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1. 发明专利

TWI328603B 磷光或發光共軛聚合物，及其於電致發光裝置之應用 PHOSPHORESCENT OR LUMINESCENT CONJUGATED POLYMERS AND THE USE THEREOF IN ELECTROLUMINESCENT ARRANGEMENTS 失效
简体标题：磷光或发光共轭聚合物，及其于电致发光设备之应用 PHOSPHORESCENT OR LUMINESCENT CONJUGATED POLYMERS AND THE USE THEREOF IN ELECTROLUMINESCENT ARRANGEMENTS
公开(公告)号：TWI328603B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW092114971
申请日：2003-06-03
申请人： H C 史達克有限公司
发明人：馬得克 , 何莫特 , 魏羅夫 , 安德斯 , 陸特耳 , 沙特
IPC分类号： C09K , C08G , H05B
CPC分类号： H01L51/0084 , C08G61/02 , C08G2261/1526 , C08G2261/1624 , C08G2261/374 , C08G2261/5242 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1458 , C09K2211/1466 , C09K2211/1491 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0079 , H01L51/0085 , H01L51/5016
摘要：本發明係有關於發磷光或發光共軛聚合物，其發光係基於共價鍵結金屬錯合物之磷光，選擇地併合聚合物鏈之螢光，其製備方法，及其於電致發光裝置之應用。
简体摘要：本发明系有关于发磷光或发光共轭聚合物，其发光系基于共价键结金属错合物之磷光，选择地并合聚合物链之萤光，其制备方法，及其于电致发光设备之应用。

2. 发明专利

TW201008983A 含金屬錯合物殘基之高分子化合物及使用該化合物而成之元件 POLYMER COMPOUND COMPRISING METAL COMPLEX RESIDUE AND DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：含金属错合物残基之高分子化合物及使用该化合物而成之组件 POLYMER COMPOUND COMPRISING METAL COMPLEX RESIDUE AND DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW201008983A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098120964
申请日：2009-06-23
申请人：住友化學股份有限公司 , 薩美甚股份有限公司
发明人：秋野喜彥 , 岡村玲
IPC分类号： C08G , C09K , C08J , H01L , C07F , C07D
CPC分类号： H01L51/0085 , C07D401/04 , C07D401/14 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G2261/149 , C08G2261/1526 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/411 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/5016 , H05B33/14
摘要：本發明係關於一種高分子化合物，其含有下述式(1)所示之金屬錯合物之殘基、以及2價基：
(式中，M表示釕、銠、鈀、鋨、銥或鉑之金屬原子；R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 及R 8 各自獨立地表示氫原子、鹵原子、烷基等，m為1至3之整數，n為0至2之整數；Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 各自獨立地表示碳原子或氮原子，惟Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 中至少有2個為氮原子；當Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 中任一者為碳原子時，結合於該碳原子之氫原子可經取代基取代；式(1)中，下述式(2)所示之部分係表示單陰離子性之雙牙配位基；R x 及R y 為結合於金屬原子M之原子，各自獨立地表示碳原子、氧原子或氮原子)。
简体摘要：本发明系关于一种高分子化合物，其含有下述式(1)所示之金属错合物之残基、以及2价基： (式中，M表示钌、铑、钯、锇、铱或铂之金属原子；R 1 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 、R 6 及R 8 各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基等，m为1至3之整数，n为0至2之整数；Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 各自独立地表示碳原子或氮原子，惟Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 中至少有2个为氮原子；当Z 1 、Z 2 、Z 3 、Z 4 及Z 5 中任一者为碳原子时，结合于该碳原子之氢原子可经取代基取代；式(1)中，下述式(2)所示之部分系表示单阴离子性之双牙配位基；R x 及R y 为结合于金属原子M之原子，各自独立地表示碳原子、氧原子或氮原子)。

