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1. 发明专利

TWI373791B 近接式沉積 PROXIMITY DEPOSITION 有权
简体标题：近接式沉积 PROXIMITY DEPOSITION
公开(公告)号：TWI373791B
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW093111336
申请日：2004-04-23
申请人： FEI公司
发明人：克瑞格馬修亨利 , 洪量 , 強森哈里森亞加法 , 亨利里賽克 , 約翰安東尼諾特四世
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/487 , H01J37/3178 , H01J2237/3142 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31744
摘要：本發明揭示一種用以使用帶電粒子(例如，離子、電子)或光束用來產生二次電子以引起一氣體沉積材料中之沉積從而獲得實質上無損害材料沉積之方法。除可作其他使用之外，該等方法之一些方法可用於以令人滿意之輸出在一半導體特徵上沉積一保護層而不明顯改變該特徵，從而保留該特徵以作精確測量。在一項具體實施例中，將該光束導向鄰接目標表面但非在該目標表面內之一電子源表面上。在該電子源表面上掃描該光束而使得從該電子源表面發射二次電子，而且該等二次電子進入該目標表面上之區域以與沉積氣體相互作用以用於將一所需數量之材料沉積至該目標表面上。以此方式，可以一合適的高速率將材料沉積至該目標表面上而不必將該目標表面本身曝露於用來實行該材料沉積之光束。在另一項具體實施例中，將該光束導向最近接該目標表面之一分離電子產生表面(較佳係具有一相對較高之二次電子發射係數之一表面)上以用於產生該等電子以將該沉積材料沉積至該目標表面上。
简体摘要：本发明揭示一种用以使用带电粒子(例如，离子、电子)或光束用来产生二次电子以引起一气体沉积材料中之沉积从而获得实质上无损害材料沉积之方法。除可作其他使用之外，该等方法之一些方法可用于以令人满意之输出在一半导体特征上沉积一保护层而不明显改变该特征，从而保留该特征以作精确测量。在一项具体实施例中，将该光束导向邻接目标表面但非在该目标表面内之一电子源表面上。在该电子源表面上扫描该光束而使得从该电子源表面发射二次电子，而且该等二次电子进入该目标表面上之区域以与沉积气体相互作用以用于将一所需数量之材料沉积至该目标表面上。以此方式，可以一合适的高速率将材料沉积至该目标表面上而不必将该目标表面本身曝露于用来实行该材料沉积之光束。在另一项具体实施例中，将该光束导向最近接该目标表面之一分离电子产生表面(较佳系具有一相对较高之二次电子发射系数之一表面)上以用于产生该等电子以将该沉积材料沉积至该目标表面上。

2. 发明专利

TW201321755A 無線式熱氣泡式加速儀及其製備方法审中-公开
简体标题：无线式热气泡式加速仪及其制备方法
公开(公告)号：TW201321755A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100143669
申请日：2011-11-29
申请人：中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
发明人：林君明 , LIN, JIUM MING
IPC分类号： G01P15/18 , G01P21/00
CPC分类号： G01P15/008 , B32B37/12 , C23C16/487 , C23C16/56 , Y10T29/49002 , Y10T156/10
摘要：一種熱氣泡式加速儀包含一第一絕熱基板、一電路、一第一加速度感測裝置，以及一第一支撐層。電路形成於第一絕熱基板上。第一加速度感測裝置耦接該電路，且包含兩個第一溫度感測元件和設置於該兩個第一溫度感測元件之間之一第一加熱器。第一支撐層附著於第一絕熱基板，並支撐該些第一溫度感測元件及該些第一加熱器。
简体摘要：一种热气泡式加速仪包含一第一绝热基板、一电路、一第一加速度传感设备，以及一第一支撑层。电路形成于第一绝热基板上。第一加速度传感设备耦接该电路，且包含两个第一温度传感组件和设置于该两个第一温度传感组件之间之一第一加热器。第一支撑层附着于第一绝热基板，并支撑该些第一温度传感组件及该些第一加热器。

