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1. 发明专利

TWI578400B 矽晶圓的熱處理方法有权
简体标题：硅晶圆的热处理方法
公开(公告)号：TWI578400B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103126045
申请日：2014-07-30
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰 , QU, WEI FENG , 田原史夫 , TAHARA, FUMIO
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C30B1/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324

2. 发明专利

TW201523736A 矽晶圓的熱處理方法审中-公开
简体标题：硅晶圆的热处理方法
公开(公告)号：TW201523736A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103126045
申请日：2014-07-30
申请人：信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：曲偉峰 , QU, WEI FENG , 田原史夫 , TAHARA, FUMIO
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C30B1/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
摘要：本發明是一種矽晶圓的熱處理方法，其具有以下步驟：將矽晶圓載置於SiC治具上且放入熱處理爐內的步驟；於熱處理爐內在第一非氧化性氛圍中，對矽晶圓進行熱處理的步驟；降溫到能將矽晶圓從熱處理爐內搬出的溫度為止的步驟；及，將矽晶圓從熱處理爐內搬出的步驟；並且，於降溫步驟中，在降溫到能搬出的溫度後，將第一非氧化性氛圍切換成含氧氛圍，在含氧氛圍中，於SiC治具的表面上形成厚度1~10nm的氧化膜，之後再將含氧氛圍切換成第二非氧化性氛圍。藉此，能提供一種矽晶圓的熱處理方法，此熱處理方法能防止在熱處理步驟中來自於治具和環境的碳污染。
简体摘要：本发明是一种硅晶圆的热处理方法，其具有以下步骤：将硅晶圆载置于SiC治具上且放入热处理炉内的步骤；于热处理炉内在第一非氧化性氛围中，对硅晶圆进行热处理的步骤；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度为止的步骤；及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的步骤；并且，于降温步骤中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性氛围切换成含氧氛围，在含氧氛围中，于SiC治具的表面上形成厚度1~10nm的氧化膜，之后再将含氧氛围切换成第二非氧化性氛围。借此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，此热处理方法能防止在热处理步骤中来自于治具和环境的碳污染。

3. 发明专利

TW201402783A 螢光體、其製造方法、發光裝置及圖像顯示裝置审中-公开
简体标题：萤光体、其制造方法、发光设备及图像显示设备
公开(公告)号：TW201402783A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102119455
申请日：2013-05-31
申请人：獨立行政法人物質材料研究機構 , NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
发明人：廣崎尙登 , HIROSAKI, NAOTO , 武田隆史 , TAKEDA, TAKASHI , 舟橋司朗 , FUNAHASHI, SHIRO
IPC分类号： C09K11/08 , H01L33/50 , H05B33/14 , H01J1/63
CPC分类号： C09K11/7792 , C09K11/7706 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7749 , C09K11/7764 , C30B1/04 , C30B29/34 , F21K9/64 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , H01J11/42 , H01J17/49 , H01J19/57 , H01J29/20 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種螢光體，其係具有與先前不同之發光特性，且即便與470 nm以下之LED組合之情形時，發光強度亦較高，化學性及熱穩定者，其包含無機化合物，該無機化合物含有A元素、D元素及X元素(其中，A係選自Li、Mg、Ca、Sr、Ba之1種或2種以上之元素，D係選自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf之1種或2種以上之元素，X係選自O、N、F之1種或2種以上之元素)，視需要含有E元素(其中，E係選自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La之1種或2種以上之元素)，且於由A3(D,E)8X14所表示之結晶、由Sr3Si8O4N10所表示之結晶、具有與由Sr3Si8O4N10所表示之結晶相同之結晶結構之無機結晶或該等之固溶體結晶中，固溶有M元素(M係選自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb之至少1種)。
简体摘要：一种萤光体，其系具有与先前不同之发光特性，且即便与470 nm以下之LED组合之情形时，发光强度亦较高，化学性及热稳定者，其包含无机化合物，该无机化合物含有A元素、D元素及X元素(其中，A系选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba之1种或2种以上之元素，D系选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf之1种或2种以上之元素，X系选自O、N、F之1种或2种以上之元素)，视需要含有E元素(其中，E系选自B、Al、Ga、In、Sc、Y、La之1种或2种以上之元素)，且于由A3(D,E)8X14所表示之结晶、由Sr3Si8O4N10所表示之结晶、具有与由Sr3Si8O4N10所表示之结晶相同之结晶结构之无机结晶或该等之固溶体结晶中，固溶有M元素(M系选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Yb之至少1种)。