3. 发明专利

TW201132670A 用於光電裝置之聚合物 POLYMER FOR OPTOELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：用于光电设备之聚合物 POLYMER FOR OPTOELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW201132670A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099138727
申请日：2010-11-10
申请人：奇異電器公司
发明人：葉青 , 劉杰 , 奇查克凱力史考特
IPC分类号： C08G , H01L
CPC分类号： H01L51/0035 , C08G61/12 , C08G73/026 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/1526 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/411 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H05B33/14
摘要：本發明係關於一種適用於光電裝置之聚合物，其包含如下式I之結構單元：
I；其中R 1 在各次出現時獨立地為C1-C20脂族基團、C3-C20芳族基團、或C3-C20環脂族基團；a在各次出現時獨立地為0至4之整數；Ar 1 為芳基或雜芳基；Ar 2 為茀；R 2 為伸烷基、經取代之伸烷基、氧雜伸烷基、CO、或CO2；R 3 、R 4 及R 5 獨立地為氫、烷基、烷氧基、烷基芳基、芳基、芳烷基、雜芳基、經取代之烷基；經取代之烷氧基、經取代之烷基芳基、經取代之芳基、經取代之芳烷基、或經取代之雜芳基；且L係衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基異喹啉、二苯并喹喏啉、茀基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并噁唑))、2-苯基苯并噁唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亞胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其組合。
简体摘要：本发明系关于一种适用于光电设备之聚合物，其包含如下式I之结构单元： I；其中R 1 在各次出现时独立地为C1-C20脂族基团、C3-C20芳族基团、或C3-C20环脂族基团；a在各次出现时独立地为0至4之整数；Ar 1 为芳基或杂芳基；Ar 2 为茀；R 2 为伸烷基、经取代之伸烷基、氧杂伸烷基、CO、或CO2；R 3 、R 4 及R 5 独立地为氢、烷基、烷氧基、烷基芳基、芳基、芳烷基、杂芳基、经取代之烷基；经取代之烷氧基、经取代之烷基芳基、经取代之芳基、经取代之芳烷基、或经取代之杂芳基；且L系衍生自苯基吡啶、甲苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、苯基异喹啉、二苯并喹喏啉、茀基吡啶、酮基吡咯、2-(1-萘基)苯并恶唑))、2-苯基苯并恶唑、2-苯基苯并噻唑、香豆素、噻吩基吡啶、苯基吡啶、苯并噻吩基吡啶、3-甲氧基-2-苯基吡啶、噻吩基吡啶、苯基亚胺、乙烯基吡啶、吡啶基萘、吡啶基吡咯、吡啶基咪唑、苯基吲哚、其衍生物或其组合。

4. 发明专利

TW200932751A 具有在側鏈之銥錯合物及激子傳輸基團之以降烯為基礎的共聚物及其用途 NORBORNENE-BASED COPOLYMERS WITH IRIDIUM COMPLEXES AND EXITON TRANSPORT GROUPS IN THEIR SIDE-CHAINS AND USE THEREOF 审中-公开
简体标题：具有在侧链之铱错合物及激子传输基团之以降烯为基础的共聚物及其用途 NORBORNENE-BASED COPOLYMERS WITH IRIDIUM COMPLEXES AND EXITON TRANSPORT GROUPS IN THEIR SIDE-CHAINS AND USE THEREOF
公开(公告)号：TW200932751A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097131418
申请日：2008-08-18
申请人：喬治亞科技研究公司 GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION
发明人：基攸諾克艾爾培 KIMYONOK, ALPAY , 多門克班諾伊特 DOMERCQ, BENOIT , 候迪安卓斯 HALDI, ANDREAS , 裘堅揚 CHO, JIAN YANG , 卡利斯約瑟芬R CARLISE, JOSEPH R. , 王祥勇 WANG, XIAN-YONG , 海登勞倫E HAYDEN, LAUREN E. , 瓊斯西蒙C JONES, SIMON C. , 巴洛史蒂芬 BARLOW, STEPHEN , 馬德塞斯R MARDER, SETH R. , 其坡倫伯納德 KIPPELEN, BERNARD , 維克馬可斯 WECK, MARCUS
IPC分类号： C07F , C08G , C07D , C09K , H01L , H05B
CPC分类号： H01L51/0085 , C07F15/0033 , C08F220/30 , C08F220/36 , C08F232/08 , C08F238/02 , C08G2261/1526 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08G2261/5242 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1092 , C09K2211/185 , H01L51/0003 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5016
摘要：本發明描述出一種具有銥錯合物的化合物及由彼製得之聚(降烯)。本發明亦描述出一種製造該化合物及聚(降烯)的方法。於本文進一步揭示出使用此共價接附至電洞傳輸材料(諸如,2,7-二(唑-9-基)茀型式宿主化合物)的聚(降烯)之發光二極體。
简体摘要：本发明描述出一种具有铱错合物的化合物及由彼制得之聚(降烯)。本发明亦描述出一种制造该化合物及聚(降烯)的方法。于本文进一步揭示出使用此共价接附至电洞传输材料(诸如,2,7-二(唑-9-基)茀型式宿主化合物)的聚(降烯)之发光二极管。

