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    • 2. 发明专利
    • 使用還原方法之分子層沉積
    • 使用还原方法之分子层沉积
    • TW201525181A
    • 2015-07-01
    • TW103140313
    • 2014-11-20
    • 維克ALD公司VEECO ALD INC.
    • 李相忍LEE, SANG IN黃敞玩HWANG, CHANG WAN
    • C23C16/455
    • C07F5/068C07F7/1836C23C16/401C23C16/403C23C16/452C23C16/45529C23C16/45531C23C16/45536C23C16/45551C23C16/45578
    • 本發明揭示將一種材料沉積在基板上,其係藉由將該基板暴露於含金屬前驅物以使該含金屬前驅物之金屬原子吸附於該基板。將注有該含金屬前驅物之該基板暴露於有機前驅物以藉由該有機前驅物與吸附於該基板之金屬原子之反應沉積材料層。將該基板暴露於還原劑之自由基以提升沉積在該基板上之材料之反應性。該還原劑之自由基係藉由使用電極將電壓差施加至諸如氫氣的氣體而產生。可在將該基板暴露於該有機前驅物之前及/或之後,將該基板暴露於自由基。可按順序將該基板暴露於兩種或更多種不同有機前驅物。沉積在該基板之材料可係聚烷氧化金屬(metalcone),諸如聚烷氧化鋁(Alucone)、聚烷氧化鋅(Zincone)、聚烷氧化鋯(Zircone)、聚烷氧化鈦(Titanicone)、或聚烷氧化鎳(Nickelcone)。
    • 本发明揭示将一种材料沉积在基板上,其系借由将该基板暴露于含金属前驱物以使该含金属前驱物之金属原子吸附于该基板。将注有该含金属前驱物之该基板暴露于有机前驱物以借由该有机前驱物与吸附于该基板之金属原子之反应沉积材料层。将该基板暴露于还原剂之自由基以提升沉积在该基板上之材料之反应性。该还原剂之自由基系借由使用电极将电压差施加至诸如氢气的气体而产生。可在将该基板暴露于该有机前驱物之前及/或之后,将该基板暴露于自由基。可按顺序将该基板暴露于两种或更多种不同有机前驱物。沉积在该基板之材料可系聚烷氧化金属(metalcone),诸如聚烷氧化铝(Alucone)、聚烷氧化锌(Zincone)、聚烷氧化锆(Zircone)、聚烷氧化钛(Titanicone)、或聚烷氧化镍(Nickelcone)。
    • 4. 发明专利
    • 觸媒活化劑組成物
    • 触媒活化剂组成物
    • TW460491B
    • 2001-10-21
    • TW088113056
    • 1999-07-30
    • 陶氏化學國際有限公司
    • 陳優賢小威廉J 克魯波高登R.魯夫
    • C08F
    • C08F10/00C07F5/068C08F4/65908C08F4/6592C08F4/65927C08F110/06C08F210/16Y10S526/943C08F4/65912C08F210/14C08F2500/08C08F2500/12
    • 一組成物,包括含路易士酸鋁之一混合物,該混合物對應的化學式是:
      (Ar^f3Al)(A1Q1v3)y(-A1Q2-O-)z其中:
      Ar^f是有從6至30個碳原子之一氟化的芳族烴基部分;
      Ql是C1-20烷基;
      Q2是C1-20烴基,具選擇性被一個或多個基取代,在各情況中分別為烴氧基、烴矽氧基、烴矽烷胺基、二(烴矽烷基)胺基、烴胺基、二(烴基)胺基、二(烴基)膦基、或烴基__基,它們有從l至20個非氫原子,或具選擇性,二個或多個Q2基能彼此共價聯結形成一個或多個稠環或環體系;
      y是從O至l.O的一數;
      z是從O.l至20的一數;和(Arf3Al)(A1Q13)y部分可以無關連的實體或以動態交換的產物存在。
    • 一组成物,包括含路易士酸铝之一混合物,该混合物对应的化学式是: (Ar^f3Al)(A1Q1v3)y(-A1Q2-O-)z其中: Ar^f是有从6至30个碳原子之一氟化的芳族烃基部分; Ql是C1-20烷基; Q2是C1-20烃基,具选择性被一个或多个基取代,在各情况中分别为烃氧基、烃硅氧基、烃硅烷胺基、二(烃硅烷基)胺基、烃胺基、二(烃基)胺基、二(烃基)膦基、或烃基__基,它们有从l至20个非氢原子,或具选择性,二个或多个Q2基能彼此共价联结形成一个或多个稠环或环体系; y是从O至l.O的一数; z是从O.l至20的一数;和(Arf3Al)(A1Q13)y部分可以无关连的实体或以动态交换的产物存在。
