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1. 发明专利

TWI582785B 非揮發性記憶體裝置中之揮發性記憶體架構及相關控制器有权
简体标题：非挥发性内存设备中之挥发性内存架构及相关控制器
公开(公告)号：TWI582785B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW103133797
申请日：2014-09-29
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：康伐隆尼力艾曼紐 , CONFALONIERI, EMANUELE , 米諾波力狄歐尼西歐 , MINOPOLI, DIONISIO
IPC分类号： G11C7/10 , G06F3/06 , G06F9/06 , G06F12/02 , G06F9/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C2207/104 , G11C2207/2209 , G11C2216/22

2. 发明专利

TW201732801A 與記憶體一起使用之埠模式审中-公开
简体标题：与内存一起使用之端口模式
公开(公告)号：TW201732801A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142389
申请日：2016-12-21
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：楊古 , YEUNG, GUS , 波拉法克魯丁阿里 , BOHRA, FAKHRUDDIN ALI , 拉帝摩喬治 , LATTIMORE, GEORGE
IPC分类号： G11C8/18
CPC分类号： G11C8/16 , G11C11/413 , G11C11/418 , G11C11/419 , G11C2207/2209
摘要：本文描述之各種實施方案可係指且可係關於與記憶體一起使用埠模式。在一項實施方案中，一記憶體裝置可包含存取控制電路，用於基於一第一存取埠中之第一位址信號而選擇性地啟動複數個第一字線之一者；且用於基於指派之位址信號而選擇性地啟動複數個第二字線之一者。該存取控制電路可包含經組態以基於一埠模式信號來選擇指派之位址信號的位址選擇電路，其中當該埠模式信號指示一單埠模式時，該位址選擇電路選擇第一位址信號作為指派之位址信號，且其中當該埠模式信號指示一雙埠模式時，該位址選擇電路選擇一第二存取埠中之第二位址信號作為指派之位址信號。
简体摘要：本文描述之各种实施方案可系指且可系关于与内存一起使用端口模式。在一项实施方案中，一内存设备可包含存取控制电路，用于基于一第一存取端口中之第一位址信号而选择性地启动复数个第一字线之一者；且用于基于指派之位址信号而选择性地启动复数个第二字线之一者。该存取控制电路可包含经组态以基于一端口模式信号来选择指派之位址信号的位址选择电路，其中当该端口模式信号指示一单端口模式时，该位址选择电路选择第一位址信号作为指派之位址信号，且其中当该端口模式信号指示一双端口模式时，该位址选择电路选择一第二存取端口中之第二位址信号作为指派之位址信号。

3. 发明专利

TW201721640A 非揮發性記憶體裝置中之揮發性記憶體架構及相關控制器审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备中之挥发性内存架构及相关控制器
公开(公告)号：TW201721640A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW106109441
申请日：2014-09-29
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：康伐隆尼力艾曼紐 , CONFALONIERI,EMANUELE , 米諾波力狄歐尼西歐 , MINOPOLI,DIONISIO
IPC分类号： G11C7/10 , G06F3/06 , G06F9/06 , G06F12/02 , G06F9/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C2207/104 , G11C2207/2209 , G11C2216/22
摘要：在一些實施例中，一非揮發性記憶體之一暫存器可用於讀取操作且該非揮發性記憶體之另一暫存器可用於程式化操作。例如，可搭配讀取操作使用一NAND快閃記憶體之一快取暫存器，且可搭配程式化操作使用該NAND快閃記憶體之一資料暫存器。根據一些實施例，諸如NAND快閃記憶體裝置之複數個非揮發性記憶體裝置之資料暫存器可實施一管理記憶體裝置中之一分散式揮發性快取(DVC)架構。根據某些實施例，可在暫存器之間移動及/或交換資料以執行該等非揮發性記憶體裝置中之某些操作而不丟失在執行其他操作時儲存之該資料。
简体摘要：在一些实施例中，一非挥发性内存之一寄存器可用于读取操作且该非挥发性内存之另一寄存器可用于进程化操作。例如，可搭配读取操作使用一NAND闪存之一缓存寄存器，且可搭配进程化操作使用该NAND闪存之一数据寄存器。根据一些实施例，诸如NAND闪存设备之复数个非挥发性内存设备之数据寄存器可实施一管理内存设备中之一分佈式挥发性缓存(DVC)架构。根据某些实施例，可在寄存器之间移动及/或交换数据以运行该等非挥发性内存设备中之某些操作而不丢失在运行其他操作时存储之该数据。

