会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 6. 发明专利
    • 多重閘極結構及其製造方法
    • 多重闸极结构及其制造方法
    • TW578218B
    • 2004-03-01
    • TW092100394
    • 2003-01-09
    • 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
    • 陳豪育 CHEN, HOU YU楊育佳 YEE-CHIA YEO楊富量 YANG, FU LIANG
    • H01L
    • A63B49/02A63B49/10A63B60/54
    • 本發明係關於一種多重閘極結構及其製造方法,其結構包括:複數個鰭型半導體層,沿一第一方向大體平行地排列,且由複數個位於一絕緣層上之絕緣台地所支撐,其中上述鰭型半導體層之底面大於與其與絕緣台地之接觸面;以及一閘極導電層,沿一第二方向延伸且覆蓋於上述鰭型半導體層之部份表面上,且於閘極導電層與其所覆蓋之上述鰭型半導體層之間更設置有一閘極介電層,其中此閘極介電層更包覆於該閘極導電層所覆蓋部份表面內之此等鰭型半導體層之底面。伍、(一)、本案代表圖為:第1E圖
      (二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明:
      100~半導體基底; 102~絕緣層;
      102a~絕緣台地; 104b~矽層;
      114a~閘極介電層; 116a~閘極導電層;
      G~多重閘極。
    • 本发明系关于一种多重闸极结构及其制造方法,其结构包括:复数个鳍型半导体层,沿一第一方向大体平行地排列,且由复数个位于一绝缘层上之绝缘台地所支撑,其中上述鳍型半导体层之底面大于与其与绝缘台地之接触面;以及一闸极导电层,沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层之部份表面上,且于闸极导电层与其所覆盖之上述鳍型半导体层之间更设置有一闸极介电层,其中此闸极介电层更包覆于该闸极导电层所覆盖部份表面内之此等鳍型半导体层之底面。伍、(一)、本案代表图为:第1E图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明: 100~半导体基底; 102~绝缘层; 102a~绝缘台地; 104b~硅层; 114a~闸极介电层; 116a~闸极导电层; G~多重闸极。
    • 8. 发明专利
    • 拍框及其製造方法
    • 拍框及其制造方法
    • TW346402B
    • 1998-12-01
    • TW085104234
    • 1996-04-10
    • 山葉股份有限公司
    • 小城仁美石垣安弘武智健二郎
    • A63B
    • A63B49/10A63B2209/023B29C70/086B29L2031/5245Y10S273/22Y10S273/23Y10T428/2933
    • 一種拍框,其具有強化纖維塑膠所製的框主體12、包覆著框主體12的離聚物膜13和包覆著離聚物膜13的塗層膜15;該拍框在離聚物13與塗層膜15之間設有可透氣多孔材料膜14以減少框主體12內部和框主體12與離聚物膜13之間的空洞。由於框主體12內部和框主體12與離聚物膜13之間的空洞減少了,而且由於離聚物膜13藉著可透氣多孔材料膜14而得到強化,所以拍框具有優越的力學強度。拍框主體12與離聚物膜13之間的粘著力優越。可透氣多孔材料膜14與塗層膜15之間的粘著力良好。
    • 一种拍框,其具有强化纤维塑胶所制的框主体12、包覆着框主体12的离聚物膜13和包覆着离聚物膜13的涂层膜15;该拍框在离聚物13与涂层膜15之间设有可透气多孔材料膜14以减少框主体12内部和框主体12与离聚物膜13之间的空洞。由于框主体12内部和框主体12与离聚物膜13之间的空洞减少了,而且由于离聚物膜13借着可透气多孔材料膜14而得到强化,所以拍框具有优越的力学强度。拍框主体12与离聚物膜13之间的粘着力优越。可透气多孔材料膜14与涂层膜15之间的粘着力良好。