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1. 发明专利

TWI535871B 成形體、其製造方法、電子裝置用元件及電子裝置有权
简体标题：成形体、其制造方法、电子设备用组件及电子设备
公开(公告)号：TWI535871B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW100126543
申请日：2011-07-27
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岩屋涉 , IWAYA, WATARU , 近藤健 , KONDO, TAKESHI
IPC分类号： C23C14/06 , B32B27/28 , B32B27/30 , C23C14/48
CPC分类号： C23C14/48 , B05D1/62 , B05D7/04 , B05D2252/02 , B29C59/14 , B29C2059/147 , C08J7/045 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2433/12 , C08J2483/16 , Y10T428/31667

2. 发明专利

TW201221668A 成形體、其製造方法、電子裝置用元件及電子裝置审中-公开
简体标题：成形体、其制造方法、电子设备用组件及电子设备
公开(公告)号：TW201221668A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：TW100126543
申请日：2011-07-27
申请人：琳得科股份有限公司
发明人：岩屋涉 , 近藤健
IPC分类号： C23C , B32B
CPC分类号： C23C14/48 , B05D1/62 , B05D7/04 , B05D2252/02 , B29C59/14 , B29C2059/147 , C08J7/045 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2433/12 , C08J2483/16 , Y10T428/31667
摘要：本發明係一種成形體、該成形體之製造方法、由前述成形體而組成之電子裝置用元件、以及包括該元件之電子裝置,本發明係具有氣體障蔽層之成形體,該氣體障蔽層係至少具有由包含碳原子、氧原子和矽原子之材料而構成之表層部,該表層部之碳原子相對於碳原子、氧原子、氮原子和矽原子之整體存在量之存在比例係超過0%而70%以下,氧原子之存在比例係10%以上而70%以下,氮原子之存在比例係0%以上而35%以下,矽原子之存在比例係20%以上而55%以下。本發明之成形體係具有良好之氣體障蔽性、透明性及耐彎曲性。如果藉由本發明之成形體之製造方法的話,則能夠以一製程,呈安全且簡便地製造前述成形體。本發明之電子裝置用元件係可以適度地使用於顯示器、太陽能電池等之電子裝置。
简体摘要：本发明系一种成形体、该成形体之制造方法、由前述成形体而组成之电子设备用组件、以及包括该组件之电子设备,本发明系具有气体障蔽层之成形体,该气体障蔽层系至少具有由包含碳原子、氧原子和硅原子之材料而构成之表层部,该表层部之碳原子相对于碳原子、氧原子、氮原子和硅原子之整体存在量之存在比例系超过0%而70%以下,氧原子之存在比例系10%以上而70%以下,氮原子之存在比例系0%以上而35%以下,硅原子之存在比例系20%以上而55%以下。本发明之成形体系具有良好之气体障蔽性、透明性及耐弯曲性。如果借由本发明之成形体之制造方法的话,则能够以一制程,呈安全且简便地制造前述成形体。本发明之电子设备用组件系可以适度地使用于显示器、太阳能电池等之电子设备。

3. 发明专利

TW200813242A 低溫電漿處理裝置审中-公开
简体标题：低温等离子处理设备
公开(公告)号：TW200813242A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096116159
申请日：2007-05-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：星田繁宏 HOSHIDA, SHIGEHIRO , 鈴木真二 SUZUKI, SHINJI , 天野正 AMANO, TADASHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B29C59/14 , B29C2059/147 , C08J7/123 , H01J37/32541 , H01J37/32724 , H01J37/3277
摘要：本發明之課題在於提供,不會對薄膜造成損傷,可維持薄膜的尺寸穩定性,能進行利用低溫電漿之表面改質處理的連續長條薄膜之低溫電漿處理裝置。用以解決課題之手段為,一種低溫電漿處理裝置,是具有:第1真空容器,其具備將塑膠薄膜連續地捲出之捲出裝置;第2真空容器,其用來進行電漿處理;及第3真空容器,其具備將進行電漿處理後的塑膠薄膜連續地捲取之捲取裝置,各真空容器,於塑膠薄膜的流動方向連接著。
简体摘要：本发明之课题在于提供,不会对薄膜造成损伤,可维持薄膜的尺寸稳定性,能进行利用低温等离子之表面改质处理的连续长条薄膜之低温等离子处理设备。用以解决课题之手段为,一种低温等离子处理设备,是具有:第1真空容器,其具备将塑胶薄膜连续地卷出之卷出设备;第2真空容器,其用来进行等离子处理;及第3真空容器,其具备将进行等离子处理后的塑胶薄膜连续地卷取之卷取设备,各真空容器,于塑胶薄膜的流动方向连接着。