4. 发明专利

TWI537727B 用於同時存取記憶體之不同記憶體平面之裝置及方法有权
简体标题：用于同时存取内存之不同内存平面之设备及方法
公开(公告)号：TWI537727B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW104125867
申请日：2015-08-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：皮克尼西歐多T , PEKNY, THEODORE T. , 朴載官 , PARK, JAE-KWAN , 摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 德薩帝斯魯卡 , DESANTIS, LUCA , 印卡納提米契爾 , INCARNATI, MICHELE
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/16
CPC分类号： G11C7/22 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C2207/2209

5. 发明专利

TW201535407A 非揮發性記憶體裝置中之揮發性記憶體架構及相關控制器审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备中之挥发性内存架构及相关控制器
公开(公告)号：TW201535407A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103133797
申请日：2014-09-29
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：康伐隆尼力艾曼紐 , CONFALONIERI, EMANUELE , 米諾波力狄歐尼西歐 , MINOPOLI, DIONISIO
IPC分类号： G11C7/10 , G06F3/06 , G06F9/06 , G06F12/02 , G06F9/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C2207/104 , G11C2207/2209 , G11C2216/22
摘要：在一些實施例中，一非揮發性記憶體之一暫存器可用於讀取操作且該非揮發性記憶體之另一暫存器可用於程式化操作。例如，可搭配讀取操作使用一NAND快閃記憶體之一快取暫存器，且可搭配程式化操作使用該NAND快閃記憶體之一資料暫存器。根據一些實施例，諸如NAND快閃記憶體裝置之複數個非揮發性記憶體裝置之資料暫存器可實施一管理記憶體裝置中之一分散式揮發性快取(DVC)架構。根據某些實施例，可在暫存器之間移動及/或交換資料以執行該等非揮發性記憶體裝置中之某些操作而不丟失在執行其他操作時儲存之該資料。
简体摘要：在一些实施例中，一非挥发性内存之一寄存器可用于读取操作且该非挥发性内存之另一寄存器可用于进程化操作。例如，可搭配读取操作使用一NAND闪存之一缓存寄存器，且可搭配进程化操作使用该NAND闪存之一数据寄存器。根据一些实施例，诸如NAND闪存设备之复数个非挥发性内存设备之数据寄存器可实施一管理内存设备中之一分佈式挥发性缓存(DVC)架构。根据某些实施例，可在寄存器之间移动及/或交换数据以运行该等非挥发性内存设备中之某些操作而不丢失在运行其他操作时存储之该数据。

6. 发明专利

TWI616884B 自記憶體讀取資料同時將寫入資料傳送至該記憶體之系統及方法有权
简体标题：自内存读取数据同时将写入数据发送至该内存之系统及方法
公开(公告)号：TWI616884B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW103108234
申请日：2014-03-10
申请人：桑迪士克科技有限責任公司 , SANDISK TECHNOLOGIES LLC
发明人：皮泉艾柏黛拉 , PICHEN, ABDULLA
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/32
CPC分类号： G11C16/32 , G06F13/1626 , G11C7/1039 , G11C7/1042 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2207/2209

