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1. 发明专利

TWI695249B 可追蹤最大功率點的電源轉換裝置及其中之控制方法有权
简体标题：可追踪最大功率点的电源转换设备及其中之控制方法
公开(公告)号：TWI695249B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108125970
申请日：2019-07-23
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：劉國基 , LIU, KUO-CHI , 何昌佑 , HO, CHANG-YU
IPC分类号： G05F1/67

2. 发明专利

TW202015234A 高壓元件及其製造方法审中-公开
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202015234A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW107135570
申请日：2018-10-09
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 游焜煌 , YU, KUN-HUANG , 林盈秀 , LIN, YING-SHIOU , 陳巨峰 , CHEN, CHU-FENG , 洪崇祐 , HUNG, CHUNG-YU , 涂宜融 , TU, Y-RONG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/71 , H01L21/336
摘要：本發明提出一種高壓元件及其製造方法。高壓元件包含：半導體層，形成於基板上，半導體層具有第一溝槽；井區，具有第一導電型，形成於半導體層中；本體區，具有第二導電型，形成於井區中；閘極，形成於井區上方並連接於井區；源極與汲極，具有第一導電型，源極與汲極分別位於閘極之外部不同側下方之本體區中與井區中；以及漂移氧化區，形成於漂移區正上方，且漂移氧化區之底面高於第一溝槽之第一溝槽底面。
简体摘要：本发明提出一种高压组件及其制造方法。高压组件包含：半导体层，形成于基板上，半导体层具有第一沟槽；井区，具有第一导电型，形成于半导体层中；本体区，具有第二导电型，形成于井区中；闸极，形成于井区上方并连接于井区；源极与汲极，具有第一导电型，源极与汲极分别位于闸极之外部不同侧下方之本体区中与井区中；以及漂移氧化区，形成于漂移区正上方，且漂移氧化区之底面高于第一沟槽之第一沟槽底面。

3. 发明专利

TWI690139B 返馳式電源供應電路及其中之控制電路與控制方法有权
简体标题：返驰式电源供应电路及其中之控制电路与控制方法
公开(公告)号：TWI690139B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108129437
申请日：2019-08-19
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊大勇 , YANG, TA-YUNG , 陳昭錡 , CHEN, CHAO-CHI , 蔡振泓 , TSAI, CHEN-HUNG , 李俊慶 , LI, CHUH-CHING
IPC分类号： H02M1/08 , H02H9/04

4. 发明专利

TW202008584A 高壓元件及其製造方法审中-公开
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202008584A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107127270
申请日：2018-08-06
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 陳巨峰 , CHEN, CHU-FENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/70 , H01L21/8238
摘要：本發明提出一種高壓元件及其製造方法。高壓元件包含：半導體層、絕緣結構、深井區、埋層、第一高壓井區、第一導電型井區、第二高壓井區、本體區、本體極、深井柱、閘極以及源極與汲極。其中，深井柱於通道方向上，介於閘極之導電層靠近源極之一側，與汲極之間，以提供少數載子吸收通道，而抑制寄生電晶體導通。
简体摘要：本发明提出一种高压组件及其制造方法。高压组件包含：半导体层、绝缘结构、深井区、埋层、第一高压井区、第一导电型井区、第二高压井区、本体区、本体极、深井柱、闸极以及源极与汲极。其中，深井柱于信道方向上，介于闸极之导电层靠近源极之一侧，与汲极之间，以提供少数载子吸收信道，而抑制寄生晶体管导通。

5. 发明专利

TWI668802B 金屬氧化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI668802B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107121380
申请日：2018-06-21
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L27/105

6. 发明专利

TWI641136B 上橋功率元件及其製造方法有权
简体标题：上桥功率组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI641136B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW106119390
申请日：2017-06-12
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/335

