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1. 发明专利

TW200533909A 孔隙率之測定方法及裝置暨粒子率之測定方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR VOID CONTENT MEASUREMENT AND METHOD AND APPARATUS FOR PARTICLE CONTENT MEASUREMENT 审中-公开
简体标题：孔隙率之测定方法及设备暨粒子率之测定方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR VOID CONTENT MEASUREMENT AND METHOD AND APPARATUS FOR PARTICLE CONTENT MEASUREMENT
公开(公告)号：TW200533909A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094106181
申请日：2005-03-02
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：伊藤義泰 YOSHIYASU ITO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/201 , G01N15/088 , G01N2015/086
摘要：本發明之技術課題在於，即使在孔隙14或粒子16無序分散於薄膜10中，觀測不出繞射線情況下，仍可使用X射線小角度散射測定來求出孔隙率或粒子率。其大略區分有三種方法。第1方法使用孔隙率或粒子率已知的試料來決定X射線小角度散射裝置的裝置常數，使用該裝置常數算出未知的孔隙率或粒子率。第2方法準備基質密度雖未知卻彼此相同，孔隙率或粒子率不同的複數試料，對各試料求出X射線小角度散射的尺度因子，使用此等尺度因子，根據「試料間的基質密度變成最小」的條件，決定各試料的基質密度。根據該基質密度及尺度因子，算出孔隙率或粒子率。於基質密度已知，粒子密度未知情況下，第3方法採用類似於第2方法的方法。
简体摘要：本发明之技术课题在于，即使在孔隙14或粒子16无序分散于薄膜10中，观测不出绕射线情况下，仍可使用X射线小角度散射测定来求出孔隙率或粒子率。其大略区分有三种方法。第1方法使用孔隙率或粒子率已知的试料来决定X射线小角度散射设备的设备常数，使用该设备常数算出未知的孔隙率或粒子率。第2方法准备基质密度虽未知却彼此相同，孔隙率或粒子率不同的复数试料，对各试料求出X射线小角度散射的尺度因子，使用此等尺度因子，根据“试料间的基质密度变成最小”的条件，决定各试料的基质密度。根据该基质密度及尺度因子，算出孔隙率或粒子率。于基质密度已知，粒子密度未知情况下，第3方法采用类似于第2方法的方法。

2. 发明专利

TW200516244A 膜構造解析方法及其裝置 METHOD FOR ANALYZING FILM STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR 审中-公开
简体标题：膜构造解析方法及其设备 METHOD FOR ANALYZING FILM STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR
公开(公告)号：TW200516244A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW093129363
申请日：2004-09-29
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：伊藤義泰 ITO, YOSHIYASU , 表和彥 OMOTE, KAZUHIKO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/201
摘要：本發明的課題在於提供一種即使於粒子／空孔的絕對量較少時，亦可以高精密度來解析粒子／空孔尺寸分佈，並評估表面界面形狀之膜構造解析方法及其裝置。本發明之膜構造解析方法，係對於藉由對由單層膜或是多層膜所組成之膜試料的表面射入來自於臨界角附近之角度的X光所得到的實測X光散射強度曲線，藉由改變用以至少1個以上顯示試料物性的參數，而擬合經由模擬運算所獲得的模擬X光散射曲線，以求取實測X光散射曲線及模擬X光散射曲線的差異為最小時的參數值做為最適值，而決定膜試料的構造者，其特徵為：以相對於膜試料表面之射入角度及射出角度不具有相關關係的方式，設定複數組的射入角度及射出角度，並針對各個射入角度及射出角度的組，對於藉由測定X光強度所得到之實測X光散射曲線進行擬合。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种即使于粒子／空孔的绝对量较少时，亦可以高精密度来解析粒子／空孔尺寸分布，并评估表面界面形状之膜构造解析方法及其设备。本发明之膜构造解析方法，系对于借由对由单层膜或是多层膜所组成之膜试料的表面射入来自于临界角附近之角度的X光所得到的实测X光散射强度曲线，借由改变用以至少1个以上显示试料物性的参数，而拟合经由仿真运算所获得的仿真X光散射曲线，以求取实测X光散射曲线及仿真X光散射曲线的差异为最小时的参数值做为最适值，而决定膜试料的构造者，其特征为：以相对于膜试料表面之射入角度及射出角度不具有相关关系的方式，设置复数组的射入角度及射出角度，并针对各个射入角度及射出角度的组，对于借由测定X光强度所得到之实测X光散射曲线进行拟合。

