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1. 发明专利

TW552297B 具有親水性之微細多孔防污層之構造體及該防污層形成用塗敷液、以及該構造體之製造方法有权
简体标题：具有亲水性之微细多孔防污层之构造体及该防污层形成用涂敷液、以及该构造体之制造方法
公开(公告)号：TW552297B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW089119042
申请日：2000-09-16
申请人：尹耐斯股份有限公司
发明人：松本浩和 , 新開誠司 , 杵島健 , 馬場俊明 , 大貫徹 , 倉內晴久
IPC分类号： C09D , C04B
CPC分类号： C04B41/5089 , C04B2111/203 , C04B41/455 , C04B41/4582 , C04B41/5035
摘要：本發明提供具有新穎結構的微細多孔防污層的構造體及用於形成該防污層的塗敷液和製造該構造體的方法，上述防污層可很好地減少瓷磚等構造體表面的雨垢，尤其是由於使用矽酮系密封劑而引起的雨垢。本發明是在瓷磚等基體外面上均勻地塗敷含有二氧化矽和黏合用矽酸質物質的微細液粒，然後在300-700℃熱處理，形成矽酸質黏合劑，由此得到在基體外面具有親水性微細多孔防污層的瓷磚等構造體，上述防污層具有將二氧化矽微粒黏合的微細糙面且具有許多從表面向內部連通的彎曲的微細孔。
简体摘要：本发明提供具有新颖结构的微细多孔防污层的构造体及用于形成该防污层的涂敷液和制造该构造体的方法，上述防污层可很好地减少瓷砖等构造体表面的雨垢，尤其是由于使用硅酮系密封剂而引起的雨垢。本发明是在瓷砖等基体外面上均匀地涂敷含有二氧化硅和黏合用硅酸质物质的微细液粒，然后在300-700℃热处理，形成硅酸质黏合剂，由此得到在基体外面具有亲水性微细多孔防污层的瓷砖等构造体，上述防污层具有将二氧化硅微粒黏合的微细糙面且具有许多从表面向内部连通的弯曲的微细孔。

2. 发明专利

TW377370B 供處理硬表面用之水媒介氟聚合物溶液失效
简体标题：供处理硬表面用之水媒介氟聚合物溶液
公开(公告)号：TW377370B
公开(公告)日：1999-12-21
申请号：TW086103307
申请日：1997-03-17
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：約翰J.菲茲葛蘭 , 湯姆斯克拉克菲德三世
IPC分类号： C09D
CPC分类号： C09D133/16 , C03C17/32 , C04B41/4846 , C04B2111/203 , C04B2111/27 , C08F220/22 , C09D4/00 , C04B41/483
摘要：一種對硬表面賦予水、油或污斑拒斥性之方法，其包括對該表面塗敷有效量之一種組合物，此組合物包含以下述重量百分比共聚合之單體：(a)40％至90％至少一種式I單體：
Rvf-Q-A-C(O)-C(R)=CH2 I其中:
Rvf為2至20個碳原子之直鏈或分枝鏈全氟烷基，
R為H或CH3，
A為O、S或NR1，其中R1為H或Cl-C4烷基，及Q為l至15個碳原子之次烷基、3至15個碳原子之羥基次烷基、-(CvnH2n)(OCvqH2q)m-、-SO2-NR1(CvnH2n)-或-CONR1(CvnH2n)-，其中Rl為H或Cl-C4烷基，n為1至15，q為2至4，及m為1至15;(b)2%至50%式ⅡA或ⅡB單體或其混合物：
(CH2=C(R)COZ(CH2)r+NR2R3R4)X¯ ⅡA與
CH2=C(R)COZ(CH2)rNR2R3(0) ⅡB其中
R為H或CH3，
R2與R3各獨立為Cl-C4烷基或羥乙基，
R4為H或Cl-C4烷基，或R2、R3及R4與氮一起形成六氫啶環，
Z為-O-或-NR4-，
r為2至4，及
X¯為陰離子，其條件是氮係經40%至100%鹽化、四級化，或以胺氧化物存在。
简体摘要：一种对硬表面赋予水、油或污斑拒斥性之方法，其包括对该表面涂敷有效量之一种组合物，此组合物包含以下述重量百分比共聚合之单体：(a)40％至90％至少一种式I单体： Rvf-Q-A-C(O)-C(R)=CH2 I其中: Rvf为2至20个碳原子之直链或分枝链全氟烷基， R为H或CH3， A为O、S或NR1，其中R1为H或Cl-C4烷基，及Q为l至15个碳原子之次烷基、3至15个碳原子之羟基次烷基、-(CvnH2n)(OCvqH2q)m-、-SO2-NR1(CvnH2n)-或-CONR1(CvnH2n)-，其中Rl为H或Cl-C4烷基，n为1至15，q为2至4，及m为1至15;(b)2%至50%式ⅡA或ⅡB单体或其混合物： (CH2=C(R)COZ(CH2)r+NR2R3R4)X¯ ⅡA与 CH2=C(R)COZ(CH2)rNR2R3(0) ⅡB其中 R为H或CH3， R2与R3各独立为Cl-C4烷基或羟乙基， R4为H或Cl-C4烷基，或R2、R3及R4与氮一起形成六氢啶环， Z为-O-或-NR4-， r为2至4，及 X¯为阴离子，其条件是氮系经40%至100%盐化、四级化，或以胺氧化物存在。

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