5. 发明专利

TWI306891B 高分子發光物質及使用該高分子發光物質之聚合物發光裝置 POLYMERIC LIGHT EMITTING SUBSTANCE AND POLYMER LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME 有权
简体标题：高分子发光物质及使用该高分子发光物质之聚合物发光设备 POLYMERIC LIGHT EMITTING SUBSTANCE AND POLYMER LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI306891B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW091105399
申请日：2002-03-21
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD.
发明人：池平秀行 HIDEYUKI IKEHIRA , 上岡隆宏 TAKAHIRO UEOKA , 土居秀二 SHUJI DOI , 栗田靖之 YASUYUKI KURITA
IPC分类号： C09K , H05B
CPC分类号： H01L51/0039 , C08G61/02 , C08G61/122 , C08G2261/1526 , C08G2261/312 , C08G2261/3422 , C08G2261/5242 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1037 , C09K2211/1092 , C09K2211/1408 , C09K2211/1425 , C09K2211/182 , C09K2211/185 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0059 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/0088 , H01L51/0089 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , Y10T428/10 , Y10T428/1352
摘要：本發明乃有關一種高分子發光物質,其具有103至108之聚苯乙烯折合數量平均分子量,其中此發光物質於主鏈或側鏈具有顯現自三重激發態發光之金屬錯合物結構,及該物質利用工業上簡單之塗佈法,例如旋轉塗覆法、噴墨法、印刷法等,即可形成發光層。
简体摘要：本发明乃有关一种高分子发光物质,其具有103至108之聚苯乙烯折合数量平均分子量,其中此发光物质于主链或侧链具有显现自三重激发态发光之金属错合物结构,及该物质利用工业上简单之涂布法,例如旋转涂覆法、喷墨法、印刷法等,即可形成发光层。

7. 发明专利

TWI496809B 用於光電裝置之聚合物有权
简体标题：用于光电设备之聚合物
公开(公告)号：TWI496809B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW099138727
申请日：2010-11-10
申请人：奇異電器公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人：葉青 , YE, QING , 劉杰 , LIU, JIE , 奇查克凱力史考特 , CHICHAK, KELLY SCOTT
IPC分类号： C08G61/12 , C08G73/02 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/0035 , C08G61/12 , C08G73/026 , C08G2261/1424 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/1526 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/411 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , C09K2211/185 , H01L51/5012 , H05B33/14

8. 发明专利

TW201313774A 發光聚合物及裝置审中-公开
简体标题：发光聚合物及设备
公开(公告)号：TW201313774A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101128309
申请日：2012-08-06
申请人：劍橋顯示科技有限公司 , CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED , 住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD.
发明人：亨弗里馬汀J , HUMPHRIES, MARTIN J. , 布納蓋托許登 , BUENNAGEL, TORSTEN
IPC分类号： C08G61/12 , C09K11/06 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/0085 , C08G61/12 , C08G2261/146 , C08G2261/1526 , C08G2261/1624 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/411 , C08G2261/5242 , C08G2261/95 , C09K11/06 , C09K2211/1433 , C09K2211/1466 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/504 , H05B33/14
摘要：本發明係關於一種聚合物，其包含單元α、β、γ及δ，其中：單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在且係視情況經取代之伸芳基；單元β係以1莫耳%至30莫耳%存在且係包含視情況經取代之茀之單元；單元γ係以1莫耳%至40莫耳%存在且包含經芳基取代之氮或視情況經取代之三；單元δ係以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含銥錯合物；及若α、β、γ及δ之和小於100莫耳%，視情況最多20莫耳%之其他單元。
简体摘要：本发明系关于一种聚合物，其包含单元α、β、γ及δ，其中：单元α系以30莫耳%至60莫耳%存在且系视情况经取代之伸芳基；单元β系以1莫耳%至30莫耳%存在且系包含视情况经取代之茀之单元；单元γ系以1莫耳%至40莫耳%存在且包含经芳基取代之氮或视情况经取代之三；单元δ系以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含铱错合物；及若α、β、γ及δ之和小于100莫耳%，视情况最多20莫耳%之其他单元。

