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1. 发明专利

TW200937621A 具有深溝結構之半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DEEP TRENCH STRUCTURE 审中-公开
简体标题：具有深沟结构之半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DEEP TRENCH STRUCTURE
公开(公告)号：TW200937621A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097150262
申请日：2008-12-23
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金度亨 KIM, DO HYUNG , 林龍奎 LIM, YONG GYU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L29/0653 , H01L29/1087 , H01L29/6659
摘要：本發明揭示一種具有用於在一高操作電壓下令相鄰元件有效地彼此絕緣之重摻雜井之一深溝結構的半導體裝置。具有一深溝結構之該半導體裝置包括一半導體基板,其中形成一第一導電類型井與一第二導電類型井,該第二導電類型井具有與該第一導電類型井之導電性質相反的導電性質;一閘極氧化物膜與一閘極電極,其係層壓於該第一導電類型井與該第二導電類型井之每一者上;第二導電類型漂移區域,其係形成於在該第一導電類型井上所形成的該閘極電極之兩側上;第一導電類型漂移區域,其係形成於在該第二導電類型井上所形成的該閘極電極之兩側上;及一第一絕緣層,其具有深於該等第一及第二導電類型井的一溝結構並令該第一導電類型井與該第二導電類型井彼此絕緣。
简体摘要：本发明揭示一种具有用于在一高操作电压下令相邻组件有效地彼此绝缘之重掺杂井之一深沟结构的半导体设备。具有一深沟结构之该半导体设备包括一半导体基板,其中形成一第一导电类型井与一第二导电类型井,该第二导电类型井具有与该第一导电类型井之导电性质相反的导电性质;一闸极氧化物膜与一闸极电极,其系层压于该第一导电类型井与该第二导电类型井之每一者上;第二导电类型漂移区域,其系形成于在该第一导电类型井上所形成的该闸极电极之两侧上;第一导电类型漂移区域,其系形成于在该第二导电类型井上所形成的该闸极电极之两侧上;及一第一绝缘层,其具有深于该等第一及第二导电类型井的一沟结构并令该第一导电类型井与该第二导电类型井彼此绝缘。

2. 发明专利

TW200917196A 顯示器驅動電路审中-公开
简体标题：显示器驱动电路
公开(公告)号：TW200917196A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097124368
申请日：2008-06-27
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：姜汰竟 KANG, TAE-KYOUNG , 明浚亨 MYOUNG, JUN-HYOUNG , 金鎮旭 KIM, JIN-WOOK
IPC分类号： G09G
CPC分类号： G09G3/3696 , H01L27/0248
摘要：本發明係揭露一種具備防閉鎖部而能夠防止發生閉鎖效應的顯示器驅動電路。本發明的顯示器驅動電路包含:從外部接收具有相同大小的輸入電壓而分別生成大小互不相同的電壓的第一至第三電壓生成部;與上述第二電壓生成部連接,並接收上述第二電壓生成部輸出的電壓中的低位電壓而在預設時間內使上述低位電壓變成接地電壓的防閉鎖部,使上述第二電壓生成部輸出的第二驅動電壓接通到包含多個接地連接的開關機構之防閉鎖部,從而在預設時間內使所述第二驅動電壓變成接地電壓,由此防止閉鎖效應的產生,且具有減小驅動電路的大小的效果。
简体摘要：本发明系揭露一种具备防闭锁部而能够防止发生闭锁效应的显示器驱动电路。本发明的显示器驱动电路包含:从外部接收具有相同大小的输入电压而分别生成大小互不相同的电压的第一至第三电压生成部;与上述第二电压生成部连接,并接收上述第二电压生成部输出的电压中的低位电压而在默认时间内使上述低位电压变成接地电压的防闭锁部,使上述第二电压生成部输出的第二驱动电压接通到包含多个接地连接的开关机构之防闭锁部,从而在默认时间内使所述第二驱动电压变成接地电压,由此防止闭锁效应的产生,且具有减小驱动电路的大小的效果。

