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1. 发明专利

TWI701304B 紅外線遮蔽性組成物、硬化膜及固態攝影裝置有权
简体标题：红外线屏蔽性组成物、硬化膜及固态摄影设备
公开(公告)号：TWI701304B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW104143700
申请日：2015-12-25
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：畠山耕治 , HATAKEYAMA, KOUJI , 嶋田遵生子 , SHIMADA, MIBUKO , 河合孝廣 , KAWAI, TAKAHIRO , 若林隆太郎 , WAKABAYASHI, RYUUTAROU
IPC分类号： C09D5/32 , C09D183/04 , C08J5/18 , H01L27/146 , H04N5/335

2. 发明专利

TW202022414A 光學濾波器及其用途审中-公开
简体标题：光学滤波器及其用途
公开(公告)号：TW202022414A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108132865
申请日：2019-09-11
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：岸田寛之 , KISHIDA, HIROYUKI , 長屋勝也 , NAGAYA, KATSUYA , 山本達之 , YAMAMOTO, TATSUYUKI , 長尾敦記 , NAGAO, ATSUKI
IPC分类号： G02B5/22 , B32B7/02 , H01L27/14 , C08K5/34 , C08L101/00
摘要：本發明的課題在於提供一種光學濾波器，兼具近紅外線區域的入射角依存性低與紅色的透過率特性優異，且改善了重影。本發明的光學濾波器的特徵在於，滿足下述必要條件（A）～（D）：（A）於波長430 nm～580 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值為75%以上；（B）於波長800 nm～1000 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值為10%以下；（C）於波長700 nm～750 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率的平均值超過46%；（D）於波長560 nm～800 nm的範圍內，從垂直方向測定時的透過率為50%的最短波長的值（Ya）與從相對於垂直方向以30°的角度測定時的透過率為50%的最短波長的值（Yb）之差的絕對值小於15 nm。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种光学滤波器，兼具近红外线区域的入射角依存性低与红色的透过率特性优异，且改善了重影。本发明的光学滤波器的特征在于，满足下述必要条件（A）～（D）：（A）于波长430 nm～580 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值为75%以上；（B）于波长800 nm～1000 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值为10%以下；（C）于波长700 nm～750 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率的平均值超过46%；（D）于波长560 nm～800 nm的范围内，从垂直方向测定时的透过率为50%的最短波长的值（Ya）与从相对于垂直方向以30°的角度测定时的透过率为50%的最短波长的值（Yb）之差的绝对值小于15 nm。

3. 发明专利

TWI695535B 黏著劑用組成物及黏著薄膜、蓄電裝置用組成物、蓄電裝置電極用漿料、蓄電裝置電極、保護膜用漿料及蓄電裝置有权
简体标题：黏着剂用组成物及黏着薄膜、蓄电设备用组成物、蓄电设备电极用浆料、蓄电设备电极、保护膜用浆料及蓄电设备
公开(公告)号：TWI695535B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105126777
申请日：2016-08-22
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：田中成季 , TANAKA, NARUKI , 劉健 , LIU, JIAN , 伊藤俊之 , ITOU, TOSHIYUKI , 松田信弘 , MATSUDA, NOBUHIRO , 大巧治 , OOTSUKA, YOSHIHARU
IPC分类号： H01M4/02 , H01M4/66 , H01M4/13

4. 发明专利

TWI694291B 液晶配向劑、液晶元件的製造方法、液晶配向膜、液晶元件及化合物有权
简体标题：液晶配向剂、液芯片件的制造方法、液晶配向膜、液芯片件及化合物
公开(公告)号：TWI694291B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW104142010
申请日：2015-12-15
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：宮部季隆 , MIYABE, TOSHITAKA , 杉山文隆 , SUGIYAMA, FUMITAKA , 谷口拓弘 , TANIGUCHI, TAKUHIRO , 伊藤賢一 , ITOU, KEN-ICHI
IPC分类号： G02F1/1337 , G03F7/027

5. 发明专利

TWI691526B 液晶配向劑、液晶配向膜、液晶配向膜的製造方法、液晶顯示元件、聚合物、二胺化合物及羧酸有权
简体标题：液晶配向剂、液晶配向膜、液晶配向膜的制造方法、液晶显示组件、聚合物、二胺化合物及羧酸
公开(公告)号：TWI691526B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108107611
申请日：2015-09-14
申请人：日商JSR 股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：安池伸夫 , YASUIKE, NOBUO , 秋池利之 , AKIIKE, TOSHIYUKI , 野辺洋平 , NOBE, YOUHEI , 菅野尚基 , SUGANO, NAOKI
IPC分类号： C08G73/10 , C07C229/40 , C07C237/20 , C07C57/42 , C07D307/89 , G02F1/1337

