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1. 发明专利

TW200952136A 晶粒堆疊結構及其形成方法 CHIP STACKED STRUCTURE AND THE FORMING METHOD 审中-公开
简体标题：晶粒堆栈结构及其形成方法 CHIP STACKED STRUCTURE AND THE FORMING METHOD
公开(公告)号：TW200952136A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097120849
申请日：2008-06-05
申请人：南茂科技股份有限公司 , 百慕達南茂科技股份有限公司
发明人：黃成棠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/19 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18162 , Y10S438/977 , H01L2224/82 , H01L2224/83
摘要：一種晶粒之封裝結構，包括:晶粒，一主動面上配置有複數個焊墊及一背面具有一黏著層；封裝體，環覆晶粒之四個面以曝露出晶粒之複數個焊墊且具有複數個貫穿孔在封裝體內；圖案化之第一保護層，形成在封裝體之部份表面及部份晶粒之主動面上，且曝露出晶粒之主動面之複數個焊墊及複數個貫穿孔；金屬層，覆蓋於圖案化之第一保護層之部份表面且與晶粒之主動面上之複數個焊墊形成電性連接且填滿複數個貫穿孔；圖案化之第二保護層，覆蓋於圖案化之第一保護層及部份金屬層上且曝露出金屬層之部份表面；複數個圖案化之UBM層，形成在已曝露之金屬層之部份表面及圖案化之第二保護層之部份表面上，且與金屬層形成電性連接；及複數個導電元件，形成在複數個圖案化之UBM層上且藉由複數個圖案化之UBM層與金屬層形成電性連接。
简体摘要：一种晶粒之封装结构，包括:晶粒，一主动面上配置有复数个焊垫及一背面具有一黏着层；封装体，环覆晶粒之四个面以曝露出晶粒之复数个焊垫且具有复数个贯穿孔在封装体内；图案化之第一保护层，形成在封装体之部份表面及部份晶粒之主动面上，且曝露出晶粒之主动面之复数个焊垫及复数个贯穿孔；金属层，覆盖于图案化之第一保护层之部份表面且与晶粒之主动面上之复数个焊垫形成电性连接且填满复数个贯穿孔；图案化之第二保护层，覆盖于图案化之第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层之部份表面；复数个图案化之UBM层，形成在已曝露之金属层之部份表面及图案化之第二保护层之部份表面上，且与金属层形成电性连接；及复数个导电组件，形成在复数个图案化之UBM层上且借由复数个图案化之UBM层与金属层形成电性连接。

2. 发明专利

TW200929389A 晶粒重新配置之封裝結構及使用佈線製程形成彈性配置之製造方法 DICE REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE USING LAYOUT PROCESS TO FORM A COMPLIANT CONFIGURATION 审中-公开
简体标题：晶粒重新配置之封装结构及使用布线制程形成弹性配置之制造方法 DICE REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE USING LAYOUT PROCESS TO FORM A COMPLIANT CONFIGURATION
公开(公告)号：TW200929389A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW096149046
申请日：2007-12-20
申请人：南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. , 百慕達南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA) LTD.
发明人：沈更新 SHEN, GENG SHIN , 陳煜仁 CHEN, YU REN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/25 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要：一種晶粒重新配置之封裝結構,包括一個具有主動面及下表面之晶粒並於主動面上配置有複數個焊墊;封裝體用以包覆晶粒且曝露出主動面上之複數個焊墊;複數條扇出之金屬線段之一端與每一焊墊電性連接;保護層用以覆蓋晶粒之主動面及每一金屬線段並曝露出金屬線段之另一端以及複數個電性連接元件與該些金屬線段之另一端電性連接,其特徵在於:封裝體為一種二階段熱固性膠材。
简体摘要：一种晶粒重新配置之封装结构,包括一个具有主动面及下表面之晶粒并于主动面上配置有复数个焊垫;封装体用以包覆晶粒且曝露出主动面上之复数个焊垫;复数条扇出之金属线段之一端与每一焊垫电性连接;保护层用以覆盖晶粒之主动面及每一金属线段并曝露出金属线段之另一端以及复数个电性连接组件与该些金属线段之另一端电性连接,其特征在于:封装体为一种二阶段热固性胶材。