3. 发明专利

TWI302754B 互補金氧半導體影像檢測器及其製法 COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：互补金属氧化物半导体影像检测器及其制法 COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI302754B
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW094127982
申请日：2005-08-17
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李柱日 LEE, JU-IL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要：本案提供一種互補式金氧半(CMOS)影像偵測器及其製作方法,該CMOS影像偵測器包括一畫素區域及一邏輯區域。該畫素區域具有複數個單位畫素,每個單位畫素包括一埋層式光二極體及一浮動擴散區域;該邏輯區域具有用以處理該等單位畫素輸出之資料的多個CMOS裝置。其中,一自我對準矽化層係形成於該邏輯區域內該等CMOS裝置的閘極及源/汲極區域上,而一自我對準矽化阻隔層則係形成於該畫素區域上。
简体摘要：本案提供一种互补式金氧半(CMOS)影像侦测器及其制作方法,该CMOS影像侦测器包括一像素区域及一逻辑区域。该像素区域具有复数个单位像素,每个单位像素包括一埋层式光二极管及一浮动扩散区域;该逻辑区域具有用以处理该等单位像素输出之数据的多个CMOS设备。其中,一自我对准硅化层系形成于该逻辑区域内该等CMOS设备的闸极及源/汲极区域上,而一自我对准硅化阻隔层则系形成于该像素区域上。

4. 发明专利

TWI287301B 能夠以調整對焦長度用於個別顏色之影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR CAPABLE OF ADJUSTING FOCUSING LENGTH FOR INDIVIDUAL COLOR AND FABRICATION METHOD THEREOF 失效
简体标题：能够以调整对焦长度用于个别颜色之影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR CAPABLE OF ADJUSTING FOCUSING LENGTH FOR INDIVIDUAL COLOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI287301B
公开(公告)日：2007-09-21
申请号：TW094147845
申请日：2005-12-30
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：柳尚旭 RYU, SANG-WOOK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627
摘要：本發明提供一影像感測器及其製造方法。該影像感測器包括：一形成於一基板中且接收一第一顏色之第一光電二極體；一形成於該基板中遠離該第一光電二極體，且接收波長大於該第一顏色之波長的一第二顏色之第二光電二極體；一形成於該基板中遠離該第一光電二極體與該第二光電二極體，且接收波長大於該第二顏色之波長的一第三顏色之第三光電二極體；及一形成於該基板上且具有不同的區域厚度之鈍化層，該等厚度之量值按以下順序增加：該鈍化層之一對應於一第一顏色區域之第一區域、該鈍化層之一對應於一第二顏色區域之第二區域及該鈍化層之一對應於一第三顏色區域之第三區域。
简体摘要：本发明提供一影像传感器及其制造方法。该影像传感器包括：一形成于一基板中且接收一第一颜色之第一光电二极管；一形成于该基板中远离该第一光电二极管，且接收波长大于该第一颜色之波长的一第二颜色之第二光电二极管；一形成于该基板中远离该第一光电二极管与该第二光电二极管，且接收波长大于该第二颜色之波长的一第三颜色之第三光电二极管；及一形成于该基板上且具有不同的区域厚度之钝化层，该等厚度之量值按以下顺序增加：该钝化层之一对应于一第一颜色区域之第一区域、该钝化层之一对应于一第二颜色区域之第二区域及该钝化层之一对应于一第三颜色区域之第三区域。

5. 发明专利

TW200735335A 影像感應器之像素及用以製造其之方法 PIXEL OF IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：影像感应器之像素及用以制造其之方法 PIXEL OF IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200735335A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095119737
申请日：2006-06-02
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：崔雲一 CHOI, WOON-IL , 金亨植 KIM, HYUNG-SIK , 金義植 KIM, UI-SIK
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L21/02129 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要：一種影像感應器之像素包括:一多晶矽層;及一作用區,其需要與該多晶矽層電耦合作用區,其中該多晶矽層在該作用區之一部分上方延伸,從而使該多晶矽層與該作用區局部重疊,且該多晶矽層與該作用區經由一內埋接觸結構而耦合。
简体摘要：一种影像感应器之像素包括:一多晶硅层;及一作用区,其需要与该多晶硅层电耦合作用区,其中该多晶硅层在该作用区之一部分上方延伸,从而使该多晶硅层与该作用区局部重叠,且该多晶硅层与该作用区经由一内埋接触结构而耦合。

