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1. 实用新型

TW357932U 真空管的構造及其裝置失效
简体标题：真空管的构造及其设备
公开(公告)号：TW357932U
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW086205919
申请日：1997-04-16
申请人：得利康股份有限公司
发明人：漢斯.柯普斯
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J21/10 , H01J17/44 , H01J19/24
摘要： 1.1 習用的真空管構造頻率因受上限及噪音特性侷限於小型化多電極管，即二極管、三極管及多電極管之生產方法受限制。1.2 真空管構造由一個或多個並聯的場致發射極或電子或離子的場致電離陰極、一個或多個環狀開口的柵極電極及一個或多個陽極構成，所有電極藉助利用感應沈積之微粒光束平版印刷，而先後或同時被建構到一輸送電壓的平面軌道結構上。因電極距離極小，故在常壓下發射極與陽極電極之間只能容納一分子平均自由路程。1.3 本創作之用途極普遍，但以用於最高頻技術為優先。
简体摘要： 1.1 习用的真空管构造频率因受上限及噪音特性局限于小型化多电极管，即二极管、三极管及多电极管之生产方法受限制。1.2 真空管构造由一个或多个并联的场致发射极或电子或离子的场致电离阴极、一个或多个环状开口的栅极电极及一个或多个阳极构成，所有电极借助利用感应沉积之微粒光束平版印刷，而先后或同时被建构到一输送电压的平面轨道结构上。因电极距离极小，故在常压下发射极与阳极电极之间只能容纳一分子平均自由路程。1.3 本创作之用途极普遍，但以用于最高频技术为优先。

2. 发明专利

TW201810340A 用於真空環境之高亮度含硼電子束發射器审中-公开
简体标题：用于真空环境之高亮度含硼电子束发射器
公开(公告)号：TW201810340A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106121916
申请日：2017-06-30
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：史庫茲威廉 G , SCHULTZ, WILLIAM G. , 德爾加多吉爾達多 R , DELGADO, GILDARDO R. , 希爾法蘭斯 , HILL, FRANCES , 葛爾夏貝里歐斯艾德葛爾朵 , GARCIA BERRIOS, EDGARDO , 葛爾夏盧蒂 , GARCIA, RUDY
IPC分类号： H01J33/04 , G21K5/02
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
摘要：本發明揭示一種發射器，其含有一金屬硼化物材料，該發射器具有擁有1 µm或更小之一半徑之一至少部分圓形尖端。可施加一電場至該發射器，且從該發射器產生一電子束。為形成該發射器，從一單晶棒移除材料以形成含有一金屬硼化物材料之一發射器，其具有擁有1 µm或更小之一半徑之一圓形尖端。
简体摘要：本发明揭示一种发射器，其含有一金属硼化物材料，该发射器具有拥有1 µm或更小之一半径之一至少部分圆形尖端。可施加一电场至该发射器，且从该发射器产生一电子束。为形成该发射器，从一单晶棒移除材料以形成含有一金属硼化物材料之一发射器，其具有拥有1 µm或更小之一半径之一圆形尖端。

3. 发明专利

TW201347604A 場發射裝置审中-公开
简体标题：场发射设备
公开(公告)号：TW201347604A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101118264
申请日：2012-05-22
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：柳鵬 , LIU, PENG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H05B33/14 , B82B1/00
CPC分类号： H01J19/24 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01J19/38 , Y10S977/742 , Y10S977/939
摘要：本發明涉及一種場發射裝置，其包括：一奈米碳管結構以及兩個電極分別與該奈米碳管結構電連接，該奈米碳管結構進一步包括：一奈米碳管陣列，該奈米碳管陣列包括複數個平行設置的第二奈米碳管；一奈米碳管層設置於該奈米碳管陣列的一側，該奈米碳管層包括複數個第一奈米碳管，該奈米碳管層與所述奈米碳管陣列中複數個第二奈米碳管的一端接觸；以及複數個第三奈米碳管至少纏繞設置於所述奈米碳管層與奈米碳管陣列之間。
简体摘要：本发明涉及一种场发射设备，其包括：一奈米碳管结构以及两个电极分别与该奈米碳管结构电连接，该奈米碳管结构进一步包括：一奈米碳管数组，该奈米碳管数组包括复数个平行设置的第二奈米碳管；一奈米碳管层设置于该奈米碳管数组的一侧，该奈米碳管层包括复数个第一奈米碳管，该奈米碳管层与所述奈米碳管数组中复数个第二奈米碳管的一端接触；以及复数个第三奈米碳管至少缠绕设置于所述奈米碳管层与奈米碳管数组之间。

4. 发明专利

TWI581664B 場發射裝置有权
简体标题：场发射设备
公开(公告)号：TWI581664B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW101118264
申请日：2012-05-22
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：柳鵬 , LIU, PENG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： H05B33/14 , B82B1/00 , H01J19/24
CPC分类号： H01J19/24 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01J19/38 , Y10S977/742 , Y10S977/939

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