3. 发明专利

TWI302731B 晶圓級晶片尺寸封裝之填膠結構及其方法 FILLING PASTE STRUCTURE AND PROCESS FOR WL-CSP 有权
简体标题：晶圆级芯片尺寸封装之填胶结构及其方法 FILLING PASTE STRUCTURE AND PROCESS FOR WL-CSP
公开(公告)号：TWI302731B
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW094100360
申请日：2005-01-06
申请人：育霈科技股份有限公司 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC.
发明人：楊文焜 YANG, WEN-KUN , 楊錦成 YANG, CHIN-CHEN , 邱政賢 CHIU, CHENG-HSIEN , 孫文彬 SUN, WEN-BIN , 趙匡祺 CHAO, KUANG-CHI , 袁禧霙 YUAN, HIS-YING , 余俊輝 YU, CHUN-HUI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01094 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種晶圓級封裝(wafer level package)之
填膠結構(filling paste structure)及其方法。上述方法包
括將一黏性材料填滿於複數個晶粒(dice)之間,並且覆
蓋上述複數個晶粒。上述複數個晶粒黏著於常態下具有黏
性之膠膜圖案(glue pattern)之上,並且形成於一可移除
基板(removable substrate)之上。一堅固基板(rigid
substrate)利用黏性材料之塗佈以黏著上述晶粒。然後,
於附著(attaching)上述堅固基板之後,藉由一特殊環境
將上述複數個晶粒從上述膠膜圖案中分離。
简体摘要：本发明揭露一种晶圆级封装(wafer level package)之填胶结构(filling paste structure)及其方法。上述方法包括将一黏性材料填满于复数个晶粒(dice)之间,并且覆盖上述复数个晶粒。上述复数个晶粒黏着于常态下具有黏性之胶膜图案(glue pattern)之上,并且形成于一可移除基板(removable substrate)之上。一坚固基板(rigid substrate)利用黏性材料之涂布以黏着上述晶粒。然后, 于附着(attaching)上述坚固基板之后,借由一特殊环境将上述复数个晶粒从上述胶膜图案中分离。

5. 发明专利

TWI358808B 晶粒之封裝結構及其封裝方法 CHIP PACKAGE STRUCTURE AND THE METHOD THEREOF 有权
简体标题：晶粒之封装结构及其封装方法 CHIP PACKAGE STRUCTURE AND THE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI358808B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW097109826
申请日：2008-03-20
申请人：南茂科技股份有限公司 , 百慕達南茂科技股份有限公司
发明人：沈更新 , 陳煜仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49541 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/03
摘要：一種晶粒之封裝結構，包括：晶片容置架，具有一晶片容置區，且其晶片容置區之正面上配置有黏著層；一晶粒，其主動面上配置有複數個焊墊及背面係形成在晶片容置架之黏著層上；封裝體，係環覆於具有晶粒之晶片容置架且曝露出晶粒之主動面上之複數個焊墊，且封裝體之一高度大於晶粒之一高度；複數條圖案化之金屬線段之一端與複數個焊墊電性連接，另一端以外側延伸並覆蓋於封裝體之一表面上；複數個圖案化之保護層，係覆蓋於複數條圖案化之金屬線段且曝露出複數個圖案化之金屬線段之向晶粒之主動面外側延伸之一扇出結構之部份表面；複數個圖案化之UBM層，形成在每一條圖案化之金屬線段之向外側延伸之扇出結構之部份表面上，且與複數條圖案化之金屬線段電性連接；及複數個導電元件，藉由UBM層與複數個圖案化之金屬線段電性連接
简体摘要：一种晶粒之封装结构，包括：芯片容置架，具有一芯片容置区，且其芯片容置区之正面上配置有黏着层；一晶粒，其主动面上配置有复数个焊垫及背面系形成在芯片容置架之黏着层上；封装体，系环覆于具有晶粒之芯片容置架且曝露出晶粒之主动面上之复数个焊垫，且封装体之一高度大于晶粒之一高度；复数条图案化之金属线段之一端与复数个焊垫电性连接，另一端以外侧延伸并覆盖于封装体之一表面上；复数个图案化之保护层，系覆盖于复数条图案化之金属线段且曝露出复数个图案化之金属线段之向晶粒之主动面外侧延伸之一扇出结构之部份表面；复数个图案化之UBM层，形成在每一条图案化之金属线段之向外侧延伸之扇出结构之部份表面上，且与复数条图案化之金属线段电性连接；及复数个导电组件，借由UBM层与复数个图案化之金属线段电性连接