4. 发明专利

TW200619015A 積層玻璃及其製造方法 PILED GLASS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：积层玻璃及其制造方法 PILED GLASS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200619015A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094129813
申请日：2005-08-31
申请人：河村產業股份有限公司 KAWAMURA SANGYO CO., LTD.
发明人：與倉三好 MIYOSHI YOKURA
IPC分类号： B32B , B29C , C08J
CPC分类号： B32B27/36 , B29C59/14 , B29C2059/147 , B29K2067/00 , B32B17/10 , B32B17/10036 , B32B17/10761 , B32B17/10788 , B32B17/10935 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2250/244 , B32B2250/40 , B32B2307/306 , B32B2307/518 , B32B2307/558 , B32B2419/00 , B32B2367/00
摘要：本發明的積層玻璃11係在板玻璃1與板玻璃2之間，配設中間膜薄膜12而構成，其中，中間膜薄膜12係具有至少將2片以上的雙軸延伸飽和聚酯系薄膜施行熱熔接而所形成的PET層6，且雙軸延伸飽和聚酯系薄膜間的熱熔接面係經施行低溫電漿處理。
简体摘要：本发明的积层玻璃11系在板玻璃1与板玻璃2之间，配设中间膜薄膜12而构成，其中，中间膜薄膜12系具有至少将2片以上的双轴延伸饱和聚酯系薄膜施行热熔接而所形成的PET层6，且双轴延伸饱和聚酯系薄膜间的热熔接面系经施行低温等离子处理。

5. 发明专利

TW572778B 用於基體之連續表面修改之裝置及方法失效
简体标题：用于基体之连续表面修改之设备及方法
公开(公告)号：TW572778B
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：TW090109075
申请日：2001-04-16
申请人：卡爾瑞門 REIMER, KARL
发明人：卡爾瑞門 REIMER, KARL
IPC分类号： B01J
CPC分类号： B01J19/123 , A43D25/20 , B01J19/088 , B01J19/124 , B01J19/128 , B01J2219/00166 , B01J2219/0849 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B29C59/14 , B29C59/16 , B29C2035/0822 , B29C2035/0827 , B29C2059/145 , B29C2059/147
摘要：按照本發明，提供用以準備基體的裝置及方法，以便在基體表面上黏著材料。對基體表面所做的準備是將其暴露於包括紫外線輻射的電磁輻射，經由暴露於紫外線輻射，藉以清除基體表面上的染污及／或修改基體表面。此外，也揭示使用電離裝置(如電暈放電裝置及／或紅外線輻射源)連同電磁輻射一起修改所要準備之基體的表面。另者，也描述使用氣體成分修改基體表面上的化學官能。本發明具有多種多樣的用途，包括製鞋、製造飛機、太空載具等，以及使生化樣本的沈澱物停留在微陣列的摺緣板( well-plate)上。
简体摘要：按照本发明，提供用以准备基体的设备及方法，以便在基体表面上黏着材料。对基体表面所做的准备是将其暴露于包括紫外线辐射的电磁辐射，经由暴露于紫外线辐射，借以清除基体表面上的染污及／或修改基体表面。此外，也揭示使用电离设备(如电晕放电设备及／或红外线辐射源)连同电磁辐射一起修改所要准备之基体的表面。另者，也描述使用气体成分修改基体表面上的化学官能。本发明具有多种多样的用途，包括制鞋、制造飞机、太空载具等，以及使生化样本的沈淀物停留在微数组的折缘板( well-plate)上。

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