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1. 发明专利

TW201737408A 被加工物之處理裝置审中-公开
简体标题：被加工物之处理设备
公开(公告)号：TW201737408A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106109309
申请日：2017-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小岩真悟 , KOIWA, SHINGO
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/46 , C23C16/458
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32192 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J2237/32 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要：本發明係處理裝置具備具有靜電吸盤及冷卻台之載置台。於靜電吸盤與冷卻台之間設置有複數個熱傳遞空間。複數個熱傳遞空間係相對於靜電吸盤之中心軸線同心狀地設置，且相互分離。處理裝置更具備配管系統。配管系統係構成為將複數個熱傳遞空間之各者選擇性地連接於冷卻單元、熱傳遞氣體之來源、及排氣裝置。
简体摘要：本发明系处理设备具备具有静电吸盘及冷却台之载置台。于静电吸盘与冷却台之间设置有复数个热传递空间。复数个热传递空间系相对于静电吸盘之中心轴线同心状地设置，且相互分离。处理设备更具备配管系统。配管系统系构成为将复数个热传递空间之各者选择性地连接于冷却单元、热传递气体之来源、及排气设备。

3. 实用新型

TW409950U 遮蔽夾失效
简体标题：屏蔽夹
公开(公告)号：TW409950U
公开(公告)日：2000-10-21
申请号：TW086211172
申请日：1994-10-12
申请人：藍姆研究公司
发明人：艾瑞克.郝瓦德.藍茲 , 亨利.布魯班曲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4585 , H01J2237/32 , H01L21/67069 , Y10S269/903 , Y10S414/141
摘要：一種用以將晶片夾定於電漿反應室中之晶片夾定構件。此夾定構件之設計為在有需要將成長之沈積物自夾定構件清除之前，能將晶片上之顆粒污染減至最少及可使有更多之晶片被處理。夾定構件包括將晶片之外周邊夾於底部電極之夾及一遮蔽部分，此遮蔽部分於夾定構件之內緣與晶片之上部表面之間提供一間隙。此間隙開向電漿反應室之內部，實施之較佳者，此間隙之高度約等於經活化以於電漿反應室中形成電漿之氣體之平均自由路徑。
简体摘要：一种用以将芯片夹定于等离子反应室中之芯片夹定构件。此夹定构件之设计为在有需要将成长之沉积物自夹定构件清除之前，能将芯片上之颗粒污染减至最少及可使有更多之芯片被处理。夹定构件包括将芯片之外周边夹于底部电极之夹及一屏蔽部分，此屏蔽部分于夹定构件之内缘与芯片之上部表面之间提供一间隙。此间隙开向等离子反应室之内部，实施之较佳者，此间隙之高度约等于经活化以于等离子反应室中形成等离子之气体之平均自由路径。

4. 发明专利

TW201137979A 用於處理基材的裝置與方法 APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用于处理基材的设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201137979A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099139537
申请日：2010-11-17
申请人： OC歐瑞康巴爾斯公司
发明人：里茨勒沃爾夫岡 , 裘特凡梅斯特巴特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/96 , C23C14/22 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J2237/32 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/67017 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67236 , H01L21/6835 , H01L23/147 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/3641 , H01L2224/96 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要：一種用於處理基材(1)的方法,基材是放置於真空環境中,而呈除氣狀態。此方法包含置放此基材於真空中,並加熱此基材(1)至溫度T1,以進行除氣處理;以及移除由此基材(1)所發出的氣體汙染物,直到除氣率被基材之汙染物的擴散所決定,因而建立一實質穩態。之後,當基材之汙染物低於溫度T1的汙染物時,降低至溫度T2。在溫度T2,基材(1)更被進行處理,直到基材(1)被含金屬薄膜(16)所覆蓋。
简体摘要：一种用于处理基材(1)的方法,基材是放置于真空环境中,而呈除气状态。此方法包含置放此基材于真空中,并加热此基材(1)至温度T1,以进行除气处理;以及移除由此基材(1)所发出的气体污染物,直到除气率被基材之污染物的扩散所决定,因而创建一实质稳态。之后,当基材之污染物低于温度T1的污染物时,降低至温度T2。在温度T2,基材(1)更被进行处理,直到基材(1)被含金属薄膜(16)所覆盖。

5. 发明专利

TW522474B 基板處理裝置及基板處理方法失效
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW522474B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090106943
申请日：2001-03-23
申请人：日立國際電氣股份有限公司
发明人：中誠世 , 西倫子 , 油谷幸則 , 岡田裕 , 西谷英輔 , 中和廣 , 池田和人 , 示野和弘 , 太田岳兒 , 笠次克尚
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4584 , C23C16/46 , H01J2237/2005 , H01J2237/32 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：可機械式收授晶圓並旋轉晶座。
具備有在處理室11內承載晶圓1的晶座40、旋轉晶座40的旋轉滾筒35、在旋轉滾筒35內支撐於未旋轉的支撐軸26上且由晶座40下方加熱晶圓1的加熱單元27。旋轉滾筒35與加熱單元27將處理室11進行升降動作。在處理室11內設置將晶圓1進行相對晶座40升降動作的晶圓升降裝置50。
因為晶圓由晶座上浮起，使可插入機械式晶圓移載裝置的鑷夾2。
简体摘要：可机械式收授晶圆并旋转晶座。具备有在处理室11内承载晶圆1的晶座40、旋转晶座40的旋转滚筒35、在旋转滚筒35内支撑于未旋转的支撑轴26上且由晶座40下方加热晶圆1的加热单元27。旋转滚筒35与加热单元27将处理室11进行升降动作。在处理室11内设置将晶圆1进行相对晶座40升降动作的晶圆升降设备50。因为晶圆由晶座上浮起，使可插入机械式晶圆移载设备的镊夹2。

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