來促進晶粒生長；及/或(iii)改良及改進該CIGS前驅體墨水之塗佈特性。
简体摘要：本发明描述用于CIGS薄膜之基于溶液之沉积的组合物。该等组合物包括溶解或分散于溶剂中形成墨水之三元、四元或五元硫族化物奈米粒子(亦即，CIGS奈米粒子)及一或多种无机盐。该墨水可借由习知涂布技术沉积于基板上且接着经退火以形成结晶层。可采用进一步处理来制造PV设备。包括该等无机盐系用以(i)调谐该CIGS前驱体墨水之化学计量至所要比率，由此调谐半导体能带隙；(ii)使用添加剂(诸如Sb及/或Na)掺杂该CIGS层来促进晶粒生长；及/或(iii)改良及改进该CIGS前驱体墨水之涂布特性。

2. 发明专利

TW201231701A Ｃｕ－Ｇａ靶及其製造方法及由Ｃｕ－Ｇａ系合金膜構成之光吸收層及使用該光吸收層之ＣＩＧＳ系太陽電池审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ靶及其制造方法及由Ｃｕ－Ｇａ系合金膜构成之光吸收层及使用该光吸收层之ＣＩＧＳ系太阳电池
公开(公告)号：TW201231701A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100128831
申请日：2011-08-12
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司
发明人：田村友哉 , 山本浩由 , 坂本勝
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L31/0272 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種Cu-Ga合金燒結體濺鍍靶，其係Ga濃度為40～50 at%，其餘部分為Cu，相對密度為80%以上，Ga濃度之組成偏差相對於目標組成在±0.5 at%以內。本發明提供一種Cu-Ga系合金濺鍍靶之製造方法，係製造Ga濃度為40～50 at%，其餘部分為Cu之Cu-Ga合金燒結體濺鍍靶之方法，將Cu及Ga原料熔解及冷卻、粉碎以製造Cu-Ga合金原料粉，進而將熱壓之保持溫度設為混合原料粉之熔點與較該熔點低15℃之溫度之間的溫度，將對燒結混合原料粉之加壓壓力設為400 kgf/cm 2 以上，對該原料粉進行熱壓。本發明提供一種組成偏差極小且高密度之濺鍍靶及其製造方法及由Cu-Ga系合金膜構成之光吸收層及使用該光吸收層之CIGS系太陽電池。
简体摘要：本发明提供一种Cu-Ga合金烧结体溅镀靶，其系Ga浓度为40～50 at%，其余部分为Cu，相对密度为80%以上，Ga浓度之组成偏差相对于目标组成在±0.5 at%以内。本发明提供一种Cu-Ga系合金溅镀靶之制造方法，系制造Ga浓度为40～50 at%，其余部分为Cu之Cu-Ga合金烧结体溅镀靶之方法，将Cu及Ga原料熔解及冷却、粉碎以制造Cu-Ga合金原料粉，进而将热压之保持温度设为混合原料粉之熔点与较该熔点低15℃之温度之间的温度，将对烧结混合原料粉之加压压力设为400 kgf/cm 2 以上，对该原料粉进行热压。本发明提供一种组成偏差极小且高密度之溅镀靶及其制造方法及由Cu-Ga系合金膜构成之光吸收层及使用该光吸收层之CIGS系太阳电池。

3. 发明专利

TWI609840B 用於薄膜光伏打裝置之無機鹽－奈米粒子墨水及相關方法有权
简体标题：用于薄膜光伏打设备之无机盐－奈米粒子墨水及相关方法
公开(公告)号：TWI609840B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103131644
申请日：2014-09-12
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：劉促剛 , LIU, ZUGANG , 艾倫凱瑞 , ALLEN, CARY
IPC分类号： C01G15/00 , B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B05D7/24 , H01L31/0272 , B05D3/00 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , C09D11/322 , C09D11/52 , H01L31/0272 , H01L31/0322 , Y02E10/541

4. 发明专利

TWI403482B 中度熱膨漲係數玻璃有权
简体标题：中度热膨涨系数玻璃
公开(公告)号：TWI403482B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098133915
申请日：2009-10-06
申请人：寇爾山姆科技股份有限公司 , CORSAM TECHNOLOGIES LLC
发明人：艾肯布思卡迪 , AITKEN, BRUCE GARDINER , 依利森亞當節米 , ELLISON, ADAM JAMES , 凱仁司基提曼 , KICZENSKI, TIMOTHY J.
IPC分类号： C03C3/091 , C03C4/00
CPC分类号： C03C3/091 , C03C3/064 , C03C3/066 , C03C3/087 , H01L31/0272 , H01L31/0392 , H01L31/03925 , Y02E10/50