6. 发明专利

TW202014440A 多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法审中-公开
简体标题：多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TW202014440A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108135234
申请日：2019-09-27
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：峯岸信也 , MINEGISHI, SHINYA , 片切崇 , KATAGIRI, TAKASHI , 辻孝史 , TSUJI, TAKAFUMI , 西野晃太 , NISHINO, KOTA , 小松裕之 , KOMATSU, HIROYUKI , 大西裕也 , ONISHI, YUYA
IPC分类号： C08F20/10 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明的目的在於提供一種可抑制多層抗蝕劑製程中的含矽膜的裂紋的產生、可減少基板的翹曲、且可形成去除性優異的抗蝕劑底層膜的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法。本發明是一種如下的多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物，其含有：聚合體，具有源於丙烯酸酯的一種或兩種以上的第一結構單元；以及溶媒，且所述第一結構單元相對於構成所述聚合體的所有結構單元的含有比例為65莫耳%以上。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种可抑制多层抗蚀剂制程中的含硅膜的裂纹的产生、可减少基板的翘曲、且可形成去除性优异的抗蚀剂底层膜的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物及图案形成方法。本发明是一种如下的多层抗蚀剂制程用底层膜形成组成物，其含有：聚合体，具有源于丙烯酸酯的一种或两种以上的第一结构单元；以及溶媒，且所述第一结构单元相对于构成所述聚合体的所有结构单元的含有比例为65莫耳%以上。

7. 发明专利

TW202007752A 化學機械研磨用水系分散體及其製造方法审中-公开
简体标题：化学机械研磨用水系分散体及其制造方法
公开(公告)号：TW202007752A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108114788
申请日：2019-04-26
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：岡本匡史 , OKAMOTO, MASASHI , 平井裕二 , HIRAI, YUUJI , 國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 中西康二 , NAKANISHI, KOUJI
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明的課題在於對配線材料、絕緣膜材料及阻障金屬材料以高速進行研磨，並且減少被研磨面的研磨損傷的產生。本發明的化學機械研磨用水系分散體的一態樣含有（A）氧化矽粒子、（B）選自由有機酸及其鹽所組成的群組中的至少一種、以及（C）選自由含胺基的矽烷化合物及其縮合物所組成的群組中的至少一種，且pH為7以上且14以下。
简体摘要：本发明的课题在于对配线材料、绝缘膜材料及阻障金属材料以高速进行研磨，并且减少被研磨面的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一态样含有（A）氧化硅粒子、（B）选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种、以及（C）选自由含胺基的硅烷化合物及其缩合物所组成的群组中的至少一种，且pH为7以上且14以下。

8. 发明专利

TWI684068B 微流體裝置的製造方法、微流體裝置及微流體裝置製造用感光性樹脂組成物有权
简体标题：微流体设备的制造方法、微流体设备及微流体设备制造用感光性树脂组成物
公开(公告)号：TWI684068B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105112212
申请日：2016-04-20
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：西村功 , NISHIMURA, ISAO , 星子賢二 , HOSHIKO, KENJI , 金子将寛 , KANEKO, MASAHIRO
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/40 , C08L101/02 , H01L21/027 , B81C1/00

9. 发明专利

TWI681460B 使用親撥材料的薄膜電晶體的製造方法、金氧半導體場效電晶體及其製造方法有权
简体标题：使用亲拨材料的薄膜晶体管的制造方法、金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TWI681460B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW104135319
申请日：2015-10-28
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：浜口仁 , HAMAGUCHI, HITOSHI , 田中健朗 , TANAKA, KENROU , 大喜多健三 , OOKITA, KENZOU , 栗山敬祐 , KURIYAMA, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/33 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/78 , H01L29/786

10. 发明专利

TWI666264B 含矽膜形成用組成物、圖型形成方法及聚矽氧烷化合物有权
简体标题：含硅膜形成用组成物、图型形成方法及聚硅氧烷化合物
公开(公告)号：TWI666264B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104113380
申请日：2015-04-27
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 出井慧 , DEI, SATOSHI , 鈴木準也 , SUZUKI, JUN-YA
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , G03F7/11 , H01L21/027

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