专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200927971A 銀基合金濺鍍靶 AG-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET 失效
简体标题：银基合金溅镀靶 AG-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW200927971A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097132825
申请日：2008-08-27
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 索尼碟片數位解決方案股份有限公司 SONY DISC & DIGITAL SOLUTIONS INC.
发明人：田內裕基 TAUCHI, YUKI , 松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI , 大川直樹 OKAWA, NAOKI
IPC分类号： C23C , C22C , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/244 , B22F2998/10 , C22C1/0466 , C22C5/06 , B22F3/24
摘要：本發明有關一種銀基合金濺鍍靶,其包含總量為1至15重量%之至少一種選自由Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及Si所組成之群組的元素,其中該銀基合金濺鍍靶的濺鍍表面之算術平均粗糙度(Ra)為2 ��m或更高,且最大高度(Rz)為20 ��m或更高。
简体摘要：本发明有关一种银基合金溅镀靶,其包含总量为1至15重量%之至少一种选自由Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及Si所组成之群组的元素,其中该银基合金溅镀靶的溅镀表面之算术平均粗糙度(Ra)为2 ��m或更高,且最大高度(Rz)为20 ��m或更高。

2. 发明专利

TW200927969A Al-Ni-La-Si系統鋁基合金濺鍍靶及其製造方法 Al-Ni-La-Si SYSTEM Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题： Al-Ni-La-Si系统铝基合金溅镀靶及其制造方法 Al-Ni-La-Si SYSTEM Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200927969A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097127641
申请日：2008-07-21
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 岩崎祐紀 IWASAKI, YUKI , 得平雅也 EHIRA, MASAYA , 南部旭 NANBU, AKIRA , 越智元隆 OCHI, MOTOTAKA , 後藤裕史 GOTO, HIROSHI , 川上信之 KAWAKAMI, NOBUYUKI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要：本發明有關一種包含Ni、La與Si之Al-Ni-La-Si系統鋁基合金濺鍍靶,其中當以掃描電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察與該濺鍍靶平面垂直之橫斷面中之(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)部分時,(1)以面積分率計,具有平均粒徑為0.3��m至3��m之Al-Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al-Ni系統金屬間化合物之總面積係70%或更高,該Al-Ni系統金屬間化合物主要由Al與Ni所組成;及(2)以面積分率計,具有平均粒徑為0.2��m至2��m之Al-Ni-La-Si系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al-Ni-La-Si系統金屬間化合物之總面積係70%或更高,該Al-Ni-La-Si系統金屬間化合物主要由Al、Ni、La與Si所組成。
简体摘要：本发明有关一种包含Ni、La与Si之Al-Ni-La-Si系统铝基合金溅镀靶,其中当以扫描电子显微镜在放大倍率2000倍下观察与该溅镀靶平面垂直之横断面中之(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)部分时,(1)以面积分率计,具有平均粒径为0.3��m至3��m之Al-Ni系统金属间化合物的总面积相对于整体Al-Ni系统金属间化合物之总面积系70%或更高,该Al-Ni系统金属间化合物主要由Al与Ni所组成;及(2)以面积分率计,具有平均粒径为0.2��m至2��m之Al-Ni-La-Si系统金属间化合物的总面积相对于整体Al-Ni-La-Si系统金属间化合物之总面积系70%或更高,该Al-Ni-La-Si系统金属间化合物主要由Al、Ni、La与Si所组成。

3. 发明专利

TW200938645A Ag系濺鍍靶 Ag-BASED SPUTTERING TARGET 审中-公开
简体标题： Ag系溅镀靶 Ag-BASED SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW200938645A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097141652
申请日：2008-10-29
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI
IPC分类号： C23C , C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14
摘要：本發明係提供一種可用於形成面內均勻性極為優良的Ag系薄膜的Ag系濺鍍靶。Ag系薄膜的Ag系濺鍍靶,藉由下述步驟(1)-(3)測定Ag系濺鍍靶的濺鍍面的平均晶粒直徑dave時,平均晶粒直徑dave於10��m以下,(步驟1)在濺鍍面的面內任意選擇複數位置,以40-2000倍的倍率拍攝所選擇的各位置的顯微鏡照片;(步驟2)對於各顯微鏡照片,以井字狀或放射線狀畫4條以上的直線,調查直線上的晶界數n,對每條直線基於下式算出晶粒直徑d,d=L/n/m式中,L表示直線的長度,n表示直線上的晶界數,m表示顯微鏡照片的倍率;(步驟3)將全選擇位置的晶粒直徑d的平均値作為濺鍍面的平均晶粒直徑dave。
简体摘要：本发明系提供一种可用于形成面内均匀性极为优良的Ag系薄膜的Ag系溅镀靶。Ag系薄膜的Ag系溅镀靶,借由下述步骤(1)-(3)测定Ag系溅镀靶的溅镀面的平均晶粒直径dave时,平均晶粒直径dave于10��m以下,(步骤1)在溅镀面的面内任意选择复数码置,以40-2000倍的倍率拍摄所选择的各位置的显微镜照片;(步骤2)对于各显微镜照片,以井字状或放射线状画4条以上的直线,调查直在线的晶界数n,对每条直线基于下式算出晶粒直径d,d=L/n/m式中,L表示直线的长度,n表示直在线的晶界数,m表示显微镜照片的倍率;(步骤3)将全选择位置的晶粒直径d的平均値作为溅镀面的平均晶粒直径dave。