5. 发明专利

TW201217294A Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ太陽能電池用玻璃基板及使用其之太陽能電池审中-公开
简体标题：Ｃｕ－Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｅ太阳能电池用玻璃基板及使用其之太阳能电池
公开(公告)号：TW201217294A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100138143
申请日：2011-10-20
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：塙優 , 黑岩裕 , 中島哲也 , 臼井玲大
IPC分类号： C03C , H01L
CPC分类号： H01L31/02 , C03C3/087 , C03C3/093 , H01L31/022433 , H01L31/0272 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0488 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要：本發明提供一種Cu-In-Ga-Se太陽能電池用玻璃基板，其以下述氧化物標準之莫耳百分率表示，含有55~70%之SiO2、6.5~12.6%之Al2O3、0~1%之B2O3、3~10%之MgO、0~4.8%之CaO、0~2%之SrO、0~2%之BaO、0~2.5%之ZrO2、0~2.5%之TiO2、5.3~10.9%之Na2O、0~10%之K2O；MgO+CaO+SrO+BaO為7.7~17%，Na2O+K2O為10.4~16%，MgO/Al2O3為0.9以下，(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)為2.2以下，(Na2O+K2O)/Al2O3×(Na2O/K2O)為0.9以上，玻璃轉移點溫度為650~750℃，50~350℃下之平均熱膨脹係數為75×10 -7 ~95×10 -7 /℃，黏度達到10 4 dPa‧s之溫度(T4)與失透溫度(TL)之關係為T4-TL≧-30℃，密度為2.6 g/cm 3 以下，脆度指標值未達7000 m -1/2 。藉此，本發明提供一種可平衡良好地滿足高發電效率與高玻璃轉移點溫度、特定之平均熱膨脹係數、高玻璃強度、低玻璃密度及板玻璃成形時之抗失透之特性的CIGS太陽能電池用玻璃基板。
简体摘要：本发明提供一种Cu-In-Ga-Se太阳能电池用玻璃基板，其以下述氧化物标准之莫耳百分率表示，含有55~70%之SiO2、6.5~12.6%之Al2O3、0~1%之B2O3、3~10%之MgO、0~4.8%之CaO、0~2%之SrO、0~2%之BaO、0~2.5%之ZrO2、0~2.5%之TiO2、5.3~10.9%之Na2O、0~10%之K2O；MgO+CaO+SrO+BaO为7.7~17%，Na2O+K2O为10.4~16%，MgO/Al2O3为0.9以下，(2Na2O+K2O+SrO+BaO)/(Al2O3+ZrO2)为2.2以下，(Na2O+K2O)/Al2O3×(Na2O/K2O)为0.9以上，玻璃转移点温度为650~750℃，50~350℃下之平均热膨胀系数为75×10 -7 ~95×10 -7 /℃，黏度达到10 4 dPa‧s之温度(T4)与失透温度(TL)之关系为T4-TL≧-30℃，密度为2.6 g/cm 3 以下，脆度指针值未达7000 m -1/2 。借此，本发明提供一种可平衡良好地满足高发电效率与高玻璃转移点温度、特定之平均热膨胀系数、高玻璃强度、低玻璃密度及板玻璃成形时之抗失透之特性的CIGS太阳能电池用玻璃基板。

6. 发明专利

TW201603259A 攝像裝置及電子裝置审中-公开
简体标题：摄像设备及电子设备
公开(公告)号：TW201603259A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104119427
申请日：2015-06-16
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：岡本佑樹 , OKAMOTO, YUKI , 黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 井上広樹 , INOUE, HIROKI , 王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/0272 , H01L31/105
摘要：提供一種生產性良好且動態範圍得到提高的攝像裝置。一種攝像裝置，包括像素，該像素包括：包括p型半導體、n型半導體及i型半導體的光電轉換元件；以及像素驅動電路，其中，在俯視時，不與構成像素驅動電路的金屬材料及半導體材料重疊的i型半導體的面積的總和較佳為i型半導體整體的面積的65%以上，更佳為80%以上，進一步較佳為90%以上。藉由將多個光電轉換元件設置在相同的半導體層中，可以省略用來使每個光電轉換元件分離的製程。多個光電轉換元件所包括的每個i型半導體層由p型半導體或n型半導體分離。
简体摘要：提供一种生产性良好且动态范围得到提高的摄像设备。一种摄像设备，包括像素，该像素包括：包括p型半导体、n型半导体及i型半导体的光电转换组件；以及像素驱动电路，其中，在俯视时，不与构成像素驱动电路的金属材料及半导体材料重叠的i型半导体的面积的总和较佳为i型半导体整体的面积的65%以上，更佳为80%以上，进一步较佳为90%以上。借由将多个光电转换组件设置在相同的半导体层中，可以省略用来使每个光电转换组件分离的制程。多个光电转换组件所包括的每个i型半导体层由p型半导体或n型半导体分离。

