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1. 发明专利

TW201426151A 電光調製器审中-公开
简体标题：电光调制器
公开(公告)号：TW201426151A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148292
申请日：2012-12-19
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：黃新舜 , HUANG, HSIN SHUN
IPC分类号： G02F1/225
CPC分类号： G02F1/225 , G02F1/035 , G02F2001/0144
摘要：本發明提供一種電光調製器，其包括一包括一頂面基底、形成於頂面上的一Y型光波導、一地電極、一第一調製電極及一第二調製電極。Y型光波導包括一僅用於傳輸橫電波的第一分支及一與第一分支平行且僅用於傳輸橫磁波的第二分支。基底在頂面形成有一位於第一分支與第二分支之間的第一凹槽、一位於第一分支與第一凹槽相背一側的第二凹槽及一位於第二分支與第一凹槽相背一側的第三凹槽。地電極位於第一分支與第二分支之間並完全覆蓋第一凹槽及第二分支。第一調製電極覆蓋第二凹槽靠近第一分支的側面。第二調製電極僅覆蓋第三凹槽的底面。
简体摘要：本发明提供一种电光调制器，其包括一包括一顶面基底、形成于顶面上的一Y型光波导、一地电极、一第一调制电极及一第二调制电极。Y型光波导包括一仅用于传输横电波的第一分支及一与第一分支平行且仅用于传输横磁波的第二分支。基底在顶面形成有一位于第一分支与第二分支之间的第一凹槽、一位于第一分支与第一凹槽相背一侧的第二凹槽及一位于第二分支与第一凹槽相背一侧的第三凹槽。地电极位于第一分支与第二分支之间并完全覆盖第一凹槽及第二分支。第一调制电极覆盖第二凹槽靠近第一分支的侧面。第二调制电极仅覆盖第三凹槽的底面。

2. 发明专利

TW200405047A 在一半導體基板層之第一及第二波導間切換光束之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR SWITCHING AN OPTICAL BEAM BETWEEN FIRST AND SECOND WAVEGUIDES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE LAYER 失效
简体标题：在一半导体基板层之第一及第二波导间切换光束之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR SWITCHING AN OPTICAL BEAM BETWEEN FIRST AND SECOND WAVEGUIDES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE LAYER
公开(公告)号：TW200405047A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092115102
申请日：2003-06-03
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：瑞瑪斯尼可萊斯庫 REMUS NICOLAESCU
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/126 , G02B6/272 , G02B6/2793 , G02B6/29352 , G02F1/011 , G02F1/0136 , G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0144 , G02F2203/06
摘要：本發明揭示一種光學切換方法及裝置。在本發明之一觀點中，其所揭示之裝置包括處於一半導體基板層內之第一與第二光學波導；在該半導體基板層之一耦合區內，於該等第一與第二光學波導間佈置有一絕緣層以使二者絕緣；而在該耦合區內最靠近該絕緣層處，受調變電荷層被用於控制該等第一與第二光學波導間之光學耦合強度。
简体摘要：本发明揭示一种光学切换方法及设备。在本发明之一观点中，其所揭示之设备包括处于一半导体基板层内之第一与第二光学波导；在该半导体基板层之一耦合区内，于该等第一与第二光学波导间布置有一绝缘层以使二者绝缘；而在该耦合区内最靠近该绝缘层处，受调制电荷层被用于控制该等第一与第二光学波导间之光学耦合强度。

3. 发明专利

TW201421107A 電光調製器审中-公开
简体标题：电光调制器
公开(公告)号：TW201421107A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW101145082
申请日：2012-11-30
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：黃新舜 , HUANG, HSIN SHUN
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/365 , G02F1/035 , G02F1/0353 , G02F2001/0144
摘要：本發明提供一種電光調製器，其包括一個基底、一個Y型光波導、一對條狀的第一電極及一對條狀的第二電極。該基底包括一個頂面。該對Y型光波導自該頂面向該基底內部擴散而成，並包括兩個一個僅用於傳輸橫電波的第一分支及一個僅用於傳輸橫磁波的第二分支。該對第一電極設置於該頂面上，包括分別平行設置該第一分支兩側的一個第一調製電極及一個第一地電極。該對第二電極設置於該頂面上，包括一個覆蓋該第二分支的第二調製電極及一個平行設置於該第二分支一側的第二地電極。如此，可提高資訊傳輸速率。
简体摘要：本发明提供一种电光调制器，其包括一个基底、一个Y型光波导、一对条状的第一电极及一对条状的第二电极。该基底包括一个顶面。该对Y型光波导自该顶面向该基底内部扩散而成，并包括两个一个仅用于传输横电波的第一分支及一个仅用于传输横磁波的第二分支。该对第一电极设置于该顶面上，包括分别平行设置该第一分支两侧的一个第一调制电极及一个第一地电极。该对第二电极设置于该顶面上，包括一个覆盖该第二分支的第二调制电极及一个平行设置于该第二分支一侧的第二地电极。如此，可提高信息传输速率。

4. 发明专利

TWI223109B 在一半導體基板層之第一及第二波導間切換光束之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR SWITCHING AN OPTICAL BEAM BETWEEN FIRST AND SECOND WAVEGUIDES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE LAYER 失效
简体标题：在一半导体基板层之第一及第二波导间切换光束之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR SWITCHING AN OPTICAL BEAM BETWEEN FIRST AND SECOND WAVEGUIDES IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE LAYER
公开(公告)号：TWI223109B
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092115102
申请日：2003-06-03
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：瑞瑪斯尼可萊斯庫 REMUS NICOLAESCU
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/126 , G02B6/272 , G02B6/2793 , G02B6/29352 , G02F1/011 , G02F1/0136 , G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0144 , G02F2203/06
摘要：本發明揭示一種光學切換方法及裝置。在本發明之一觀點中，其所揭示之裝置包括處於一半導體基板層內之第一與第二光學波導；在該半導體基板層之一耦合區內，於該等第一與第二光學波導間佈置有一絕緣層以使二者絕緣；而在該耦合區內最靠近該絕緣層處，受調變電荷層被用於控制該等第一與第二光學波導間之光學耦合強度。
简体摘要：本发明揭示一种光学切换方法及设备。在本发明之一观点中，其所揭示之设备包括处于一半导体基板层内之第一与第二光学波导；在该半导体基板层之一耦合区内，于该等第一与第二光学波导间布置有一绝缘层以使二者绝缘；而在该耦合区内最靠近该绝缘层处，受调制电荷层被用于控制该等第一与第二光学波导间之光学耦合强度。

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