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1. 发明专利

TW201250707A 核能發電設施 NUCLEAR POWER FACILITY 审中-公开
简体标题：核能发电设施 NUCLEAR POWER FACILITY
公开(公告)号：TW201250707A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101104035
申请日：2012-02-08
申请人：巴布考克及威科斯核能股份有限公司
发明人：諾爾詹姆士
IPC分类号： G21D , G21C
CPC分类号： G21D1/00 , G08B13/122 , Y02E30/40
摘要：核島包含至少一核反應器。渦輪機島包含至少一渦輪機建築物,該建築物容納藉由該核反應器所產生之蒸汽來驅動的至少一渦輪機。受保護區域具有藉由至少一圍牆所保護之周邊。隔離區包圍該受保護區域及包含闖入偵測裝置,該闖入偵測裝置被建構來偵測朝該受保護區域之未經授權的接近。該核島被設置在該受保護區域內側,且該渦輪機島被設置在該受保護區域的外面並與該受保護區域隔開。
简体摘要：核岛包含至少一核反应器。涡轮机岛包含至少一涡轮机建筑物,该建筑物容纳借由该核反应器所产生之蒸汽来驱动的至少一涡轮机。受保护区域具有借由至少一围墙所保护之周边。隔离区包围该受保护区域及包含闯入侦测设备,该闯入侦测设备被建构来侦测朝该受保护区域之未经授权的接近。该核岛被设置在该受保护区域内侧,且该涡轮机岛被设置在该受保护区域的外面并与该受保护区域隔开。

2. 发明专利

TW201333970A 採用封閉式熱量轉移路徑之核子反應器的緊急核心冷卻系統（ＥＣＣＳ）审中-公开
简体标题：采用封闭式热量转移路径之核子反应器的紧急内核冷却系统（ＥＣＣＳ）
公开(公告)号：TW201333970A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101141174
申请日：2012-11-06
申请人：巴布考克及威科斯核能股份有限公司 , BABCOCK & WILCOX NUCLEAR ENERGY, INC.
发明人：賓漢比利 , BINGHAM, BILLY E.
IPC分类号： G21C15/18 , G21C9/00
CPC分类号： G21C15/18 , G21C13/02 , G21C15/257 , G21C15/26 , G21D1/00 , G21D3/04 , Y02E30/40
摘要：圍阻結構包含一內部體積，且核子反應器被設置在該內部體積中。最後熱沉池被設置在該圍阻結構外側。冷凝器包含具有第一端部及相反之第二端部的複數封閉式路徑導熱管或封閉式路徑熱虹吸管。該封閉式路徑導熱管或封閉式路徑熱虹吸管被嵌入在該圍阻結構中，使該第一端部突出進入該內部體積及該第二端部突出該圍阻結構的外側。
简体摘要：围阻结构包含一内部体积，且核子反应器被设置在该内部体积中。最后热沉池被设置在该围阻结构外侧。冷凝器包含具有第一端部及相反之第二端部的复数封闭式路径导热管或封闭式路径热虹吸管。该封闭式路径导热管或封闭式路径热虹吸管被嵌入在该围阻结构中，使该第一端部突出进入该内部体积及该第二端部突出该围阻结构的外侧。

3. 发明专利

TW200905138A 蒸汽產生器之管支撐板 TUBE SUPPORT PLATE OF STEAM GENERATOR 审中-公开
简体标题：蒸汽产生器之管支撑板 TUBE SUPPORT PLATE OF STEAM GENERATOR
公开(公告)号：TW200905138A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096151497
申请日：2007-12-31
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：室屋格 MUROYA, ITARU , 島村健吾 SHIMAMURA, KENGO , 川上亮一 KAWAKAMI, RYOICHI
IPC分类号： F22B , G21D
CPC分类号： F22B37/205 , G21D1/00
摘要：本發明旨在減少配置於蒸汽產生器中之管支撐板200中之壓力損失並確保足夠强度。管支撐板200具有多個形成於其中之通孔100供傳熱管210通過。通孔100之形狀為六邊形形狀。突起100a、100b、100c形成於構成六邊形形狀之邊中的相隔邊102、104、106上。通孔100之排列為所謂的蜂巢排列。因此,可使通孔100之開口區域變大以減少壓力損失且可確保管支撐板之强度。
简体摘要：本发明旨在减少配置于蒸汽产生器中之管支撑板200中之压力损失并确保足够强度。管支撑板200具有多个形成于其中之通孔100供传热管210通过。通孔100之形状为六边形形状。突起100a、100b、100c形成于构成六边形形状之边中的相隔边102、104、106上。通孔100之排列为所谓的蜂巢排列。因此,可使通孔100之开口区域变大以减少压力损失且可确保管支撑板之强度。

