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1. 发明专利

TWI529706B 用以檢測頭接觸之資料儲存系統、接觸指示電路及資料處理方法有权
简体标题：用以检测头接触之数据存储系统、接触指示电路及数据处理方法
公开(公告)号：TWI529706B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW099141737
申请日：2010-12-01
申请人：安華高科技通用IP(新加坡)公司 , AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.
发明人：柏格赫立 , BURGER, HARLEY , 費茲吉拉德大衛 , FITZGERALD, DAVID , 布蘭登傑森 , BRENDEN, JASON P. , 庫漢史蒂芬 , KUEHNE, STEPHEN CARL
IPC分类号： G11B20/10 , G11B21/02
CPC分类号： G11B5/02 , G11B5/012 , G11B5/6005 , G11B5/6064

2. 发明专利

TWI353594B 光學近場產生裝置與方法以及資訊記錄與再生裝置 OPTICAL NEAR-FIELD GENERATING APPARATUS AND METHOD AND INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS 失效
简体标题：光学近场产生设备与方法以及信息记录与再生设备 OPTICAL NEAR-FIELD GENERATING APPARATUS AND METHOD AND INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING APPARATUS
公开(公告)号：TWI353594B
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW097101531
申请日：2008-01-15
申请人：新力股份有限公司
发明人：本鄉一泰 , 渡邊哲
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11B5/314 , G11B7/1387 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要：本發明揭示一種光學近場產生裝置，其包括一導電散射器，其基於一由入射光照明產生的表面電漿子而引起一光學近場；及一導電體，其配置於該散射器附近，並產生一由該入射光所照明及由該散射器之表面電漿子所影響的表面電漿子。該導電體之表面電漿子的振盪方向係近似平行於該散射器之表面電漿子的振盪方向，且該導電體之表面電漿子的產生區域存在於偏離以該散射器之表面電漿子之振盪方向延伸之區域的位置中。
简体摘要：本发明揭示一种光学近场产生设备，其包括一导电散射器，其基于一由入射光照明产生的表面等离子子而引起一光学近场；及一导电体，其配置于该散射器附近，并产生一由该入射光所照明及由该散射器之表面等离子子所影响的表面等离子子。该导电体之表面等离子子的振荡方向系近似平行于该散射器之表面等离子子的振荡方向，且该导电体之表面等离子子的产生区域存在于偏离以该散射器之表面等离子子之振荡方向延伸之区域的位置中。

3. 发明专利

TW200919461A 光輔助磁頭裝置、光輔助磁記錄裝置及光輔助磁記錄方法 LIGHT-ASSISTED MAGNETIC HEAD APPARATUS, LIGHT-ASSISTED MAGNETIC RECORDING APPARATUS, AND LIGHT-ASSISTED MAGNETIC RECORDING METHOD 审中-公开
简体标题：光辅助磁头设备、光辅助磁记录设备及光辅助磁记录方法 LIGHT-ASSISTED MAGNETIC HEAD APPARATUS, LIGHT-ASSISTED MAGNETIC RECORDING APPARATUS, AND LIGHT-ASSISTED MAGNETIC RECORDING METHOD
公开(公告)号：TW200919461A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097132401
申请日：2008-08-25
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：小島直人 KOJIMA, NAOTO
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/314 , G11B7/1387 , G11B11/10534 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021
摘要：本發明提供一種光輔助磁頭裝置。該光輔助磁頭裝置包括一聚焦光學系統與一具有一主磁極的薄膜磁頭。該聚焦光學系統包括一半球形或超半球形固態浸沒透鏡。該薄膜磁頭包括一金屬層,其引起該主磁極之一光入射側上的表面電漿子共振。
简体摘要：本发明提供一种光辅助磁头设备。该光辅助磁头设备包括一聚焦光学系统与一具有一主磁极的薄膜磁头。该聚焦光学系统包括一半球形或超半球形固态浸没透镜。该薄膜磁头包括一金属层,其引起该主磁极之一光入射侧上的表面等离子子共振。