7. 发明专利

TW201840109A 電源轉換裝置、慢啟動電路與電源控制晶片审中-公开
简体标题：电源转换设备、慢启动电路与电源控制芯片
公开(公告)号：TW201840109A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113386
申请日：2017-04-21
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：何峻徹 , HO, JYUN-CHE , 陳曜洲 , CHEN, ISAAC Y. , 李一惟 , LEE, YI-WEI
IPC分类号： H02M1/36
摘要：一種電源轉換裝置，其中包含：一電壓轉換電路，具有一第一側與一第二側，第一側接收一整流電壓以於第二側產生一輸出電壓，第一側具有一第一側開關；一開關控制電路，具有啟動狀態與正常工作狀態，開關控制電路提供控制訊號至第一側開關之控制端；一啟動電路，於開關控制電路處於啟動狀態時，提供電流給控制端，以使第一側開關至少部分導通；以及一慢啟動電路，於開關控制電路處於啟動狀態中，且輸出電壓之位準於一第一預定時間內未到達一預定位準時，慢啟動電路在第一預定時間之後一第二預定時間內，減少提供給控制端之電流總量。
简体摘要：一种电源转换设备，其中包含：一电压转换电路，具有一第一侧与一第二侧，第一侧接收一整流电压以于第二侧产生一输出电压，第一侧具有一第一侧开关；一开关控制电路，具有启动状态与正常工作状态，开关控制电路提供控制信号至第一侧开关之控制端；一启动电路，于开关控制电路处于启动状态时，提供电流给控制端，以使第一侧开关至少部分导通；以及一慢启动电路，于开关控制电路处于启动状态中，且输出电压之位准于一第一预定时间内未到达一预定位准时，慢启动电路在第一预定时间之后一第二预定时间内，减少提供给控制端之电流总量。

8. 发明专利

TWI638527B 數位類比轉換電路及其數位類比轉換方法有权
简体标题：数码模拟转换电路及其数码模拟转换方法
公开(公告)号：TWI638527B
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW106116235
申请日：2017-05-17
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：蕭鳴均 , HSIAO, MING-JUN , 陳宗益 , CHEN, ZONG-YI
IPC分类号： H03M1/08 , H03M1/66 , H03M1/86

9. 发明专利

TWI635617B 高壓金屬氧化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：高压金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI635617B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106115549
申请日：2017-05-11
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 陳巨峰 , CHEN, CHU-FENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

10. 发明专利

TW201826535A 改善臨界電壓下滑的金屬氧化物半導體元件及金屬氧化物半導體元件的臨界電壓下滑改善方法审中-公开
简体标题：改善临界电压下滑的金属氧化物半导体组件及金属氧化物半导体组件的临界电压下滑改善方法
公开(公告)号：TW201826535A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106100292
申请日：2017-01-05
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 林盈秀 , LIN, YING-SHIOU
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要：本發明提出一種改善臨界電壓下滑的金屬氧化物半導體元件及金屬氧化物半導體元件的臨界電壓下滑改善方法，其包含: 井區、絕緣結構、閘極、二輕摻雜擴散區、源極、汲極與補償摻雜區。補償摻雜區大致上沿通道長度方向與至少部分絕緣結構凹陷區鄰接。由剖視圖視之，補償摻雜區沿通道長度方向與絕緣結構的交界處，於通道寬度方向上，於元件區內部與外部，分別具有摻雜寬度，各摻雜寬度不大於寬度的10%。由剖視圖視之，補償摻雜區於通道長度方向上，自上表面開始沿著垂直方向而向下計算的深度，不深於井區自垂直方向而向下計算的深度。
简体摘要：本发明提出一种改善临界电压下滑的金属氧化物半导体组件及金属氧化物半导体组件的临界电压下滑改善方法，其包含: 井区、绝缘结构、闸极、二轻掺杂扩散区、源极、汲极与补偿掺杂区。补偿掺杂区大致上沿信道长度方向与至少部分绝缘结构凹陷区邻接。由剖视图视之，补偿掺杂区沿信道长度方向与绝缘结构的交界处，于信道宽度方向上，于组件区内部与外部，分别具有掺杂宽度，各掺杂宽度不大于宽度的10%。由剖视图视之，补偿掺杂区于信道长度方向上，自上表面开始沿着垂直方向而向下计算的深度，不深于井区自垂直方向而向下计算的深度。

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