6. 发明专利

TW201030870A 異方性導電膜貼附裝置 ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM APPLICATION DEVICE 审中-公开
简体标题：异方性导电膜贴附设备 ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM APPLICATION DEVICE
公开(公告)号：TW201030870A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098137468
申请日：2009-11-04
申请人：共同設計企劃有限公司
发明人：津田仁彥 , 天羽拓 , 西川真一 , 郭衛紅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/323 , B32B37/0053 , B32B37/223 , B32B38/185 , B32B2307/202 , B32B2457/202 , H01L24/27 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/19042 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278
摘要：本發明旨在提供一種異方性導電膜貼附裝置,其本體尺寸精簡,同時可變通性地因應各種形狀大小之基板,藉由同時貼附異方性導電膜於該基板複數處,可減少貼附步驟之產距時間。其中,該異方性導電膜貼附裝置包含:膠帶供給部P,供給堆疊有隔離部與異方性導電膜之異方性導電膠帶T;及膠帶壓接部Q,推壓異方性導電膠帶T之隔離部側,僅將異方性導電膜貼附於工作件W之既定位置;該異方性導電膜貼附裝置之特徵在於:沿異方性導電膜之貼附方向配置有複數個具有貼附頭1、1'之壓接單元Qu1、Qu2,以可調節之方式設定各貼附頭1、1'之間隔,且膠帶供給單元Pu1、Pu2包含捲筒裝設部,以裝設固定捲繞有異方性導電膠帶T之捲筒R,且該膠帶供給單元Pu1、Pu2相對於每一該貼附頭1、1'獨立設置。
简体摘要：本发明旨在提供一种异方性导电膜贴附设备,其本体尺寸精简,同时可变通性地因应各种形状大小之基板,借由同时贴附异方性导电膜于该基板复数处,可减少贴附步骤之产距时间。其中,该异方性导电膜贴附设备包含:胶带供给部P,供给堆栈有隔离部与异方性导电膜之异方性导电胶带T;及胶带压接部Q,推压异方性导电胶带T之隔离部侧,仅将异方性导电膜贴附于工作件W之既定位置;该异方性导电膜贴附设备之特征在于:沿异方性导电膜之贴附方向配置有复数个具有贴附头1、1'之压接单元Qu1、Qu2,以可调节之方式设置各贴附头1、1'之间隔,且胶带供给单元Pu1、Pu2包含卷筒装设部,以装设固定卷绕有异方性导电胶带T之卷筒R,且该胶带供给单元Pu1、Pu2相对于每一该贴附头1、1'独立设置。

7. 发明专利

TW200952138A 晶粒重新配置之封裝結構及其方法 CHIP REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE AND THE METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：晶粒重新配置之封装结构及其方法 CHIP REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE AND THE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200952138A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097121903
申请日：2008-06-12
申请人：南茂科技股份有限公司 , 百慕達南茂科技股份有限公司
发明人：陳煜仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要：一種晶粒重新配置之封裝結構，包括:於晶粒之主動面上配置複數個焊墊；將第一高分子材料層覆蓋於晶粒之主動面上並曝露複數個焊墊；將複數個導電柱配置於第一高分子材料層之間並與每一銲墊電性連接；一封膠體，用以包覆晶粒且曝露出高分子材料層及複數個導電柱；一第二高分子材料層，覆蓋於第一高分子材料層及封膠體上並曝露出複數個導電柱；複數條扇出之金屬線段，係配置於第二高分子材料層之上且每一金屬線段之一端與導電柱電性連接；複數個導電元件，係與金屬線段之另一端電性連接。
简体摘要：一种晶粒重新配置之封装结构，包括:于晶粒之主动面上配置复数个焊垫；将第一高分子材料层覆盖于晶粒之主动面上并曝露复数个焊垫；将复数个导电柱配置于第一高分子材料层之间并与每一焊垫电性连接；一封胶体，用以包覆晶粒且曝露出高分子材料层及复数个导电柱；一第二高分子材料层，覆盖于第一高分子材料层及封胶体上并曝露出复数个导电柱；复数条扇出之金属线段，系配置于第二高分子材料层之上且每一金属线段之一端与导电柱电性连接；复数个导电组件，系与金属线段之另一端电性连接。