    • 6. 发明专利
    • 有機鋁氧化合物及用於製備聚合物之觸媒
    • 有机铝氧化合物及用于制备聚合物之触媒
    • TW363983B
    • 1999-07-11
    • TW085116012
    • 1996-12-24
    • 出光石油化學股份有限公司
    • 津典夫近藤剛長沼章治
    • C08F
    • C08G79/10C07F5/068C08F4/65925C08F4/65927C08F10/00C08F12/04C08F2420/04Y10S526/943C08F4/65912C08F10/02C08F4/6592
    • 一種有機鋁氧化合物,其27Al核磁性共振光譜(27Al-NMR光譜) 顯示A1/A2比至多0.1,其中A1係為被連接連續曲線〝a〞和連續曲線〝b〝之間局部最小點與連續曲線〝b〞接觸基線那一點的線段及被連續曲線〝b〞所圍成的面積,而A2係為上述曲線〝a〞和〝b〞及基線所圍成的面積,連續曲線 〝a〞的波峰出現在約150ppm而連續曲線 〝b〞的波峰出現在約60ppm;一種有機鋁氧化合物,其在30℃或更低溫度下甲苯與己烷體積比為2:5的混合溶劑裡包含至少5%(以鋁原子表示)不能溶解的部份;及一種用來製造聚合物的觸媒,包括(A)過渡金屬化合物、(B)上述任一種有機鋁氧化合物,及(C)含烷基之金屬化合物。藉由使用上述有機鋁氧化合物提供一種具安定且高活性的單相觸媒。
    • 一种有机铝氧化合物,其27Al核磁性共振光谱(27Al-NMR光谱) 显示A1/A2比至多0.1,其中A1系为被连接连续曲线〝a〞和连续曲线〝b〝之间局部最小点与连续曲线〝b〞接触基线那一点的线段及被连续曲线〝b〞所围成的面积,而A2系为上述曲线〝a〞和〝b〞及基线所围成的面积,连续曲线 〝a〞的波峰出现在约150ppm而连续曲线 〝b〞的波峰出现在约60ppm;一种有机铝氧化合物,其在30℃或更低温度下甲苯与己烷体积比为2:5的混合溶剂里包含至少5%(以铝原子表示)不能溶解的部份;及一种用来制造聚合物的触媒,包括(A)过渡金属化合物、(B)上述任一种有机铝氧化合物,及(C)含烷基之金属化合物。借由使用上述有机铝氧化合物提供一种具安定且高活性的单相触媒。
    • 10. 发明专利
    • 有機鋁氧產物之製法以及烯烴聚合催化劑
    • 有机铝氧产物之制法以及烯烃聚合催化剂
    • TW342350B
    • 1998-10-11
    • TW083105708
    • 1994-06-23
    • 飛利浦石油公司
    • 洛夫.L.吉爾特塔拉.G.希爾
    • B01J
    • C08F10/00C07F5/066C07F5/068C08F4/603C08F4/6028C08F110/02C08F2500/12C08F210/16C08F210/14
    • 一種製備有機鋁氧產物之方法,其包含令具有硼酸官能度之有機硼化合物與三烴基鋁化合物在實質上無水之有機液體中、溫度係O℃至該有機液體之沸點下反應,其中三烴基鋁化合物相對有機硼化合物酸官能度之莫耳比率為0.5:1至4:1。
      一種烯烴聚合催化劑系統,其包含經申請專利範圍第1-20項中任一項之方法所製得之有機鋁氧產物,以及至少一種含過渡金屬之烯烴聚合催化劑,其中有機鋁氧產物中的鋁相對過渡金屬的原子比範圍係1/1至5000/1,較佳為15/l至1000/1,而尤佳為100/1至1000/1;該有機鋁氧產物較佳係于三烴基鋁化合物相對硼酸官能度之莫耳比大於 l:1情況下製得;並且當該所用莫耳比小於1:1時,應添加額外的三烷基鋁。
    • 一种制备有机铝氧产物之方法,其包含令具有硼酸官能度之有机硼化合物与三烃基铝化合物在实质上无水之有机液体中、温度系O℃至该有机液体之沸点下反应,其中三烃基铝化合物相对有机硼化合物酸官能度之莫耳比率为0.5:1至4:1。 一种烯烃聚合催化剂系统,其包含经申请专利范围第1-20项中任一项之方法所制得之有机铝氧产物,以及至少一种含过渡金属之烯烃聚合催化剂,其中有机铝氧产物中的铝相对过渡金属的原子比范围系1/1至5000/1,较佳为15/l至1000/1,而尤佳为100/1至1000/1;该有机铝氧产物较佳系于三烃基铝化合物相对硼酸官能度之莫耳比大于 l:1情况下制得;并且当该所用莫耳比小于1:1时,应添加额外的三烷基铝。