4. 发明专利

TW200912244A 形狀測定裝置,形狀測定方法审中-公开
简体标题：形状测定设备,形状测定方法
公开(公告)号：TW200912244A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097127345
申请日：2008-07-18
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：赤松勝 AKAMATSU, MASARU , 橋爪英久 HASHIZUME, HIDEHISA , 中井康秀 NAKAI, YASUHIDE
IPC分类号： G01B , H01L
CPC分类号： G01B11/2433 , G01N21/94 , G01N21/9503
摘要：為了提供一種形狀測定裝置及形狀測定方法,在將圓盤狀的半導體晶圓等的端面形狀根據其投影像進行測定時,能以不受其端面的附著物的影響的方式來進行形狀測定。藉由用來支承晶圓(1)之旋轉支承機構(9),在從相對於既定基準支承位置旋轉+��度的第1支承位置至旋轉-��度的第2支承位置的範圍內,在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2個以上的支承位置來支承晶圓(1),將被支承於各支承位置之晶圓(1)的端面的投影像用影像感測器(7)進行拍攝,對於所獲得的複數個投影像分別算出端面形狀的指標値,依所算出之複數個指標値來進行1個代表値的選擇或1個整合値的算出,藉此導出對應於前述基準支承位置之晶圓(1)的端面形狀的測定値。這時,晶圓(1)的半徑為r、端面的去角寬度為k時,宜符合��≧cos^-1((r-k)/r)。
简体摘要：为了提供一种形状测定设备及形状测定方法,在将圆盘状的半导体晶圆等的端面形状根据其投影像进行测定时,能以不受其端面的附着物的影响的方式来进行形状测定。借由用来支承晶圆(1)之旋转支承机构(9),在从相对于既定基准支承位置旋转+��度的第1支承位置至旋转-��度的第2支承位置的范围内,在包含前述第1支承位置及前述第2支承位置之2个以上的支承位置来支承晶圆(1),将被支承于各支承位置之晶圆(1)的端面的投影像用影像传感器(7)进行拍摄,对于所获得的复数个投影像分别算出端面形状的指针値,依所算出之复数个指针値来进行1个代表値的选择或1个集成値的算出,借此导出对应于前述基准支承位置之晶圆(1)的端面形状的测定値。这时,晶圆(1)的半径为r、端面的去角宽度为k时,宜符合��≧cos^-1((r-k)/r)。

5. 发明专利

TW200902738A A1基合金濺鍍靶及其製造方法 A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题： A1基合金溅镀靶及其制造方法 A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200902738A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096142872
申请日：2007-11-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 得平雅也 EHIRA, MASAYA , 釘宮敏洋 KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 米田陽一郎 YONEDA, YOICHIRO , 後藤裕史 GOTOU, HIROSHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
摘要：本發明是關於一種Al基合金濺鍍靶,含有0.05至10原子百分比之Ni,其中當依據電子背散射繞射圖案法(electron backscatter diffraction pattern method)觀察該Al基合金濺鍍靶之濺鍍表面法線方向的結晶學配向、、、及時,該Al基合金濺鍍靶符合下列條件:(1)P値對濺鍍表面總面積之比例為70%或以上,其中該P値意指 �15�、 �15�、 �15�、及 �15�之面積分率的總和;(2) �15�之面積分率對P値的比例為30%或以上;及(3) �15�之面積分率對P値的比例為10%或以下。
简体摘要：本发明是关于一种Al基合金溅镀靶,含有0.05至10原子百分比之Ni,其中当依据电子背散射绕射图案法(electron backscatter diffraction pattern method)观察该Al基合金溅镀靶之溅镀表面法线方向的结晶学配向<001>、<011>、<111>、及<311>时,该Al基合金溅镀靶符合下列条件:(1)P値对溅镀表面总面积之比例为70%或以上,其中该P値意指<001>�15�、<011>�15�、<111>�15�、及<311>�15�之面积分率的总和;(2)<011>�15�之面积分率对P値的比例为30%或以上;及(3)<111>�15�之面积分率对P値的比例为10%或以下。