6. 发明专利

TWI286439B 用以移除水平雜訊之影像感測器 IMAGE SENSOR FOR REMOVING HORIZONTAL NOISE 有权
简体标题：用以移除水平噪声之影像传感器 IMAGE SENSOR FOR REMOVING HORIZONTAL NOISE
公开(公告)号：TWI286439B
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW094138141
申请日：2005-10-31
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金永鎮 KIM, YOUNG-JIN , 金南烈 KIM, NAM-RYEOL
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N5/3591 , H04N5/365
摘要：本發明揭示一種用於去除水平雜訊的影像感測器。該影像感測器包括：一像素陣列，包括位於每列或行的複數個單位像素；一位於每列或行的類比匯流排，用於傳遞該像素陣列的輸出信號；以及一讀出電路，用於讀取該類比匯流排上所負載的該像素陣列之該等輸出信號，其中該讀出電路包括：複數個第一電晶體，具有一連接到該行類比匯流排的汲極及一連接到一供應電壓的源極；以及一第二電晶體，具有一連接到該第二電晶體之一閘極及該等第一電晶體之閘極的汲極，及一連接到該供應電壓的源極；其中，該第二電晶體的大小大於該第一電晶體的大小。
简体摘要：本发明揭示一种用于去除水平噪声的影像传感器。该影像传感器包括：一像素数组，包括位于每列或行的复数个单位像素；一位于每列或行的模拟总线，用于传递该像素数组的输出信号；以及一读出电路，用于读取该模拟总线上所负载的该像素数组之该等输出信号，其中该读出电路包括：复数个第一晶体管，具有一连接到该行模拟总线的汲极及一连接到一供应电压的源极；以及一第二晶体管，具有一连接到该第二晶体管之一闸极及该等第一晶体管之闸极的汲极，及一连接到该供应电压的源极；其中，该第二晶体管的大小大于该第一晶体管的大小。

7. 发明专利

TW200731464A 影像感測器中金屬互連之形成方法 METHOD FOR FORMING METAL INTERCONNECTION IN IMAGE SENSOR 失效
简体标题：影像传感器中金属互连之形成方法 METHOD FOR FORMING METAL INTERCONNECTION IN IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW200731464A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095149961
申请日：2006-12-29
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：崔璟根 CHOI, KYEONG-KEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76801 , H01L21/76828 , H01L27/14636 , H01L27/14687
摘要：本發明揭示一種用於在一影像感測器中形成一金屬互連之方法,該方法包含:在一基板上形成一具有一接觸插塞之第一層間介電(ILD)層;在該第一ILD層上形成一擴散障壁層;執行一形成氣體退火;在該擴散障壁層上形成一第二ILD層;蝕刻該第二ILD層及該擴散障壁層以形成一渠溝;形成一導電層以填充該渠溝;及平坦化該導電層以形成一電連接至該接觸插塞之金屬互連。
简体摘要：本发明揭示一种用于在一影像传感器中形成一金属互连之方法,该方法包含:在一基板上形成一具有一接触插塞之第一层间介电(ILD)层;在该第一ILD层上形成一扩散障壁层;运行一形成气体退火;在该扩散障壁层上形成一第二ILD层;蚀刻该第二ILD层及该扩散障壁层以形成一渠沟;形成一导电层以填充该渠沟;及平坦化该导电层以形成一电连接至该接触插塞之金属互连。