7. 发明专利

TW201617882A 用於同時存取記憶體之不同記憶體平面之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于同时存取内存之不同内存平面之设备及方法
公开(公告)号：TW201617882A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104125867
申请日：2015-08-07
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：皮克尼西歐多T , PEKNY, THEODORE T. , 朴載官 , PARK, JAE-KWAN , 摩斯奇諾凡歐蘭提 , MOSCHIANO, VIOLANTE , 德薩帝斯魯卡 , DESANTIS, LUCA , 印卡納提米契爾 , INCARNATI, MICHELE
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/16
CPC分类号： G11C7/22 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C2207/2209
摘要：本文中揭示用於對不同記憶體平面執行同時記憶體存取操作之裝置及方法。一實例性裝置可包含具有複數個記憶體平面之一記憶體陣列。該複數個記憶體平面中之每一者包括複數個記憶體胞。該裝置可進一步包含經組態以接收一記憶體命令與位址對群組之一控制器。該記憶體命令與位址對群組中之每一記憶體命令與位址對可係與該複數個記憶體平面中之一各別記憶體平面相關聯。該內部控制器可經組態以同時執行與該記憶體命令與位址對群組中之每一記憶體命令與位址對相關聯的記憶體存取操作，而不論與該群組中之該等對相關聯的頁類型。
简体摘要：本文中揭示用于对不同内存平面运行同时内存存取操作之设备及方法。一实例性设备可包含具有复数个内存平面之一内存数组。该复数个内存平面中之每一者包括复数个内存胞。该设备可进一步包含经组态以接收一内存命令与位址对群组之一控制器。该内存命令与位址对群组中之每一内存命令与位址对可系与该复数个内存平面中之一各别内存平面相关联。该内部控制器可经组态以同时运行与该内存命令与位址对群组中之每一内存命令与位址对相关联的内存存取操作，而不论与该群组中之该等对相关联的页类型。

8. 发明专利

TWI501235B 串列介面記憶體中之並行讀取及寫入記憶體操作有权
简体标题：串行界面内存中之并行读取及写入内存操作
公开(公告)号：TWI501235B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW100137015
申请日：2011-10-12
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：米契尼拉吉安諾 , MIRICHIGNI, GRAZIANO , 維莫卡帝丹尼 , VIMERCATI, DANIELE
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G06F13/24 , G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0683 , G06F12/0253 , G06F2212/702 , G11C5/066 , G11C7/22 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2207/2209 , G11C2216/22

9. 发明专利

TW201447897A 自記憶體讀取資料同時將寫入資料傳送至該記憶體之系統及方法审中-公开
简体标题：自内存读取数据同时将写入数据发送至该内存之系统及方法
公开(公告)号：TW201447897A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108234
申请日：2014-03-10
申请人：桑迪士克科技公司 , SANDISK TECHNOLOGIES INC.
发明人：皮泉艾柏黛拉 , PICHEN, ABDULLA
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/32
CPC分类号： G11C16/32 , G06F13/1626 , G11C7/1039 , G11C7/1042 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2207/2209
摘要：本發明揭示一種資料儲存裝置，該資料儲存裝置包含一記憶體、一控制器及耦合至該記憶體且耦合至該控制器之一通信匯流排。該控制器經組態以經由該通信匯流排將一讀取-寫入命令及寫入資料傳送至該記憶體。該讀取-寫入命令指示待自該記憶體讀取之所請求資料之一位址。該控制器進一步經組態以接收自該記憶體讀取之該所請求資料。經由該通信匯流排傳遞該所請求資料與將該寫入資料儲存至該記憶體中重疊。
简体摘要：本发明揭示一种数据存储设备，该数据存储设备包含一内存、一控制器及耦合至该内存且耦合至该控制器之一通信总线。该控制器经组态以经由该通信总线将一读取-写入命令及写入数据发送至该内存。该读取-写入命令指示待自该内存读取之所请求数据之一位址。该控制器进一步经组态以接收自该内存读取之该所请求数据。经由该通信总线传递该所请求数据与将该写入数据存储至该内存中重叠。

10. 发明专利

TW201222549A 串列介面記憶體中之並行讀取及寫入記憶體操作 CONCURRENT READ AND WRITE MEMORY OPERATIONS IN A SERIAL INTERFACE MEMORY 审中-公开
简体标题：串行界面内存中之并行读取及写入内存操作 CONCURRENT READ AND WRITE MEMORY OPERATIONS IN A SERIAL INTERFACE MEMORY
公开(公告)号：TW201222549A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100137015
申请日：2011-10-12
申请人：美光科技公司
发明人：米契尼拉吉安諾 , 維莫卡帝丹尼
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F13/24 , G06F3/0611 , G06F3/0659 , G06F3/0683 , G06F12/0253 , G06F2212/702 , G11C5/066 , G11C7/22 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2207/2209 , G11C2216/22
摘要：本發明中所揭示之標的物係關於一記憶體裝置之讀取及寫入處理程序。
简体摘要：本发明中所揭示之标的物系关于一内存设备之读取及写入处理进程。

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