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1. 发明专利

TW200907023A 螢光材料與發光裝置 PHOSPHORS AND LIGHTING APPARATUS 审中-公开
简体标题：萤光材料与发光设备 PHOSPHORS AND LIGHTING APPARATUS
公开(公告)号：TW200907023A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW096129502
申请日：2007-08-10
申请人：國立交通大學 NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY
发明人：陳登銘 CHEN, TENG MING , 周怡君 CHOU, YI CHUN
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C01F7/002 , C01B17/42 , C01B21/0602 , C01B25/45 , C01F17/0043 , C01F17/0093 , C01G11/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/60 , C09K11/7738 , H05B33/14
摘要：一種螢光材料,其化學通式如下:A(B1-mEum^2+)PO4;其中A係選自Li、Na、K所組成之族群至少其中之一;B係選自Ca、Sr、Ba所組成之族群至少其中之一;其中0.0001≦m≦0.8。
简体摘要：一种萤光材料,其化学通式如下:A(B1-mEum^2+)PO4;其中A系选自Li、Na、K所组成之族群至少其中之一;B系选自Ca、Sr、Ba所组成之族群至少其中之一;其中0.0001≦m≦0.8。

2. 发明专利

TWI366594B 螢光材料與應用於發光裝置之發光源 PHOSPHORS AND ILLUMINANT USE FOR LIGHTING APPARATUS 有权
简体标题：萤光材料与应用于发光设备之发光源 PHOSPHORS AND ILLUMINANT USE FOR LIGHTING APPARATUS
公开(公告)号：TWI366594B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW096129502
申请日：2007-08-10
申请人：國立交通大學
发明人：陳登銘 , 周怡君
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C01F7/002 , C01B17/42 , C01B21/0602 , C01B25/45 , C01F17/0043 , C01F17/0093 , C01G11/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/60 , C09K11/7738 , H05B33/14
摘要：一種螢光材料，其化學通式如下：A(B1-mEum2+)PO4；其中A係選自Li、Na、K所組成之族群至少其中之一；B係選自Ca、Sr、Ba所組成之族群至少其中之一；其中0.0001＜＝m＜＝0.8。
简体摘要：一种萤光材料，其化学通式如下：A(B1-mEum2+)PO4；其中A系选自Li、Na、K所组成之族群至少其中之一；B系选自Ca、Sr、Ba所组成之族群至少其中之一；其中0.0001＜＝m＜＝0.8。

3. 发明专利

TW301758B 稀土元素氧硫化物、其製備方法、以及其作為發光團之用途失效
简体标题：稀土元素氧硫化物、其制备方法、以及其作为发光团之用途
公开(公告)号：TW301758B
公开(公告)日：1997-04-01
申请号：TW084107524
申请日：1995-07-20
申请人：隆寶蘭化學公司
发明人：胡奎尼.丹尼斯 , 當洛克.裘爾 , 雷維.法蘭哥斯
IPC分类号： H01J
CPC分类号： C01F17/0093 , C01P2004/61 , C09K11/7771 , C09K11/7789
摘要：本發明係關於稀土元素氧硫化物，包括作為添加物之至少一種其他之稀土元素，而且特徵為其在表面關於氧為平衡或不足。
依照本發明之氧硫化物之製備方法特徵為在包含作為添加物之至少一種其他之稀土元素的氫之存在之燒。
本發明亦涵蓋含有上述型式之稀土元素氧硫化物之發光組合物。
简体摘要：本发明系关于稀土元素氧硫化物，包括作为添加物之至少一种其他之稀土元素，而且特征为其在表面关于氧为平衡或不足。依照本发明之氧硫化物之制备方法特征为在包含作为添加物之至少一种其他之稀土元素的氢之存在之烧。本发明亦涵盖含有上述型式之稀土元素氧硫化物之发光组合物。

4. 发明专利

TWI273091B 化合物半導體粒子及其製造方法失效
简体标题：化合物半导体粒子及其制造方法
公开(公告)号：TWI273091B
公开(公告)日：2007-02-11
申请号：TW092123059
申请日：2003-08-21
申请人：小林正和 KOBAYASHI, MASAKAZU , 日本觸媒股份有限公司 NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.
发明人：小林正和 KOBAYASHI, MASAKAZU , 武田光生 TAKEDA, MITSUO
IPC分类号： C01G
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B17/42 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01F17/0037 , C01F17/0093 , C01P2002/60 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/623 , C09K11/883
摘要：本發明之目的在提供可在發光強度、發光效率等化合物半導體特有之機能中，發揮更具有優良性能的化合物半導體粒子，及如此之化合物半導體粒子的可經濟地高生產力製造且易於獲得之方法。
本發明之化合物半導體粒子，其特徵為：具備：選自 C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一種元素X，及與該元素X非同一之至少一種金屬元素M為必要元素組合而成之化合物半導體所成之本體粒子，其粒徑不及1微米，其表面被覆以結合有醯氧基之金屬氧化物。
简体摘要：本发明之目的在提供可在发光强度、发光效率等化合物半导体特有之机能中，发挥更具有优良性能的化合物半导体粒子，及如此之化合物半导体粒子的可经济地高生产力制造且易于获得之方法。本发明之化合物半导体粒子，其特征为：具备：选自 C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一种元素X，及与该元素X非同一之至少一种金属元素M为必要元素组合而成之化合物半导体所成之本体粒子，其粒径不及1微米，其表面被覆以结合有酰氧基之金属氧化物。