4. 发明专利

TW201614757A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201614757A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104128550
申请日：2015-08-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 鈴木大介 , SUZUKI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/02 , C23C16/22 , C23C16/24 , C30B1/026 , C30B1/04 , C30B29/08 , C30B29/52 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L21/02669
摘要：一種矽或鍺或矽鍺膜之成膜方法，係在被處理體之被處理面上形成膜，其包含以下步驟：(1)收容步驟，將在前述被處理面上具有單晶質的前述被處理體收容於處理室內；(2)供給步驟，將抑制「成膜在前述被處理面上的單晶質之結晶化」的結晶化抑制處理氣體供給至前述處理室內；及(3)成膜步驟，將原料氣體供給至前述處理室內，在前述被處理體之被處理面上形成非晶質膜。
简体摘要：一种硅或锗或硅锗膜之成膜方法，系在被处理体之被处理面上形成膜，其包含以下步骤：(1)收容步骤，将在前述被处理面上具有单晶质的前述被处理体收容于处理室内；(2)供给步骤，将抑制“成膜在前述被处理面上的单晶质之结晶化”的结晶化抑制处理气体供给至前述处理室内；及(3)成膜步骤，将原料气体供给至前述处理室内，在前述被处理体之被处理面上形成非晶质膜。

5. 发明专利

TWI476268B 螢光體、其製造方法、發光裝置及圖像顯示裝置有权
简体标题：萤光体、其制造方法、发光设备及图像显示设备
公开(公告)号：TWI476268B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW102119455
申请日：2013-05-31
申请人：獨立行政法人物質材料研究機構 , NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
发明人：廣崎尙登 , HIROSAKI, NAOTO , 武田隆史 , TAKEDA, TAKASHI , 舟橋司朗 , FUNAHASHI, SHIRO
IPC分类号： C09K11/08 , H01L33/50 , H05B33/14 , H01J1/63
CPC分类号： C09K11/7792 , C09K11/7706 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , C09K11/7749 , C09K11/7764 , C30B1/04 , C30B29/34 , F21K9/64 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , H01J11/42 , H01J17/49 , H01J19/57 , H01J29/20 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

6. 发明专利

TWI569094B 藉由嵌段共聚物之自組裝而在基板上提供微影特徵之方法有权
简体标题：借由嵌段共聚物之自组装而在基板上提供微影特征之方法
公开(公告)号：TWI569094B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104117032
申请日：2015-05-27
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：威斯特珊德弗瑞德瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 裘寧克安德烈伯納德斯 , JEUNINK, ANDRE BERNARDUS , 彼得斯愛蜜麗 , PEETERS, EMIEL
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/76816 , B81C1/00031 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , C09K13/00 , C30B1/04 , C30B29/58 , G03F7/0002 , G03F7/0041 , G03F7/2004 , G03F7/3021 , G03F7/70375 , H01L21/0271 , H01L21/3083 , H01L21/76829

7. 发明专利

TW201608333A 藉由嵌段共聚物之自組裝而在基板上提供微影特徵之方法审中-公开
简体标题：借由嵌段共聚物之自组装而在基板上提供微影特征之方法
公开(公告)号：TW201608333A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104117032
申请日：2015-05-27
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：威斯特珊德弗瑞德瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK , 裘寧克安德烈伯納德斯 , JEUNINK, ANDRE BERNARDUS , 彼得斯愛蜜麗 , PEETERS, EMIEL
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/76816 , B81C1/00031 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , C09K13/00 , C30B1/04 , C30B29/58 , G03F7/0002 , G03F7/0041 , G03F7/2004 , G03F7/3021 , G03F7/70375 , H01L21/0271 , H01L21/3083 , H01L21/76829
摘要：一種形成至少一微影特徵之方法，該方法包含：將至少一微影凹座提供於一基板上，該或每一微影凹座包含側壁及一基座，其中該等側壁在其間具有一寬度；將具有第一嵌段及第二嵌段之一可自組裝嵌段共聚物提供於該或每一微影凹座中；使該可自組裝嵌段共聚物在該或每一微影凹座內自組裝成一有序層，該有序層至少包含第一嵌段之一第一域及第二嵌段之一第二域；使該可自組裝嵌段共聚物以一定向方式交聯；及選擇性地移除該第一域以在該或每一微影凹座內形成包含該第二域之微影特徵。
简体摘要：一种形成至少一微影特征之方法，该方法包含：将至少一微影凹座提供于一基板上，该或每一微影凹座包含侧壁及一基座，其中该等侧壁在其间具有一宽度；将具有第一嵌段及第二嵌段之一可自组装嵌段共聚物提供于该或每一微影凹座中；使该可自组装嵌段共聚物在该或每一微影凹座内自组装成一有序层，该有序层至少包含第一嵌段之一第一域及第二嵌段之一第二域；使该可自组装嵌段共聚物以一定向方式交联；及选择性地移除该第一域以在该或每一微影凹座内形成包含该第二域之微影特征。

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