6. 发明专利

TW200928290A 形狀測定裝置审中-公开
简体标题：形状测定设备
公开(公告)号：TW200928290A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097146803
申请日：2008-12-02
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：赤松勝 AKAMATSU, MASARU , 橋爪英久 HASHIZUME, HIDEHISA , 中井康秀 NAKAI, YASUHIDE
IPC分类号： G01B
CPC分类号： G01B11/24
摘要：為了提供一種形狀測定裝置,在對圓盤狀的測定對象物的端面形狀根據其投影像來進行測定的情況,可讓投射至測定對象物的光束儘量不包含非平行光成分,且確保投光方向與測定對象物的表裏各面之間的平行狀態而進行正確的形狀測定。具備:讓點光源(2)的出射光通過並在投光方向(R1)進行準直化之準直透鏡(3)、以及1個或複數個遮罩(8)。該遮罩(8),是在從準直透鏡(3)朝向測定對象物(1)側的光束當中,將從投光方向(R1)觀察位於攝影機的攝影範圍的外側範圍的光,或是位於該攝影範圍的內側且位在投光方向(R1)上的測定部的投影像的外側範圍之邊界線的外側範圍的光通過予以遮斷。另外具備:在相對於被中央吸附支承機構(9)所支承之測定對象物(1)之測定部的中央側的位置,將測定對象物(1)的其中一面支承成與投光方向(R1)平行之平行支承部(21)。
简体摘要：为了提供一种形状测定设备,在对圆盘状的测定对象物的端面形状根据其投影像来进行测定的情况,可让投射至测定对象物的光束尽量不包含非平行光成分,且确保投光方向与测定对象物的表里各面之间的平行状态而进行正确的形状测定。具备:让点光源(2)的出射光通过并在投光方向(R1)进行准直化之准直透镜(3)、以及1个或复数个遮罩(8)。该遮罩(8),是在从准直透镜(3)朝向测定对象物(1)侧的光束当中,将从投光方向(R1)观察位于摄影机的摄影范围的外侧范围的光,或是位于该摄影范围的内侧且位在投光方向(R1)上的测定部的投影像的外侧范围之边界线的外侧范围的光通过予以遮断。另外具备:在相对于被中央吸附支承机构(9)所支承之测定对象物(1)之测定部的中央侧的位置,将测定对象物(1)的其中一面支承成与投光方向(R1)平行之平行支承部(21)。

7. 发明专利

TW200935539A 形狀測定裝置,形狀測定方法失效
简体标题：形状测定设备,形状测定方法
公开(公告)号：TW200935539A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097151036
申请日：2008-12-26
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：赤松勝 AKAMATSU, MASARU , 橋爪英久 HASHIZUME, HIDEHISA , 中井康秀 NAKAI, YASUHIDE
IPC分类号： H01L , G01B
CPC分类号： G01B11/06 , G01B11/24
摘要：提供一種:當對於半導體晶圓等之圓盤狀的測定對象物之端面的形狀而根據其之投影像來作測定的情況時,就算是在測定對象物之投影像中產生有畫像模糊,亦能夠進行正確之形狀測定的形狀測定裝置以及形狀測定方法。藉由厚度計測感測器(20),而計測出在測定部處的基準位置(Po)之厚度,並藉由畫像處理裝置(10),而經由對於測定部之投影像的畫像處理,來導出測定部之第1輪廓形狀資訊,並進而根據藉由厚度計測感測器(20)所計測之厚度、和測定部之在投光方向(R1)處的尺寸,來對從前述第1輪廓形狀資訊所特定出之厚度分佈作修正,藉由此,而對前述第1輪廓形狀資訊作修正,並輸出修正後之第2輪廓形狀資訊。
简体摘要：提供一种:当对于半导体晶圆等之圆盘状的测定对象物之端面的形状而根据其之投影像来作测定的情况时,就算是在测定对象物之投影像中产生有画像模煳,亦能够进行正确之形状测定的形状测定设备以及形状测定方法。借由厚度计测传感器(20),而计测出在测定部处的基准位置(Po)之厚度,并借由画像处理设备(10),而经由对于测定部之投影像的画像处理,来导出测定部之第1轮廓形状信息,并进而根据借由厚度计测传感器(20)所计测之厚度、和测定部之在投光方向(R1)处的尺寸,来对从前述第1轮廓形状信息所特定出之厚度分布作修正,借由此,而对前述第1轮廓形状信息作修正,并输出修正后之第2轮廓形状信息。