5. 发明专利

TW200404044A 化合物半導體粒子及其製造方法失效
简体标题：化合物半导体粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW200404044A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092123059
申请日：2003-08-21
申请人：小林正和 KOBAYASHI, MASAKAZU , 日本觸媒股份有限公司 NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.
发明人：小林正和 KOBAYASHI, MASAKAZU , 武田光生 TAKEDA, MITSUO
IPC分类号： C01G
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B17/42 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01F17/0037 , C01F17/0093 , C01P2002/60 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/623 , C09K11/883
摘要：本發明之目的在提供可在發光強度、發光效率等化合物半導體特有之機能中，發揮更具有優良性能的化合物半導體粒子，及如此之化合物半導體粒子的可經濟地高生產力製造且易於獲得之方法。本發明之化合物半導體粒子，其特徵為：具備：選自C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一種元素X，及與該元素X非同一之至少一種金屬元素M為必要元素組合而成之化合物半導體所成之本體粒子；其粒徑不及1微米，其表面被覆以結合有醯氧基之金屬氧化物。
简体摘要：本发明之目的在提供可在发光强度、发光效率等化合物半导体特有之机能中，发挥更具有优良性能的化合物半导体粒子，及如此之化合物半导体粒子的可经济地高生产力制造且易于获得之方法。本发明之化合物半导体粒子，其特征为：具备：选自C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、Se及Te所成群之至少一种元素X，及与该元素X非同一之至少一种金属元素M为必要元素组合而成之化合物半导体所成之本体粒子；其粒径不及1微米，其表面被覆以结合有酰氧基之金属氧化物。

6. 发明专利

TW247309B 合成二元硫化物之方法失效
公开(公告)号：TW247309B
公开(公告)日：1995-05-11
申请号：TW080100910
申请日：1991-02-05
申请人：隆寶蘭化學公司
发明人：皮耶.柯莫比特 , 麥可.史匹舍 , 菲利浦.莫林尼
IPC分类号： C01F
CPC分类号： B82Y30/00 , C01B17/20 , C01F17/0087 , C01F17/0093 , C01G1/12 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64
摘要：一種合成二元硫化物之方法，尤指稀土族及過渡金屬硫化物之合成方法，其包括使一氧化稀土化合物或一過渡金屬氧化物與一在氣相狀態下之碳化硫化物作用，其特徵為此一反應係密封容器中進行者，其中該碳化硫化物之用量係至少為生成所欲取得之稀土硫化物，或過渡金屬硫化物所必須之化學計量者，且該反應溫度係350℃至600℃，而當該密封容器之總分壓為1 atm時，該碳化硫化物之起始分壓在1至100 atm 之間，而尤以在10至40 atm之間為佳。
通式為Ly2S4-y之硫化稀土化合物且式中之y值在0至0.6之間及Ln為一種或多種稀土元素但y為1.33之 Europium(銪)除外，其特徵為其係由前述方法得到者。
由一般通式為LnS4-y之硫化物及通式為Ln2S2O或 Ln2S2O2之氧硫化稀土化合物所組成之混合物，其特徵為其係由前述方法得到者。
通式為MS2或M2S3或MS3之過渡金屬硫化物，其特徵為其係由前述方法得到者。
简体摘要：一种合成二元硫化物之方法，尤指稀土族及过渡金属硫化物之合成方法，其包括使一氧化稀土化合物或一过渡金属氧化物与一在气相状态下之碳化硫化物作用，其特征为此一反应系密封容器中进行者，其中该碳化硫化物之用量系至少为生成所欲取得之稀土硫化物，或过渡金属硫化物所必须之化学计量者，且该反应温度系350℃至600℃，而当该密封容器之总分压为1 atm时，该碳化硫化物之起始分压在1至100 atm 之间，而尤以在10至40 atm之间为佳。通式为Ly2S4-y之硫化稀土化合物且式中之y值在0至0.6之间及Ln为一种或多种稀土元素但y为1.33之 Europium(铕)除外，其特征为其系由前述方法得到者。由一般通式为LnS4-y之硫化物及通式为Ln2S2O或 Ln2S2O2之氧硫化稀土化合物所组成之混合物，其特征为其系由前述方法得到者。通式为MS2或M2S3或MS3之过渡金属硫化物，其特征为其系由前述方法得到者。

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