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1. 发明专利

TWI359190B 載持物質之多孔質氧化矽有权
简体标题：载持物质之多孔质氧化硅
公开(公告)号：TWI359190B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW093127507
申请日：2004-09-10
申请人：太陽化學股份有限公司
发明人：北田幸一 , 寺本華奈江 , 柳正明 , 南部宏暢 , 山崎義樹 , 堀井滿正 , 福島喜章
IPC分类号： C09K
CPC分类号： A23G4/06 , A23G4/064 , A23L27/77 , A61K8/25 , A61K9/1611 , A61K31/045 , A61K2800/244 , A61K2800/56 , A61L9/014 , A61Q15/00 , A61Q19/00 , C01B33/124
摘要：本發明係關於一種載持物質之多孔質氧化矽，其於多孔質氧化矽中載持有選自由薄荷醇、揮發性物質、溫熱性物質、植物多酚以及有機色素所組成之群之物質。
简体摘要：本发明系关于一种载持物质之多孔质氧化硅，其于多孔质氧化硅中载持有选自由薄荷醇、挥发性物质、温热性物质、植物多酚以及有机色素所组成之群之物质。

2. 发明专利

TW200626498A 多孔質矽石微粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：多孔质硅石微粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW200626498A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094145594
申请日：2005-12-21
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：多田羅了嗣 TATARA, RYOJI , 加藤仁史 KATO, HITOSHI , 黑澤孝彥 KUROSAWA, TAKAHIKO
IPC分类号： C01B , C07F , G02B
CPC分类号： C01B33/124
摘要：本發明係提供一種下述式(1)所示之矽化合物及下述式(2)所示之矽化合物之水解物及／或水解縮合物所成，平均粒徑為5～50nm之多孔質矽石微粒子及其製造方法。 R^1mSiX4–m … (1) R^2nSiX4–n … (2)(R^1係碳數1～8之烷基，X係各自獨立，表示碳數1～4之烷氧基，鹵代基，異氰酸酯基(–N＝C＝O)，羧基，碳數2～4之烷氧羧基或碳數1～4之烷氨基，m表示0～1之整數。R^2係碳數2～8之鏈烯基，碳數4～8之丙烯醯氧基烷基或碳數5～8之甲基丙烯醯氧基烷基，n表示1～3之整數。另外，式(1)之X與式(2)之X可為相同或相異)。
简体摘要：本发明系提供一种下述式(1)所示之硅化合物及下述式(2)所示之硅化合物之水解物及／或水解缩合物所成，平均粒径为5～50nm之多孔质硅石微粒子及其制造方法。 R^1mSiX4–m … (1) R^2nSiX4–n … (2)(R^1系碳数1～8之烷基，X系各自独立，表示碳数1～4之烷氧基，卤代基，异氰酸酯基(–N＝C＝O)，羧基，碳数2～4之烷氧羧基或碳数1～4之烷氨基，m表示0～1之整数。R^2系碳数2～8之链烯基，碳数4～8之丙烯酰氧基烷基或碳数5～8之甲基丙烯酰氧基烷基，n表示1～3之整数。另外，式(1)之X与式(2)之X可为相同或相异)。

3. 发明专利

TWI574918B 包含高壓實步驟之沉澱矽石之製造方法有权
简体标题：包含高压实步骤之沉淀硅石之制造方法
公开(公告)号：TWI574918B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102110376
申请日：2013-03-22
申请人：隆迪亞營運公司 , RHODIA OPERATIONS
发明人：奈維吾席爾凡恩 , NEVEU, SYLVAINE , 皮諾特安羅莉 , PINAULT, ANNE-LAURE
IPC分类号： C01B33/18
CPC分类号： C01B33/124 , C01B33/193

4. 发明专利

TW201639788A 一種奈米金陣列及其製備方法和應用审中-公开
简体标题：一种奈米金数组及其制备方法和应用
公开(公告)号：TW201639788A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105106354
申请日：2016-03-02
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：牟中原 , MOU, CHUNG YUAN , 高琨哲 , KAO, KUN CHE , 陳姿穎 , CHEN, TZU YING , 王怡雯 , WANG, YI WEN , 劉沂欣 , LIU, YI HSIN
IPC分类号： C01G7/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/44 , G01J3/02
CPC分类号： G01N21/658 , B82Y40/00 , C01B33/124 , C01B33/126 , C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/16
摘要：本發明提供一種奈米金陣列及其製備方法和應用，該奈米金陣列係由一金粒子和一表面具有垂直奈米管道的中尺寸多孔性矽材料所構成，且該金粒子錨定在該垂直奈米管道上而構成上述之奈米金陣列。本發明同時亦揭露製備上述奈米金陣列的方法及該奈米金陣列在分子偵測上的應用。
简体摘要：本发明提供一种奈米金数组及其制备方法和应用，该奈米金数组系由一金粒子和一表面具有垂直奈米管道的中尺寸多孔性硅材料所构成，且该金粒子锚定在该垂直奈米管道上而构成上述之奈米金数组。本发明同时亦揭露制备上述奈米金数组的方法及该奈米金数组在分子侦测上的应用。