7. 发明专利

TW201219309A 用於太陽能電池之奈米晶形二硒化銅銦（CIS）及油墨基底合金吸收層 NANOCRYSTALLINE COPPER INDIUM DISELENIDE (CIS) AND INK-BASED ALLOYS ABSORBER LAYERS FOR SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：用于太阳能电池之奈米晶形二硒化铜铟（CIS）及油墨基底合金吸收层 NANOCRYSTALLINE COPPER INDIUM DISELENIDE (CIS) AND INK-BASED ALLOYS ABSORBER LAYERS FOR SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201219309A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100121805
申请日：2011-06-22
申请人：佛羅里達大學研究基金公司
发明人：安德森提摩太J , 朴辛和 , 克里希南瑞葛拉正 , 法發尤美
IPC分类号： C01G , C01F , H01L
CPC分类号： H01L31/18 , B82Y40/00 , C09D11/52 , H01L31/0272 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10S977/773 , Y10S977/824 , Y10S977/896
摘要：本發明之具體實施例為一種含二硒化銅銦(CIS)奈米粒子，其中該奈米粒子係包括CIS相及包含硒化銅之第二相。該含CIS奈米粒子係無界面活性劑或黏合劑，顯示窄的尺寸分布及橫切面為30至500奈米。本發明之一個具體實施例係將該含CIS奈米粒子組合溶劑形成而油墨。在本發明之另一個具體實施例中可將該油墨用於網版或噴墨印刷先質層，其可退火成為用於光伏裝置用之含CIS吸收層。
简体摘要：本发明之具体实施例为一种含二硒化铜铟(CIS)奈米粒子，其中该奈米粒子系包括CIS相及包含硒化铜之第二相。该含CIS奈米粒子系无界面活性剂或黏合剂，显示窄的尺寸分布及横切面为30至500奈米。本发明之一个具体实施例系将该含CIS奈米粒子组合溶剂形成而油墨。在本发明之另一个具体实施例中可将该油墨用于网版或喷墨印刷先质层，其可退火成为用于光伏设备用之含CIS吸收层。

8. 发明专利

TW569440B 電荷量檢出電路及使用其之二次元畫像感測器有权
简体标题：电荷量检出电路及使用其之二次元画像传感器
公开(公告)号：TW569440B
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW090106465
申请日：2001-03-20
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：高橋昌之 , 岡田久夫
IPC分类号： G01R , H01L , H04N
CPC分类号： H01L27/14676 , H01L27/12 , H01L27/14609 , H01L31/0272 , H04N5/32 , H04N5/3575
摘要：電荷量檢出電路係在構成低通濾波器電路元件之一部，兼用構成電壓放大電路元件一部分。藉此在電荷檢出放大器之後段裝設低通濾波器電路，並且，在其後段設有電壓放大電路之電荷量檢出電路，藉設兼用構成電壓放大電路元件一部之低通濾波器電路，以儘量壓縮晶片尺寸之增大，且藉此也可儘量抑制晶片之增大。
简体摘要：电荷量检出电路系在构成低通滤波器电路组件之一部，兼用构成电压放大电路组件一部分。借此在电荷检出放大器之后段装设低通滤波器电路，并且，在其后段设有电压放大电路之电荷量检出电路，藉设兼用构成电压放大电路组件一部之低通滤波器电路，以尽量压缩芯片尺寸之增大，且借此也可尽量抑制芯片之增大。

9. 发明专利

TW201801096A 奈米線複合結構及其製造方法、感測裝置及其製造方法及奈米線的保護結構审中-公开
简体标题：奈米线复合结构及其制造方法、传感设备及其制造方法及奈米线的保护结构
公开(公告)号：TW201801096A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119267
申请日：2016-06-20
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：陳學仕 , CHEN, HSUEH SHIH , 陳品如 , CHEN, PIN RU
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/02 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035227 , G01J1/00 , G01L1/18 , G01L1/2287 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/0272 , H01L31/03529 , H01L31/03926 , H01L31/1864
摘要：奈米線複合結構包含奈米線核心以及金屬層，奈米線核心的材料包括硒(Se)、碲(Te)或其組合；金屬層包覆於奈米線核心上。感測裝置包含基板，第一電極及第二電極設置於基板上，以及複數個奈米線設置於基板上，且位於第一電極與第二電極之間，其中上述奈米線具有第一奈米線接觸第一電極，及第二奈米線接觸第二電極，且上述奈米線的每一個奈米線至少與另一個奈米線接觸，上述奈米線為光感測器。
简体摘要：奈米线复合结构包含奈米线内核以及金属层，奈米线内核的材料包括硒(Se)、碲(Te)或其组合；金属层包覆于奈米线内核上。传感设备包含基板，第一电极及第二电极设置于基板上，以及复数个奈米线设置于基板上，且位于第一电极与第二电极之间，其中上述奈米线具有第一奈米线接触第一电极，及第二奈米线接触第二电极，且上述奈米线的每一个奈米线至少与另一个奈米线接触，上述奈米线为光传感器。

10. 发明专利

TWI551706B Ｃｕ－Ｇａ靶及其製造方法及由Ｃｕ－Ｇａ系合金膜構成之光吸收層及使用該光吸收層之ＣＩＧＳ系太陽電池有权
简体标题：Ｃｕ－Ｇａ靶及其制造方法及由Ｃｕ－Ｇａ系合金膜构成之光吸收层及使用该光吸收层之ＣＩＧＳ系太阳电池
公开(公告)号：TWI551706B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100128831
申请日：2011-08-12
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：田村友哉 , TAMURA, TOMOYA , 山本浩由 , YAMAMOTO, HIROYOSHI , 坂本勝 , SAKAMOTO, MASARU
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01L31/0272 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C23C14/3414 , H01L31/0322 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521

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