4. 发明专利

TW200746172A 氣水分離器审中-公开
简体标题：气水分离器
公开(公告)号：TW200746172A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096106758
申请日：2007-02-27
申请人：三菱重工業股份有限公司 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
发明人：鈴田忠彥 SUZUTA, TADAHIKO , 近藤喜之 KONDO, YOSHIYUKI , 水谷敏行 MIZUTANI, TOSHIYUKI , 島村健吾 SHIMAMURA, KENGO , 廣田直亮 HIROTA, NAOAKI , 桂洋介 KATSURA, YOSUKE
IPC分类号： G21C
CPC分类号： F22B37/327 , G21D1/00 , G21Y2002/201 , G21Y2002/207 , G21Y2004/302 , Y10S55/23
摘要：本發明之氣水分離器(45)係於具有垂直部(53)與彎曲部(54)之升流管(52)內部固定渦流葉片(55),於升流管(52)之垂直部(53)外側設置降流管筒(56),藉此劃分出環狀降流管空間(58),於升流管(52)及降流管筒(56)上方以特定空間配設蓋板(60),並形成流孔(61)與通氣口(62),位於升流管(52)之彎曲部(54)與渦流葉片(55)之間,於此彎曲部(54)之彎曲方向外側,形成作為液膜流排出部(63)之複數個水平狹縫(64),藉此使形成於氣水上升管內之液膜的厚度均勻化,並且防止液膜流溢流,藉此謀求提高氣水分離性能。
简体摘要：本发明之气水分离器(45)系于具有垂直部(53)与弯曲部(54)之升流管(52)内部固定涡流叶片(55),于升流管(52)之垂直部(53)外侧设置降流管筒(56),借此划分出环状降流管空间(58),于升流管(52)及降流管筒(56)上方以特定空间配设盖板(60),并形成流孔(61)与通气口(62),位于升流管(52)之弯曲部(54)与涡流叶片(55)之间,于此弯曲部(54)之弯曲方向外侧,形成作为液膜流排出部(63)之复数个水平狭缝(64),借此使形成于气水上升管内之液膜的厚度均匀化,并且防止液膜流溢流,借此谋求提高气水分离性能。