5. 发明专利

TW200303289A 中孔材料與其製作方法 MESOPOROUS MATERIALS AND METHODS 审中-公开
简体标题：中孔材料与其制作方法 MESOPOROUS MATERIALS AND METHODS
公开(公告)号：TW200303289A
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091133959
申请日：2002-11-21
申请人：麻薩諸塞大學 UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS
发明人：詹姆斯J 渥金斯 JAMES J. WATKINS , 派拉杰朗 RAJARAM PAI
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B29C67/202 , B01D67/003 , B01D71/024 , B01D71/027 , B01D2323/08 , B01D2323/225 , B01D2323/24 , B01D2325/22 , B01J21/08 , B01J29/0308 , B01J35/10 , B01J35/1061 , B01J37/0018 , B01J2229/64 , C01B33/124 , C01B37/00 , C01B37/02 , C04B38/0022 , C04B38/0615 , C04B41/5133 , C04B2103/0045 , C04B2111/00801 , C04B2111/00844 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/02337 , H01L21/02359 , H01L21/31695 , H01L21/76816 , H01L21/76828 , C04B35/14 , C04B35/46 , C04B38/0051 , C04B38/045 , C04B40/0007 , C04B41/52
摘要：本發明揭露了多種中孔製成物以及此些中孔製成物之製作方法。
简体摘要：本发明揭露了多种中孔制成物以及此些中孔制成物之制作方法。

6. 发明专利

TW201400413A 包含強力壓實步驟之沉澱矽石之製造方法审中-公开
简体标题：包含强力压实步骤之沉淀硅石之制造方法
公开(公告)号：TW201400413A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102110376
申请日：2013-03-22
申请人：隆迪亞營運公司 , RHODIA OPERATIONS
发明人：奈維吾席爾凡恩 , NEVEU, SYLVAINE , 皮諾特安羅莉 , PINAULT, ANNE-LAURE
IPC分类号： C01B33/18
CPC分类号： C01B33/124 , C01B33/193
摘要：本發明係關於一種製造沉澱矽石之方法，其包含使矽酸鹽與酸化劑反應以獲得沉澱矽石懸浮液，隨後進行分離步驟以獲得濾餅及進行乾燥該濾餅之步驟，在該方法中在分離步驟與乾燥步驟之間進行在大於10巴之壓力下壓實該濾餅之步驟。
简体摘要：本发明系关于一种制造沉淀硅石之方法，其包含使硅酸盐与酸化剂反应以获得沉淀硅石悬浮液，随后进行分离步骤以获得滤饼及进行干燥该滤饼之步骤，在该方法中在分离步骤与干燥步骤之间进行在大于10巴之压力下压实该滤饼之步骤。

7. 发明专利

TW201247540A 供石英玻璃應用之高純度矽石顆粒 HIGH-PURITY SILICA GRANULES FOR QUARTZ GLASS APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：供石英玻璃应用之高纯度硅石颗粒 HIGH-PURITY SILICA GRANULES FOR QUARTZ GLASS APPLICATIONS
公开(公告)号：TW201247540A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101105523
申请日：2012-02-20
申请人：贏創德固賽有限責任公司
发明人：潘茲克里斯汀 , 提茲蓋都 , 慕勒史文 , 魯夫馬克斯 , 弗林斯波多 , 羅里德哈特威格 , 班尼斯赫喬根
IPC分类号： C01B , C03B
CPC分类号： C01B33/193 , C01B33/124 , C01B33/126 , C01B33/128 , C01P2004/60 , C01P2006/14 , C01P2006/17 , C01P2006/80 , C03B19/1065 , C03B19/1095 , C03C1/022 , C03C14/008 , Y10T428/2982
摘要：已了解習知強酸性介質中之便宜水玻璃品質經反應而得到高純度矽石等級，以鹼處理矽石而產生之產物經過進一步處理可得到低矽醇基含量之玻璃物體。
简体摘要：已了解习知强酸性介质中之便宜水玻璃品质经反应而得到高纯度硅石等级，以碱处理硅石而产生之产物经过进一步处理可得到低硅醇基含量之玻璃物体。