3. 发明专利

TW201600451A 使用柔性膜遮罩進行奈米製造之方法及設備审中-公开
简体标题：使用柔性膜遮罩进行奈米制造之方法及设备
公开(公告)号：TW201600451A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103138938
申请日：2014-11-10
申请人：麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：英洛德德克羅伯特 , ENGLUND, DIRK ROBERT , 班恩伊格 , BAYN, IGAL , 李羅洲 , LI, LUOZHOU
IPC分类号： B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC分类号： G03F1/62 , C01B32/28 , C09K13/00 , C23C14/58 , C23C16/483 , C23C16/486 , C23C16/487 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J2237/31706
摘要：一種用於非習知基板上之奈米製造的設備包括：一圖案化柔性膜，其機械耦接至膜支撐結構；一基板支撐結構，其接收用於處理之基板；以及一致動器，其調整該柔性膜與該基板之間的距離。習知及非習知基板上之奈米製造可藉由如下方式達成：使用轉移探針或非黏附片板將一預成形之圖案化柔性膜轉移至該基板上，接著經由該圖案化柔性膜照射該基板，以便將該柔性膜上之該圖案轉移至該基板中或轉移出該基板。該等設備及方法允許金剛石光子晶體、光纖積體光子器件以及金剛石中之氮空位(NV)中心之製造。
简体摘要：一种用于非习知基板上之奈米制造的设备包括：一图案化柔性膜，其机械耦接至膜支撑结构；一基板支撑结构，其接收用于处理之基板；以及一致动器，其调整该柔性膜与该基板之间的距离。习知及非习知基板上之奈米制造可借由如下方式达成：使用转移探针或非黏附片板将一预成形之图案化柔性膜转移至该基板上，接着经由该图案化柔性膜照射该基板，以便将该柔性膜上之该图案转移至该基板中或转移出该基板。该等设备及方法允许金刚石光子晶体、光纤积体光子器件以及金刚石中之氮空位(NV)中心之制造。

4. 发明专利

TWI472644B 電子束誘發沈積傳導材料之方法有权
简体标题：电子束诱发沉积传导材料之方法
公开(公告)号：TWI472644B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW098127217
申请日：2009-08-13
申请人：卡爾塞斯半導體計量系統有限公司 , CARL ZEISS SMS GMBH
发明人：奧斯妮可 , AUTH, NICOLE , 史派斯派翠 , SPIES, PETRA , 貝克瑞納 , BECKER, RAINER , 霍夫曼松斯頓 , HOFMANN, THORSTEN , 艾汀格克勞斯 , EDINGER, KLAUS
IPC分类号： C23C16/452
CPC分类号： C23C16/487 , C23C16/047 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76892 , H01L21/76898

5. 发明专利

TW201020337A 電子束誘發沈積傳導材料之方法 A METHOD FOR ELECTRON BEAM INDUCED DEPOSITION OF CONDUCTING MATERIAL 审中-公开
简体标题：电子束诱发沉积传导材料之方法 A METHOD FOR ELECTRON BEAM INDUCED DEPOSITION OF CONDUCTING MATERIAL
公开(公告)号：TW201020337A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098127217
申请日：2009-08-13
申请人：奈華科技有限公司
发明人：奧斯妮可 , 史派斯派翠 , 貝克瑞納 , 霍夫曼松斯頓 , 艾汀格克勞斯
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/487 , C23C16/047 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76879 , H01L21/76892 , H01L21/76898
摘要：本發明有關一種自金屬羰基電子束誘發沈積導電材料之方法,該方法步驟為:在一基板之一位置處提供至少一電子束,以一第一溫度儲存至少一金屬羰基,及在該至少一電子束衝擊在該基板之該位置處提供該至少一金屬羰基之前,將其加熱至至少一第二溫度。
简体摘要：本发明有关一种自金属羰基电子束诱发沉积导电材料之方法,该方法步骤为:在一基板之一位置处提供至少一电子束,以一第一温度存储至少一金属羰基,及在该至少一电子束冲击在该基板之该位置处提供该至少一金属羰基之前,将其加热至至少一第二温度。

6. 发明专利

TWI619671B 使用柔性膜遮罩進行奈米製造之方法及設備有权
简体标题：使用柔性膜遮罩进行奈米制造之方法及设备
公开(公告)号：TWI619671B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103138938
申请日：2014-11-10
申请人：麻省理工學院 , MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人：英洛德德克羅伯特 , ENGLUND, DIRK ROBERT , 班恩伊格 , BAYN, IGAL , 李羅洲 , LI, LUOZHOU
IPC分类号： B82Y20/00 , B82Y40/00
CPC分类号： G03F1/62 , C01B32/28 , C09K13/00 , C23C14/58 , C23C16/483 , C23C16/486 , C23C16/487 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J2237/31706

7. 发明专利

TWI456201B 無線式熱氣泡式加速儀及其製備方法有权
简体标题：无线式热气泡式加速仪及其制备方法
公开(公告)号：TWI456201B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100143669
申请日：2011-11-29
申请人：中華大學 , CHUNG HUA UNIVERSITY
发明人：林君明 , LIN, JIUM MING
IPC分类号： G01P15/18 , G01P21/00
CPC分类号： G01P15/008 , B32B37/12 , C23C16/487 , C23C16/56 , Y10T29/49002 , Y10T156/10