5. 发明专利

TW201430858A 光觸媒注入方法及光觸媒注入系統审中-公开
简体标题：光触媒注入方法及光触媒注入系统
公开(公告)号：TW201430858A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102134528
申请日：2013-09-25
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：岡村雅人 , OKAMURA, MASATO , 柴崎理 , SHIBASAKI, OSAMU , 根岸孝次 , NEGISHI, KOJI , 山本誠二 , YAMAMOTO, SEIJI , 新井裕之 , ARAI, HIROYUKI , 閏間裕 , URUMA, YUTAKA
IPC分类号： G21D1/00 , G21D3/08
CPC分类号： G21C19/307 , B01J19/123 , B01J23/40 , B01J23/60 , B01J23/8906 , B01J35/004 , B01J37/0225 , B01J37/345 , B01J2219/0869 , B01J2219/0877 , B01J2219/1203 , C23F11/18 , G21C15/28 , G21C17/0225 , G21C19/28 , G21C19/40 , G21D1/00 , G21Y2002/103 , G21Y2004/10 , Y02E30/40
摘要：本發明的課題是在於提供一種因為光激發反應的效率高，所以金屬構件的腐蝕電位大幅度降低，因此防蝕效果高，運轉成本小的光觸媒注入方法及光觸媒注入系統。其解決手段為一種光觸媒注入系統(1)，具備：原子爐一次系冷卻材採取部(10)，其係從原子爐一次系(5)採取含貴金屬或貴金屬離子的原子爐一次系冷卻材(70)；光觸媒添加部(20)，其係對被採取的原子爐一次系冷卻材(70)添加光觸媒；紫外線照射部(30)，其係對在光觸媒添加部(20)所取得的冷卻材(71)照射紫外線(81)，藉此在冷卻材中使在前述光觸媒的表面載持前述貴金屬的貴金屬載持光觸媒生成；及貴金屬載持光觸媒注入部(40)，其係將含前述貴金屬載持光觸媒的冷卻材(72)注入至前述原子爐一次系(5)。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种因为光激发反应的效率高，所以金属构件的腐蚀电位大幅度降低，因此防蚀效果高，运转成本小的光触媒注入方法及光触媒注入系统。其解决手段为一种光触媒注入系统(1)，具备：原子炉一次系冷却材采取部(10)，其系从原子炉一次系(5)采取含贵金属或贵金属离子的原子炉一次系冷却材(70)；光触媒添加部(20)，其系对被采取的原子炉一次系冷却材(70)添加光触媒；紫外线照射部(30)，其系对在光触媒添加部(20)所取得的冷却材(71)照射紫外线(81)，借此在冷却材中使在前述光触媒的表面载持前述贵金属的贵金属载持光触媒生成；及贵金属载持光触媒注入部(40)，其系将含前述贵金属载持光触媒的冷却材(72)注入至前述原子炉一次系(5)。

6. 发明专利

TWI343582B 氣水分離器有权
简体标题：气水分离器
公开(公告)号：TWI343582B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW096106758
申请日：2007-02-27
申请人：三菱重工業股份有限公司
发明人：鈴田忠彥 , 近藤喜之 , 水谷敏行 , 島村健吾 , 廣田直亮 , 桂洋介
IPC分类号： G21D , F22B
CPC分类号： F22B37/327 , G21D1/00 , G21Y2002/201 , G21Y2002/207 , G21Y2004/302 , Y10S55/23
摘要：本發明之氣水分離器(45)係於具有垂直部(53)與彎曲部(54)之升流管(52)內部固定渦流葉片(55)，於升流管(52)之垂直部(53)外側設置降流管筒(56)，藉此劃分出環狀降流管空間(58)，於升流管(52)及降流管筒(56)上方以特定空間配設蓋板(60)，並形成流孔(61)與通氣口(62)，位於升流管(52)之彎曲部(54)與渦流葉片(55)之間，於此彎曲部(54)之彎曲方向外側，形成作為液膜流排出部(63)之複數個水平狹縫(64)，藉此使形成於氣水上升管內之液膜的厚度均勻化，並且防止液膜流溢流，藉此謀求提高氣水分離性能。
简体摘要：本发明之气水分离器(45)系于具有垂直部(53)与弯曲部(54)之升流管(52)内部固定涡流叶片(55)，于升流管(52)之垂直部(53)外侧设置降流管筒(56)，借此划分出环状降流管空间(58)，于升流管(52)及降流管筒(56)上方以特定空间配设盖板(60)，并形成流孔(61)与通气口(62)，位于升流管(52)之弯曲部(54)与涡流叶片(55)之间，于此弯曲部(54)之弯曲方向外侧，形成作为液膜流排出部(63)之复数个水平狭缝(64)，借此使形成于气水上升管内之液膜的厚度均匀化，并且防止液膜流溢流，借此谋求提高气水分离性能。