8. 发明专利

TWI261046B 改質介孔二氧化矽粉體、生成低介電環氧樹脂與低介電聚亞醯胺樹脂之前驅溶液、低介電常數基板及其形成方法 RESIN COMPOSITION WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT FILLER FOR HIGH FREQUENCY SUBSTRATE 有权
简体标题：改质介孔二氧化硅粉体、生成低介电环氧树脂与低介电聚亚酰胺树脂之前驱溶液、低介电常数基板及其形成方法 RESIN COMPOSITION WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT FILLER FOR HIGH FREQUENCY SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI261046B
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW093130510
申请日：2004-10-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：閔俊國 MIN, CHUN KUO , 施希弦 SHIH, HSI HSIN , 徐茂峰 HSU, MAO FENG , 姚昕宏 YAO, HSIN HUNG
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B37/02 , C01B33/124 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C09C1/3081
摘要：一種改質介孔(mesoporous，即孔徑為2-50奈米之孔)二氧化矽粉體，包括：一介孔二氧化矽粉體，該介孔為開放式孔(open pore)，且該介孔二氧化矽粉體具有一由矽烷類耦合劑形成之改質表面。利用該改質介孔二氧化矽粉體以進一步形成低介電環氧樹脂與低介電聚亞醯胺樹脂以作為高頻基板材料。
简体摘要：一种改质介孔(mesoporous，即孔径为2-50奈米之孔)二氧化硅粉体，包括：一介孔二氧化硅粉体，该介孔为开放式孔(open pore)，且该介孔二氧化硅粉体具有一由硅烷类耦合剂形成之改质表面。利用该改质介孔二氧化硅粉体以进一步形成低介电环氧树脂与低介电聚亚酰胺树脂以作为高频基板材料。

9. 发明专利

TWI591019B 一種奈米金陣列及其製備方法和應用有权
简体标题：一种奈米金数组及其制备方法和应用
公开(公告)号：TWI591019B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105106354
申请日：2016-03-02
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：牟中原 , MOU, CHUNG YUAN , 高琨哲 , KAO, KUN CHE , 陳姿穎 , CHEN, TZU YING , 王怡雯 , WANG, YI WEN , 劉沂欣 , LIU, YI HSIN
IPC分类号： C01G7/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J3/44 , G01J3/02
CPC分类号： G01N21/658 , B82Y40/00 , C01B33/124 , C01B33/126 , C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2006/16

10. 发明专利

TW200611877A 改質介孔二氧化矽粉體、生成低介電環氧樹脂與低介電聚亞醯胺樹脂之前驅溶液、低介電常數基板及其形成方法 RESIN COMPOSITION WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT FILLER FOR HIGH FREQUENCY SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：改质介孔二氧化硅粉体、生成低介电环氧树脂与低介电聚亚酰胺树脂之前驱溶液、低介电常数基板及其形成方法 RESIN COMPOSITION WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT FILLER FOR HIGH FREQUENCY SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200611877A
公开(公告)日：2006-04-16
申请号：TW093130510
申请日：2004-10-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：閔俊國 MIN, CHUN-KUO , 施希弦 SHIH, HSI-HSIN , 徐茂峰 HSU, MAO-FENG , 姚昕宏 YAO, HSIN-HUNG
IPC分类号： C01B
CPC分类号： C01B37/02 , C01B33/124 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C08K3/36 , C09C1/3081
摘要：一種改質介孔(mesoporous，即孔徑為2–50奈米之孔)二氧化矽粉體，包括：一介孔二氧化矽粉體，該介孔為開放式孔(open pore)，且該介孔二氧化矽粉體具有一由矽烷類耦合劑形成之改質表面。利用該改質介孔二氧化矽粉體以進一步形成低介電環氧樹脂與低介電聚亞醯胺樹脂以作為高頻基板材料。
简体摘要：一种改质介孔(mesoporous，即孔径为2–50奈米之孔)二氧化硅粉体，包括：一介孔二氧化硅粉体，该介孔为开放式孔(open pore)，且该介孔二氧化硅粉体具有一由硅烷类耦合剂形成之改质表面。利用该改质介孔二氧化硅粉体以进一步形成低介电环氧树脂与低介电聚亚酰胺树脂以作为高频基板材料。

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