8. 发明专利

TW200731165A 影像感測器中閃爍偵測電路及方法 FLICKER DETECTING CIRCUIT AND METHOD IN IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：影像传感器中闪烁侦测电路及方法 FLICKER DETECTING CIRCUIT AND METHOD IN IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW200731165A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095148674
申请日：2006-12-22
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李平雨 LEE, PYEONG-WOO , 金採盛 KIM, CHAE-SUNG , 李正局 LEE, JEONG-GUK
IPC分类号： G06T
CPC分类号： H04N5/235 , H04N5/2357
摘要：一種電路包括:一亮度平均値輸出單元,其用於自第一圖框及第二圖框之像素資料提取亮度値以產生用於該第一圖框之像素線的第一亮度平均値及用於該第二圖框之像素線的第二亮度平均値;一閃爍曲線產生單元,其用於自該等第一亮度平均値減去該等第二亮度平均値,藉此產生一閃爍曲線;及一閃爍偵測單元,其用於自該閃爍曲線提取複數個局部極小點、計算在該等所提取局部極小點之每兩個鄰近局部極小點之間的一距離且基於該等距離及該等距離之頻率數來判定該閃爍是否存在。
简体摘要：一种电路包括:一亮度平均値输出单元,其用于自第一图框及第二图框之像素数据提取亮度値以产生用于该第一图框之像素线的第一亮度平均値及用于该第二图框之像素线的第二亮度平均値;一闪烁曲线产生单元,其用于自该等第一亮度平均値减去该等第二亮度平均値,借此产生一闪烁曲线;及一闪烁侦测单元,其用于自该闪烁曲线提取复数个局部极小点、计算在该等所提取局部极小点之每两个邻近局部极小点之间的一距离且基于该等距离及该等距离之频率数来判定该闪烁是否存在。

9. 发明专利

TW200729453A 靜電放電保護電路 ESD PROTECTION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：静电放电保护电路 ESD PROTECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TW200729453A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095142310
申请日：2006-11-15
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金吉浩 KIM, KIL-HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0285 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係揭示一種ESD(靜電放電)保護電路,包括:一偵測單元,其用以偵測一信號之一上升時間,該信號流入一第一電力線及一第二電力線;一預驅動器,其用以緩衝該偵測單元之一輸出信號;及一功率鉗,其操作以回應該預驅動器之一輸出信號,及使該等第一及第二電力線互相連接。該偵測單元包括:一RC(電阻電容)濾波器,其串聯於該等第一與第二電力線之間;一第一反相器,其用以使該RC濾波器之一輸出反相;及一第一電容器,其連接於該第一電力線與該第一反相器之一第一電晶體之一源極端之間,當一功率雜訊施至該等第一及第二電力線時,該第一電容器用以防止一漏電流流經該第一反相器之該第一電晶體及一第二電晶體。
简体摘要：本发明系揭示一种ESD(静电放电)保护电路,包括:一侦测单元,其用以侦测一信号之一上升时间,该信号流入一第一电力线及一第二电力线;一预驱动器,其用以缓冲该侦测单元之一输出信号;及一功率钳,其操作以回应该预驱动器之一输出信号,及使该等第一及第二电力线互相连接。该侦测单元包括:一RC(电阻电容)滤波器,其串联于该等第一与第二电力线之间;一第一反相器,其用以使该RC滤波器之一输出反相;及一第一电容器,其连接于该第一电力线与该第一反相器之一第一晶体管之一源极端之间,当一功率噪声施至该等第一及第二电力线时,该第一电容器用以防止一漏电流流经该第一反相器之该第一晶体管及一第二晶体管。

10. 发明专利

TWI278107B 具有增大向外外觀之微透鏡的影像感測器及其製造方法 IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有增大向外外观之微透镜的影像传感器及其制造方法 IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI278107B
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094125810
申请日：2005-07-29
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金是範 KIM, SI-BUM
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02B3/0018 , G02B3/0056 , H01L27/14627 , H01L27/14685
摘要：本發明提供一種具有增大向外外觀之微透鏡的影像感測器及其製造方法。該影像感測器包括：複數個微透鏡，其係以一特定間隔距離形成於一半導體基板上；及一保護層，其形成於該等微透鏡上，其中該保護層包括一第一氧化物層，其係以一電漿加強化學氣相沉積(PECVD)法形成，及一第二氧化物層，其係以一旋轉塗佈玻璃(SOG)法形成於該第一氧化物層上，以維持該等微透鏡間裂口上充分之階梯覆蓋性。
简体摘要：本发明提供一种具有增大向外外观之微透镜的影像传感器及其制造方法。该影像传感器包括：复数个微透镜，其系以一特定间隔距离形成于一半导体基板上；及一保护层，其形成于该等微透镜上，其中该保护层包括一第一氧化物层，其系以一等离子加强化学气相沉积(PECVD)法形成，及一第二氧化物层，其系以一旋转涂布玻璃(SOG)法形成于该第一氧化物层上，以维持该等微透镜间裂口上充分之阶梯覆盖性。

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