8. 发明专利

TW200925305A Ag基合金濺鍍靶及其製造方法 Ag BASE ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题： Ag基合金溅镀靶及其制造方法 Ag BASE ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200925305A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097130396
申请日：2008-08-08
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 森元榮一 MORIMOTO, HIDEKAZU , 松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI , 田內裕基 TAUCHI, YUKI
IPC分类号： C23C , C22C , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
摘要：本發明係提供可穩定地形成膜面方向(膜面內)中成分等之均勻性優異之薄膜的Ag-Ta-Cu合金濺鍍靶。由含有0.6~10.5原子%之Ta、2~13原子%之Cu之Ag基合金所形成之濺鍍靶,對濺鍍靶之濺鍍面進行圖像分析時,(1)相對於Ta粒子的總面積,相當圓直徑為10~50��m的Ta粒子之合計面積為60面積%以上,而且Ta粒子之平均重心間距離為10~50��m;(2)相對於Cu粒子的總面積,相當圓直徑為10��m~50��m的Cu粒子之合計面積為70面積%以上,而且Cu粒子之平均重心間距離為60��m~120��m。
简体摘要：本发明系提供可稳定地形成膜面方向(膜面内)中成分等之均匀性优异之薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅镀靶。由含有0.6~10.5原子%之Ta、2~13原子%之Cu之Ag基合金所形成之溅镀靶,对溅镀靶之溅镀面进行图像分析时,(1)相对于Ta粒子的总面积,相当圆直径为10~50��m的Ta粒子之合计面积为60面积%以上,而且Ta粒子之平均重心间距离为10~50��m;(2)相对于Cu粒子的总面积,相当圆直径为10��m~50��m的Cu粒子之合计面积为70面积%以上,而且Cu粒子之平均重心间距离为60��m~120��m。

9. 发明专利

TWI304097B 供濺鍍標靶用之底撐板 BACKING PLATES FOR SPUTTERING TARGETS 失效
简体标题：供溅镀标靶用之底撑板 BACKING PLATES FOR SPUTTERING TARGETS
公开(公告)号：TWI304097B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW094135724
申请日：2005-10-13
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 森元榮一 MORIMOTO, HIDEKAZU
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/3407
摘要：一種供濺鍍標靶用之底撐板,其包含具有於25℃到100℃溫度之平均線性膨脹係數為23.0�10-6/℃或以下的鋁合金。該底撐板防止了和標靶結合時發生翹曲,減小Al-Nd合金薄膜的膜沈積(濺射)時所發生的應力,省去了翹曲的矯平處理,減少安置於標靶和底撐板之間的硬料的破裂,從而能夠長時間進行穩定的膜沈積操作。
简体摘要：一种供溅镀标靶用之底撑板,其包含具有于25℃到100℃温度之平均线性膨胀系数为23.0�10-6/℃或以下的铝合金。该底撑板防止了和标靶结合时发生翘曲,减小Al-Nd合金薄膜的膜沉积(溅射)时所发生的应力,省去了翘曲的矫平处理,减少安置于标靶和底撑板之间的硬料的破裂,从而能够长时间进行稳定的膜沉积操作。

10. 发明专利

TW200844248A Al-Ni-La系統之Al基合金濺鍍靶及彼之製法 AL-NI-LA SYSTEM AL-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题： Al-Ni-La系统之Al基合金溅镀靶及彼之制法 AL-NI-LA SYSTEM AL-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200844248A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096142875
申请日：2007-11-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.) , 鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：得平雅也 EHIRA, MASAYA , 高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 釘宮敏洋 KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 米田陽一郎 YONEDA, YOICHIRO , 後藤裕史 GOTOU, HIROSHI
IPC分类号： C23C , C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
摘要：本發明係關於包含Ni及La的Al-Ni-La系統之Al基合金濺鍍靶,其中,當垂直於濺鍍靶平面之橫截面中的(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)之切面以掃瞄式電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察時,(1)平均粒徑為0.3微米至3微米之Al-Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整個Al-Ni系統金屬間化合物的總面積為70%或更多(以面積分率計),Al-Ni系統金屬間化合物主要包含Al及Ni;且(2)平均粒徑為0.2微米至2微米之Al-La系統金屬間化合物的總面積相對於整個Al-La系統金屬間化合物的總面積為70%或更多(以面積分率計),Al-La系統金屬間化合物主要包含Al及La。
简体摘要：本发明系关于包含Ni及La的Al-Ni-La系统之Al基合金溅镀靶,其中,当垂直于溅镀靶平面之横截面中的(1/4)t至(3/4)t(t:厚度)之切面以扫瞄式电子显微镜在放大倍率2000倍下观察时,(1)平均粒径为0.3微米至3微米之Al-Ni系统金属间化合物的总面积相对于整个Al-Ni系统金属间化合物的总面积为70%或更多(以面积分率计),Al-Ni系统金属间化合物主要包含Al及Ni;且(2)平均粒径为0.2微米至2微米之Al-La系统金属间化合物的总面积相对于整个Al-La系统金属间化合物的总面积为70%或更多(以面积分率计),Al-La系统金属间化合物主要包含Al及La。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式