8. 发明专利

TW200624590A 利用電子迴旋共振化學氣相沉積及電子束的薄膜狀聚合體金屬薄膜形成裝置及其處理方法 CONTINUOUS METAL THIN LAYER DEPOSITING APPARATUS FOR FILM SHAPE OF POLYMER AND CONTINUOUS METAL THIN LAYER DEPOSITING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：利用电子回旋共振化学气相沉积及电子束的薄膜状聚合体金属薄膜形成设备及其处理方法 CONTINUOUS METAL THIN LAYER DEPOSITING APPARATUS FOR FILM SHAPE OF POLYMER AND CONTINUOUS METAL THIN LAYER DEPOSITING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200624590A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW095100004
申请日：2006-01-02
申请人：金順玉 KIM, SOON-OK
发明人：金順玉 KIM, SOON-OK
IPC分类号： C23C , H05H
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/0245 , C23C16/0263 , C23C16/452 , C23C16/487 , C23C16/515
摘要：本發明涉及一種在薄膜狀聚合體表面形成金屬薄膜的裝置及其處理方法，特別是一種能夠離子化有機金屬化合物，調節其離子活動距離，以形成粘附性良好、且具有高度均勻性的金屬薄膜的薄膜狀聚合體金屬薄膜形成裝置及其處理方法。本發明裝置包括：處理室，其內部可形成密閉空間；主輥，其配置在所述處理室的中央，用於使薄膜狀聚合體圍繞其外周面移動；高頻電源供應裝置，用於供給高頻電源，以在所述處理室內部產生等離子；電子迴旋共振源供應裝置，用於向所述處理室內部提供電子迴旋共振源；柵極部，其與所述主輥隔開一定距離，並圍繞該主輥，用於聚集離子；真空泵，用於減壓所述處理室內部氣壓，使所述處理室內部成為真空狀態。
简体摘要：本发明涉及一种在薄膜状聚合体表面形成金属薄膜的设备及其处理方法，特别是一种能够离子化有机金属化合物，调节其离子活动距离，以形成粘附性良好、且具有高度均匀性的金属薄膜的薄膜状聚合体金属薄膜形成设备及其处理方法。本发明设备包括：处理室，其内部可形成密闭空间；主辊，其配置在所述处理室的中央，用于使薄膜状聚合体围绕其外周面移动；高频电源供应设备，用于供给高频电源，以在所述处理室内部产生等离子；电子回旋共振源供应设备，用于向所述处理室内部提供电子回旋共振源；栅极部，其与所述主辊隔开一定距离，并围绕该主辊，用于聚集离子；真空泵，用于减压所述处理室内部气压，使所述处理室内部成为真空状态。

9. 发明专利

TW200509219A 近接式沉積 PROXIMITY DEPOSITION 审中-公开
简体标题：近接式沉积 PROXIMITY DEPOSITION
公开(公告)号：TW200509219A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093111336
申请日：2004-04-23
申请人： FEI公司 FEI COMPANY
发明人：克瑞格馬修亨利 HENRY, CRAIG MATTHEW , 洪量 HONG, LIANG , 强森哈里森亞加法 ARJAVAC, JASON HARRISON , 亨利里賽克 LEZEC, HENRI , 約翰安東尼諾特四世 NOTTE, JOHN ANTHOY, IV
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/486 , C23C16/047 , C23C16/487 , H01J37/3178 , H01J2237/3142 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31744
摘要：本發明揭示一種用以使用帶電粒子(例如，離子、電子)或光束用來產生二次電子以引起一氣體沉積材料中之沉積從而獲得實質上無損害材料沉積之方法。除可作其他使用之外，該等方法之一些方法可用於以令人滿意之輸出在一半導體特徵上沉積一保護層而不明顯改變該特徵，從而保留該特徵以作精確測量。在一項具體實施例中，將該光束導向鄰接目標表面但非在該目標表面內之一電子源表面上。在該電子源表面上掃描該光束而使得從該電子源表面發射二次電子，而且該等二次電子進入該目標表面上之區域以與沉積氣體相互作用以用於將一所需數量之材料沉積至該目標表面上。以此方式，可以一合適的高速率將材料沉積至該目標表面上而不必將該目標表面本身曝露於用來實行該材料沉積之光束。在另一項具體實施例中，將該光束導向最近接該目標表面之一分離電子產生表面(較佳係具有一相對較高之二次電子發射係數之一表面)上以用於產生該等電子以將該沉積材料沉積至該目標表面上。
简体摘要：本发明揭示一种用以使用带电粒子(例如，离子、电子)或光束用来产生二次电子以引起一气体沉积材料中之沉积从而获得实质上无损害材料沉积之方法。除可作其他使用之外，该等方法之一些方法可用于以令人满意之输出在一半导体特征上沉积一保护层而不明显改变该特征，从而保留该特征以作精确测量。在一项具体实施例中，将该光束导向邻接目标表面但非在该目标表面内之一电子源表面上。在该电子源表面上扫描该光束而使得从该电子源表面发射二次电子，而且该等二次电子进入该目标表面上之区域以与沉积气体相互作用以用于将一所需数量之材料沉积至该目标表面上。以此方式，可以一合适的高速率将材料沉积至该目标表面上而不必将该目标表面本身曝露于用来实行该材料沉积之光束。在另一项具体实施例中，将该光束导向最近接该目标表面之一分离电子产生表面(较佳系具有一相对较高之二次电子发射系数之一表面)上以用于产生该等电子以将该沉积材料沉积至该目标表面上。

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