4. 发明专利

TW594681B 硬碟機寫頭之過衝控制有权
简体标题：硬盘机写头之过冲控制
公开(公告)号：TW594681B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089128068
申请日：2001-02-07
申请人：德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人：泰派瑞 PATRICK M. TETERUD
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/022 , G11B5/012 , G11B5/02 , G11B5/09 , G11B19/04 , G11B2005/0013
摘要：一種改良的寫頭驅動電路，其包括一個添加至 H橋的底電晶體基底之放電電路，以防止過大的過衝及減幅振盪且容許較高的資料傳輸速率。在頭電壓或電流抵達一過衝條件之後則將放電電路導通。較佳實施例中，放電電路藉由選擇一或多個並聯的驅動電晶體、或改變放電電路中的一可變延遲、或兩變數的任意組合，而包括有可變的放電能力。可利用經由串列控制埠寫入碟機的前置放大器(pre- amp)的一字組來控制兩者。
简体摘要：一种改良的写头驱动电路，其包括一个添加至 H桥的底晶体管基底之放电电路，以防止过大的过冲及减幅振荡且容许较高的数据传输速率。在头电压或电流抵达一过冲条件之后则将放电电路导通。较佳实施例中，放电电路借由选择一或多个并联的驱动晶体管、或改变放电电路中的一可变延迟、或两变量的任意组合，而包括有可变的放电能力。可利用经由串行控制端口写入碟机的前置放大器(pre- amp)的一字组来控制两者。

5. 发明专利

TW477969B 磁性阻抗頭之偏壓電流控制方法與固定磁性記錄裝置及其磁碟失效
简体标题：磁性阻抗头之偏压电流控制方法与固定磁性记录设备及其磁盘
公开(公告)号：TW477969B
公开(公告)日：2002-03-01
申请号：TW089102309
申请日：2000-02-11
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：角川浩一
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/02 , G11B5/012 , G11B5/09 , G11B5/455 , G11B19/04 , G11B20/18 , G11B33/14 , G11B2005/0016 , G11B2005/0018
摘要：本發明之目的促成在固定磁性記錄裝置之動作中可以適當的實行MR頭之偏壓電流之最適化，抑制由於來自該 MR頭之再生信號波形之飽和所造成之非對稱失真，和減低資料讀出時之錯誤率。本發明之固定磁性記錄裝置設有：最適化計測裝置10，在該磁頭構造部1之MR頭每次對磁碟2進行存取時，用來使其MR頭之偏壓電流值最適化藉以實行計測；和微電腦8，用來控制該最適化計測裝置l0，將該MR頭之偏壓電流值更新成為計測到之最適偏壓電流值與加以記憶，將該更新記憶之最適偏壓電流供給到該MR頭之指示輸出。
简体摘要：本发明之目的促成在固定磁性记录设备之动作中可以适当的实行MR头之偏压电流之最适化，抑制由于来自该 MR头之再生信号波形之饱和所造成之非对称失真，和减低数据读出时之错误率。本发明之固定磁性记录设备设有：最适化计测设备10，在该磁头构造部1之MR头每次对磁盘2进行存取时，用来使其MR头之偏压电流值最适化借以实行计测；和微电脑8，用来控制该最适化计测设备l0，将该MR头之偏压电流值更新成为计测到之最适偏压电流值与加以记忆，将该更新记忆之最适偏压电流供给到该MR头之指示输出。

6. 发明专利

TW377435B 磁性記錄播放裝置及磁性記錄播放方法失效
简体标题：磁性记录播放设备及磁性记录播放方法
公开(公告)号：TW377435B
公开(公告)日：1999-12-21
申请号：TW087112556
申请日：1998-07-30
申请人：夏普股份有限公司
发明人：片山博之
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/00 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/488 , G11B5/4886 , G11B13/045 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , G11B2005/0029
摘要：本發明之磁性記錄播放裝置具備有：記錄播放用磁性磁頭(head)，由略為室溫之磁性補償溫度的鐵氧(ferri)磁性材料所構成的垂直磁性記錄層，在形成該垂直磁性記錄層之磁性記錄介質進行記錄播放，磁頭主磁極之較長方向是與上述磁性記錄介質之磁道方向相同，且，是由至少２個以上之並列的單磁極磁頭所構成者；和加溫手段，使上述磁性記錄介質領域之一部分增加溫度，該上述磁性記錄介質領域之一部分是與上述之各單磁極磁頭的主磁極雙向。藉此，多個磁道上之資訊能迴避串音(crosstalk)，且同時，因為不需要磁性磁頭，該磁性磁頭能使記錄用及播放用之單磁極磁頭混合(sysrid)，而能迴避複雜之磁頭製造過程(process)。
简体摘要：本发明之磁性记录播放设备具备有：记录播放用磁性磁头(head)，由略为室温之磁性补偿温度的铁氧(ferri)磁性材料所构成的垂直磁性记录层，在形成该垂直磁性记录层之磁性记录介质进行记录播放，磁头主磁极之较长方向是与上述磁性记录介质之磁道方向相同，且，是由至少２个以上之并列的单磁极磁头所构成者；和加温手段，使上述磁性记录介质领域之一部分增加温度，该上述磁性记录介质领域之一部分是与上述之各单磁极磁头的主磁极双向。借此，多个磁道上之信息能回避串音(crosstalk)，且同时，因为不需要磁性磁头，该磁性磁头能使记录用及播放用之单磁极磁头混合(sysrid)，而能回避复杂之磁头制造过程(process)。