7. 发明专利

TW200926205A 放射性物質之附著抑制方法及附著抑制裝置审中-公开
简体标题：放射性物质之附着抑制方法及附着抑制设备
公开(公告)号：TW200926205A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097132181
申请日：2008-08-22
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山本誠二 YAMAMOTO, SEIJI , 遠田正見 ENDA, MASAMI , 青井洋美 AOI, HIROMI , 閏間裕 URUMA, YUTAKA
IPC分类号： G21D , G21C
CPC分类号： G21C7/10 , G21C13/08 , G21C15/16 , G21C17/0225 , G21C19/02 , G21C19/307 , G21D1/00 , G21F9/00 , G21F9/28 , G21Y2002/502 , Y02E30/39
摘要：本發明係有關可以抑制放射性物質對原子動力廠的構件上之金屬材料表面附著之放射性物質之附著抑制方法與裝置。在原子動力發電廠之構件的金屬構件料表面,例如在配管(32)之表面(32A)塗敷含有氧化鈦做為鈦化合物之附著抑制物質(34)後,將塗敷有該附著抑制物質(34)部分保持於80℃以上。附著抑制物質(34)係藉由噴吹該物質之溶液或懸浮液而塗敷於配管(32)之表面(32A)。
简体摘要：本发明系有关可以抑制放射性物质对原子动力厂的构件上之金属材料表面附着之放射性物质之附着抑制方法与设备。在原子动力发电厂之构件的金属构件料表面,例如在配管(32)之表面(32A)涂敷含有氧化钛做为钛化合物之附着抑制物质(34)后,将涂敷有该附着抑制物质(34)部分保持于80℃以上。附着抑制物质(34)系借由喷吹该物质之溶液或悬浮液而涂敷于配管(32)之表面(32A)。

8. 发明专利

TW200609948A 減緩核子反應爐組件的振動之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MITIGATING VIBRATION IN A NUCLEAR REACTOR COMPONENT 审中-公开
简体标题：减缓核子反应炉组件的振动之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR MITIGATING VIBRATION IN A NUCLEAR REACTOR COMPONENT
公开(公告)号：TW200609948A
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：TW094120298
申请日：2005-06-17
申请人：通用電機股份有限公司 GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：丹尼爾索蒙維爾 SOMMERVILLE, DANIEL VERNE
IPC分类号： G21C
CPC分类号： G21D1/00 , G21C13/02 , G21Y2002/207 , G21Y2002/303 , G21Y2004/30 , Y02E30/40
摘要：本發明提供一種藉由移除振動能量而減緩一核子反應爐的一組件中之振動之裝置。為了要減低該組件中的振動，有效地連接至該組件且包含一磁鐵(340)的一裝置可以在一傳導圓柱體(330)中致動。此致動可以產生一或多個渦流，其提供用以從該組件移除振動能量的一阻尼函數，以改變該組件的振動特性。
简体摘要：本发明提供一种借由移除振动能量而减缓一核子反应炉的一组件中之振动之设备。为了要减低该组件中的振动，有效地连接至该组件且包含一磁铁(340)的一设备可以在一传导圆柱体(330)中致动。此致动可以产生一或多个涡流，其提供用以从该组件移除振动能量的一阻尼函数，以改变该组件的振动特性。

9. 发明专利

TWI526681B 流體載裝或容納組件及檢查該組件之方法失效
简体标题：流体载装或容纳组件及检查该组件之方法
公开(公告)号：TWI526681B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100125416
申请日：2011-07-19
申请人：阿雷瓦股份有限公司 , AREVA GMBH
发明人：史托莫法蘭茲 , STROHMER, FRANZ , 薩爾法蘭克珍斯 , SAALFRANK, JENS
IPC分类号： G01M3/40 , G21D1/00 , F17D5/02
CPC分类号： F16L11/127 , B65D90/508 , F16L9/125 , F16L57/06 , F16L2201/30 , G01M3/18 , G01M3/186 , G01N27/20 , G21D1/00

10. 发明专利

TWI401699B 放射性物質之附著抑制方法及附著抑制裝置有权
简体标题：放射性物质之附着抑制方法及附着抑制设备
公开(公告)号：TWI401699B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW097132181
申请日：2008-08-22
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山本誠二 , YAMAMOTO, SEIJI , 遠田正見 , ENDA, MASAMI , 青井洋美 , AOI, HIROMI , 閏間裕 , URUMA, YUTAKA
IPC分类号： G21D1/00 , G21C19/02 , G21C19/307 , G21D3/08
CPC分类号： G21C7/10 , G21C13/08 , G21C15/16 , G21C17/0225 , G21C19/02 , G21C19/307 , G21D1/00 , G21F9/00 , G21F9/28 , G21Y2002/502 , Y02E30/39

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