9. 发明专利

TW200613514A 高分子發光材料及有機發光元件审中-公开
简体标题：高分子发光材料及有机发光组件
公开(公告)号：TW200613514A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094116138
申请日：2005-05-18
申请人：昭和電工股份有限公司 SHOWA DENKO K. K.
发明人：高橋良明 TAKAHASHI, YOSHIAKI , 加藤剛 KATOH, TSUYOSHI , 迫勘治郎 SAKO, KANJIRO
IPC分类号： C09K , C07F , C08F , H05B
CPC分类号： H01L51/004 , C08G2261/1526 , C08G2261/5242 , C09K2211/185 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , Y10T428/31855
摘要：本發明係提供令具有式(2)094116138-p01.bmp〔式中記號之定義為如說明書記載〕所示之聚合性雙鍵結合至形成芳香環之一個碳原子之取代基的聚合性化合物，經由進行一種以上(共)聚合所得的高分子材料，聚合性化合物之至少一者為由下述式(1)094116138-p02.bmp〔式中記號之定義為如說明書記載〕所示之銥錯合物所構成，為發光效率高且成膜特性良好，適於大面積化，量產化的高分子發光材料，於發光層中含有此有機高分子發光元件材料的有機高分子發光元件，使用此發光元件的面發光光源及影像顯示裝置。
简体摘要：本发明系提供令具有式(2)094116138-p01.bmp〔式中记号之定义为如说明书记载〕所示之聚合性双键结合至形成芳香环之一个碳原子之取代基的聚合性化合物，经由进行一种以上(共)聚合所得的高分子材料，聚合性化合物之至少一者为由下述式(1)094116138-p02.bmp〔式中记号之定义为如说明书记载〕所示之铱错合物所构成，为发光效率高且成膜特性良好，适于大面积化，量产化的高分子发光材料，于发光层中含有此有机高分子发光组件材料的有机高分子发光组件，使用此发光组件的面发光光源及影像显示设备。

10. 发明专利

TW201605967A 材料、組合物及方法审中-公开
简体标题：材料、组合物及方法
公开(公告)号：TW201605967A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104122457
申请日：2015-07-09
申请人：劍橋顯示科技有限公司 , CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED , 住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD.
发明人：皮洛強納森 , PILLOW, JONATHAN , 亨弗里馬汀 , HUMPHRIES, MARTIN , 佩京頓露絲 , PEGINGTON, RUTH , 波瑟佛洛倫斯 , BOURCET, FLORENCE , 赫雷巴約奈克 , HLEBA, YONEK , 庫克勒湯瑪斯 , KUGLER, THOMAS , 祖貝理席納 , ZUBERI, SHEENA
IPC分类号： C08L65/00 , C08G61/02 , C08G61/12 , C07C13/567 , C07C13/605 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0039 , C07C13/567 , C07C2102/42 , C07C2103/18 , C08G61/122 , C08G61/128 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/1526 , C08G2261/18 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/95 , C09K11/06 , H01L51/0003 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0058 , H01L51/5056
摘要：本發明係關於一種組合物，其包括經至少一個式(I)之基團取代之第一材料及經至少一個選自式(IIa)及(IIb)之群之基團取代之第二材料：其中：Sp1及Sp2係間隔基團；NB在每次出現時獨立地係可未經取代或經一或多個取代基取代之降冰片烯基團；n1及n2係0或1；若n1係0則m1係1及若n1係1則m1係至少1；若n2係0則m2係1及若n2係1則m2係至少1；Ar1表示芳基或雜芳基；R1在每次出現時獨立地係H或取代基；及*表示附接至該第一或第二材料之附接點。該組合物可用以形成有機電子裝置之層，例如，有機發光裝置之電洞傳輸層。
简体摘要：本发明系关于一种组合物，其包括经至少一个式(I)之基团取代之第一材料及经至少一个选自式(IIa)及(IIb)之群之基团取代之第二材料：其中：Sp1及Sp2系间隔基团；NB在每次出现时独立地系可未经取代或经一或多个取代基取代之降冰片烯基团；n1及n2系0或1；若n1系0则m1系1及若n1系1则m1系至少1；若n2系0则m2系1及若n2系1则m2系至少1；Ar1表示芳基或杂芳基；R1在每次出现时独立地系H或取代基；及*表示附接至该第一或第二材料之附接点。该组合物可用以形成有机电子设备之层，例如，有机发光设备之电洞传输层。

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