7. 发明专利

TW350165B 有高電源拒斥比之單端電源前置放大器失效
简体标题：有高电源拒斥比之单端电源前置放大器
公开(公告)号：TW350165B
公开(公告)日：1999-01-11
申请号：TW086101897
申请日：1997-02-18
申请人：新力電機股份有限公司
发明人：小路法男
IPC分类号： H03F
CPC分类号： G11B5/02 , G11B5/00 , G11B33/122 , G11B2005/0018 , H03F1/302 , H03F2200/372
摘要：用於磁性介質儲存系統內的單端輸入放大器電路包含用來同時偏壓及放大由磁阻元件產生的訊號的電路。放大器從單端電源接收電力。包含第一電阻器以設定放大器的增益及提供相應於由磁阻元件產生的訊號的輸出訊號。第一反饋電路產生提供至磁阻元件的第一偏壓電流。第一反饋電路包含放大輸出訊號與參考電壓之間的差異的第一互導放大器。第二反饋電路產生提供至磁阻元件的第二偏壓電流。第二反饋電路包含放大參考電壓與從二電阻器之間的結點所取的電壓訊號之間的差異的第二互導放大器。電晶體耦合在接收電路與第一電阻器之間以藉著第一電阻器控制輸出訊號的產生。電晶體由第二互導放大器的輸出及第一電容器控制。第一電阻器，電晶體，及第二反饋電路均參考單端供應電壓以提供增加的電源拒斥比。第二偏壓電流經由二電阻器提供以增加放大器電路的輸出阻抗。
简体摘要：用于磁性介质存储系统内的单端输入放大器电路包含用来同时偏压及放大由磁阻组件产生的信号的电路。放大器从单端电源接收电力。包含第一电阻器以设置放大器的增益及提供相应于由磁阻组件产生的信号的输出信号。第一反馈电路产生提供至磁阻组件的第一偏压电流。第一反馈电路包含放大输出信号与参考电压之间的差异的第一互导放大器。第二反馈电路产生提供至磁阻组件的第二偏压电流。第二反馈电路包含放大参考电压与从二电阻器之间的结点所取的电压信号之间的差异的第二互导放大器。晶体管耦合在接收电路与第一电阻器之间以借着第一电阻器控制输出信号的产生。晶体管由第二互导放大器的输出及第一电容器控制。第一电阻器，晶体管，及第二反馈电路均参考单端供应电压以提供增加的电源拒斥比。第二偏压电流经由二电阻器提供以增加放大器电路的输出阻抗。

8. 发明专利

TW201703030A 斯格明子產生裝置、斯格明子產生方法及磁性記憶裝置审中-公开
简体标题：斯格明子产生设备、斯格明子产生方法及磁性记忆设备
公开(公告)号：TW201703030A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105107130
申请日：2016-03-09
申请人：國立研究開發法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：望月維人 , MOCHIZUKI, MASAHITO
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/65 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/1675 , G11B5/02 , G11B5/65 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/06 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：本發明之目的在於提供能夠降低產生斯格明子時的耗電之斯格明子產生方法。在本發明的斯格明子產生方法中，係一邊對具有手性晶體結構的絕緣性的磁性體12施加來自磁場產生部14的磁場，一邊利用電場產生部16對磁性體12局部性地施加電場。藉此，在磁性體12內部產生斯格明子。磁性體12係較佳為至少局部具有在2nm至300nm的範圍內之厚度的薄膜狀，磁場產生部14係較佳為以大致垂直於磁性體12表面的方式施加磁場。
简体摘要：本发明之目的在于提供能够降低产生斯格明子时的耗电之斯格明子产生方法。在本发明的斯格明子产生方法中，系一边对具有手性晶体结构的绝缘性的磁性体12施加来自磁场产生部14的磁场，一边利用电场产生部16对磁性体12局部性地施加电场。借此，在磁性体12内部产生斯格明子。磁性体12系较佳为至少局部具有在2nm至300nm的范围内之厚度的薄膜状，磁场产生部14系较佳为以大致垂直于磁性体12表面的方式施加磁场。