8. 发明专利

TW200823996A 用於乾蝕刻之圖案遮罩結構及其方法 METHOD AND STRUCTURE OF PATTERN MASK FOR DRY ETCHING 审中-公开
简体标题：用于干蚀刻之图案遮罩结构及其方法 METHOD AND STRUCTURE OF PATTERN MASK FOR DRY ETCHING
公开(公告)号：TW200823996A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096143582
申请日：2007-11-16
申请人：育霈科技股份有限公司 ADVANCED CHIP ENGINEERING TECHNOLOGY INC.
发明人：楊文焜 YANG, WEN KUN , 張瑞賢 CHANG, JUI HSIEN , 李基城 LEE, CHI CHEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L24/03 , H01L27/14683 , H01L2224/04042 , H01L2224/85013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01094 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , Y10T428/24355
摘要：本發明係提供一種用於蝕刻製程之結構。此結構具有一遮罩,用以保護晶圓之區域免受蝕刻;以及一封環,附著於其遮罩之下表面之下。其遮罩至少具有一開口,以暴露一蝕刻區域。再者,其遮罩透過封環附著於晶圓上。另外,本發明亦提供形成用於乾蝕刻之遮罩之方法。首先,本發明包括提供一基底材料,並塗佈遮罩材料於基底材料兩側之步驟。下一步驟為圖案化遮罩材料以形成開口。隨後,透過上述開口蝕刻基底材料以產生至少一個遮罩開口與遮罩腔室。最後,移除遮罩材料。
简体摘要：本发明系提供一种用于蚀刻制程之结构。此结构具有一遮罩,用以保护晶圆之区域免受蚀刻;以及一封环,附着于其遮罩之下表面之下。其遮罩至少具有一开口,以暴露一蚀刻区域。再者,其遮罩透过封环附着于晶圆上。另外,本发明亦提供形成用于干蚀刻之遮罩之方法。首先,本发明包括提供一基底材料,并涂布遮罩材料于基底材料两侧之步骤。下一步骤为图案化遮罩材料以形成开口。随后,透过上述开口蚀刻基底材料以产生至少一个遮罩开口与遮罩腔室。最后,移除遮罩材料。

9. 发明专利

TWI364801B 晶粒重新配置之封裝結構及使用佈線製程形成彈性配置之製造方法 DICE REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE USING LAYOUT PROCESS TO FORM A COMPLIANT CONFIGURATION 有权
简体标题：晶粒重新配置之封装结构及使用布线制程形成弹性配置之制造方法 DICE REARRANGEMENT PACKAGE STRUCTURE USING LAYOUT PROCESS TO FORM A COMPLIANT CONFIGURATION
公开(公告)号：TWI364801B
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：TW096149046
申请日：2007-12-20
申请人：南茂科技股份有限公司 , 百慕達南茂科技股份有限公司
发明人：沈更新 , 陳煜仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/25 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要：一種晶粒重新配置之封裝結構，包括一個具有主動面及下表面之晶粒並於主動面上配置有複數個焊墊；封裝體用以包覆晶粒且曝露出主動面上之複數個焊墊；複數條扇出之金屬線段之一端與每一焊墊電性連接；保護層用以覆蓋晶粒之主動面及每一金屬線段並曝露出金屬線段之另一端以及複數個電性連接元件與該些金屬線段之另一端電性連接，其特徵在於：封裝體為一種二階段熱固性膠材。
简体摘要：一种晶粒重新配置之封装结构，包括一个具有主动面及下表面之晶粒并于主动面上配置有复数个焊垫；封装体用以包覆晶粒且曝露出主动面上之复数个焊垫；复数条扇出之金属线段之一端与每一焊垫电性连接；保护层用以覆盖晶粒之主动面及每一金属线段并曝露出金属线段之另一端以及复数个电性连接组件与该些金属线段之另一端电性连接，其特征在于：封装体为一种二阶段热固性胶材。

10. 发明专利

TWI358803B 包含金屬覆蓋之晶圓級封裝結構與製程 STRUCTURE AND PROCESS FOR WL-CSP WITH METAL COVER 有权
简体标题：包含金属覆盖之晶圆级封装结构与制程 STRUCTURE AND PROCESS FOR WL-CSP WITH METAL COVER
公开(公告)号：TWI358803B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW096145019
申请日：2007-11-27
申请人：育霈科技股份有限公司
发明人：楊文焜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L23/29 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要：一晶圓級封裝至少包含複數晶粒形成於一晶圓上；以一黏性材料將一包含一孔洞之較薄金屬覆蓋於晶圓上，以改善封裝熱傳導。一保護膜形成於金屬覆蓋背面並填入孔洞，以便於使用雷射標記與得到較佳封裝切割品質。
简体摘要：一晶圆级封装至少包含复数晶粒形成于一晶圆上；以一黏性材料将一包含一孔洞之较薄金属覆盖于晶圆上，以改善封装热传导。一保护膜形成于金属覆盖背面并填入孔洞，以便于使用激光标记与得到较佳封装切割品质。

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