9. 发明专利

TW201337915A 具有多斜率資料轉換之寫入信號之儲存裝置审中-公开
简体标题：具有多斜率数据转换之写入信号之存储设备
公开(公告)号：TW201337915A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101136383
申请日：2012-10-02
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：麗芙雪茲波瑞絲 , LIVSHITZ, BORIS , 葛立森傑佛瑞A , GLEASON, JEFFREY A. , 高伯格傑森S , GOLDBERG, JASON S. , 莫祖兒保羅 , MAZUR, PAUL , 拉比卡麥隆C , RABE, CAMERON C.
IPC分类号： G11B20/10 , G11B19/02
CPC分类号： G11B20/10009 , G11B5/02
摘要：本發明揭示一種硬碟機或其他基於磁碟之儲存裝置，其包括：一儲存磁碟；一讀取/寫入磁頭，其經組態以自該磁碟讀取資料且將資料寫入至該磁碟；及控制電路，其耦合至該讀取/寫入磁頭或以其他方式與該讀取/寫入磁頭相關聯。該控制電路包括：一寫入驅動器，其經組態以產生一寫入信號用於將資料寫入至該儲存磁碟；及一多斜率轉換控制器，其與該寫入驅動器相關聯且經組態以控制該寫入信號中之一資料轉換以使得該資料轉換包括各自具有一不同斜率之至少兩個不同分段，其中該轉換控制器包括用於該等分段中之每一者之單獨斜率控制機構。以實例方式，該資料轉換可包括具有依序配置於該資料轉換之一起點與一終點之間的第一及第二分段之一雙斜率轉換，其中該第一分段之該斜率大於或小於該第二分段之該斜率。
简体摘要：本发明揭示一种硬盘机或其他基于磁盘之存储设备，其包括：一存储磁盘；一读取/写入磁头，其经组态以自该磁盘读取数据且将数据写入至该磁盘；及控制电路，其耦合至该读取/写入磁头或以其他方式与该读取/写入磁头相关联。该控制电路包括：一写入驱动器，其经组态以产生一写入信号用于将数据写入至该存储磁盘；及一多斜率转换控制器，其与该写入驱动器相关联且经组态以控制该写入信号中之一数据转换以使得该数据转换包括各自具有一不同斜率之至少两个不同分段，其中该转换控制器包括用于该等分段中之每一者之单独斜率控制机构。以实例方式，该数据转换可包括具有依序配置于该数据转换之一起点与一终点之间的第一及第二分段之一双斜率转换，其中该第一分段之该斜率大于或小于该第二分段之该斜率。

10. 发明专利

TW201140565A 用以檢測頭接觸之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTING HEAD CONTACT 审中-公开
简体标题：用以检测头接触之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR DETECTING HEAD CONTACT
公开(公告)号：TW201140565A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099141737
申请日：2010-12-01
申请人： LSI股份有限公司
发明人：柏格赫立 , 費茲吉拉德大衛 , 布蘭登傑森 , 庫漢史蒂芬
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B5/02 , G11B5/012 , G11B5/6005 , G11B5/6064
摘要：本發明之諸多實施例提供判斷與儲存媒體之接觸的系統及方法。舉例而言，揭露一種資料儲存系統，其包括：頭組件及資料處理電路。頭包括頭碟界面感測器，其可操作成提供指示頭及相關於頭而配置的儲存媒體之間的接觸之接觸信號。資料處理電路可操作成處理接觸信號以產生儲存媒體與頭之間的接觸之指示。
简体摘要：本发明之诸多实施例提供判断与存储媒体之接触的系统及方法。举例而言，揭露一种数据存储系统，其包括：头组件及数据处理电路。头包括头碟界面传感器，其可操作成提供指示头及相关于头而配置的存储媒体之间的接触之接触信号。数据处理电路可操作成处理接触信号以产生存储媒体与头之间的接触之指示。

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