3. 发明专利

TWI254794B X射線繞射裝置 X-RAY DIFFRACTION APPARATUS 失效
简体标题： X射线绕射设备 X-RAY DIFFRACTION APPARATUS
公开(公告)号：TWI254794B
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：TW093108081
申请日：2004-03-25
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：表和彥 KAZUHIKO OMOTE
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/20 , G21K1/06
摘要：本發明有關於可同平面(in-plane)繞射測定之X射線繞射裝置。從入射光學系(22)出射之X射線，入射到被支持在試料支持機構(24)之試料(60)，來自該處之繞射X射線以受光光學系(26)檢測。入射光學系具備有X射線源(66)和多層膜鏡(76)。試料支持機構之姿勢控制裝置(36，40)用來變換第1狀態和第2狀態，在第1狀態將試料維持在第1姿勢使試料之法線(61)平行於第1旋轉中心線(32)，在第2狀態維持在第2姿勢成為垂直之方式。當將試料維持在第1姿勢使受光光學系圍繞第1旋轉中心線進行旋轉時，成為可以進行同平面繞射測定。另外一方面，當將試料維持在第2姿勢使受光光學系同樣的旋轉時，成為可以進行不同平面繞射測定。
简体摘要：本发明有关于可同平面(in-plane)绕射测定之X射线绕射设备。从入射光学系(22)出射之X射线，入射到被支持在试料支持机构(24)之试料(60)，来自该处之绕射X射线以受光光学系(26)检测。入射光学系具备有X射线源(66)和多层膜镜(76)。试料支持机构之姿势控制设备(36，40)用来变换第1状态和第2状态，在第1状态将试料维持在第1姿势使试料之法线(61)平行于第1旋转中心线(32)，在第2状态维持在第2姿势成为垂直之方式。当将试料维持在第1姿势使受光光学系围绕第1旋转中心线进行旋转时，成为可以进行同平面绕射测定。另外一方面，当将试料维持在第2姿势使受光光学系同样的旋转时，成为可以进行不同平面绕射测定。

4. 发明专利

TW200537090A X射線反射率之測定方法 METHOD OF X-RAY REFLECTANCE MEASUREMENT 审中-公开
简体标题： X射线反射率之测定方法 METHOD OF X-RAY REFLECTANCE MEASUREMENT
公开(公告)号：TW200537090A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094108332
申请日：2005-03-18
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：表和彥 KAZUHIKO OMOTE
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/20
摘要：本發明之課題在於，使用上限計數率在10^7cps以上的X射線檢測器，於數秒左右的短時間內測定X射線反射率。此外，在大的動態範圍內獲得高精度的反射率曲線。使用上限計數率在10^7cps以上、雜訊位準在20cps以下的X射線檢測器，將散射角2θ的每一點的測定時間設定在50毫秒以下，以測定X射線反射率。藉此，可在數秒左右的短時間內測定X射線反射率，動態範圍亦可確保在5位數左右。又，使用上限計數率在10^7cps以上、雜訊位準在0.01cps以下的X射線檢測器，將散射角2θ的每一點的測定時間的最大值設定在100秒以上，以測定X射線反射率。藉此，可在9位數的動態範圍內獲得反射率曲線，可進行高精度的薄膜構造解析。於任一情況下，均可利用崩潰光二極體作為X射線檢測器。
简体摘要：本发明之课题在于，使用上限计数率在10^7cps以上的X射线检测器，于数秒左右的短时间内测定X射线反射率。此外，在大的动态范围内获得高精度的反射率曲线。使用上限计数率在10^7cps以上、噪声位准在20cps以下的X射线检测器，将散射角2θ的每一点的测定时间设置在50毫秒以下，以测定X射线反射率。借此，可在数秒左右的短时间内测定X射线反射率，动态范围亦可确保在5位数左右。又，使用上限计数率在10^7cps以上、噪声位准在0.01cps以下的X射线检测器，将散射角2θ的每一点的测定时间的最大值设置在100秒以上，以测定X射线反射率。借此，可在9位数的动态范围内获得反射率曲线，可进行高精度的薄膜构造解析。于任一情况下，均可利用崩溃光二极管作为X射线检测器。

5. 发明专利

TW200525143A 膜構造解析方法及其裝置 METHOD FOR ANALYZING MEMBRANE STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR 失效
简体标题：膜构造解析方法及其设备 METHOD FOR ANALYZING MEMBRANE STRUCTURE AND APPARATUS THEREFOR
公开(公告)号：TW200525143A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093130085
申请日：2004-10-05
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：伊藤義泰 ITO, YOSHIYASU , 表和彥 OMOTE, KAZUHIKO
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/20
摘要：本發明係提供一種將單層膜或多層膜所成膜試料的構造，以X線反射率測定法解析之膜構造解析方法中，將同一膜試料以分解能及動態範圍(dynamic range)二者之至少一個條件相異之測試條件進行測定之多個測定數據，予以同時解析，以決定膜構造之膜構造解析方法。本發明係對X線反射率測定所獲得的測定數據，進行配適(fitting)模擬(simulation)演算數據，解析膜構造之膜構造解析時，可防止由配適之解析結果陷於局部性之解析，而能獲得高準確度的膜構造解析結果之膜構造解析方法及其裝置。
简体摘要：本发明系提供一种将单层膜或多层膜所成膜试料的构造，以X线反射率测定法解析之膜构造解析方法中，将同一膜试料以分解能及动态范围(dynamic range)二者之至少一个条件相异之测试条件进行测定之多个测定数据，予以同时解析，以决定膜构造之膜构造解析方法。本发明系对X线反射率测定所获得的测定数据，进行配适(fitting)仿真(simulation)演算数据，解析膜构造之膜构造解析时，可防止由配适之解析结果陷于局部性之解析，而能获得高准确度的膜构造解析结果之膜构造解析方法及其设备。

6. 发明专利

TW200508600A X射線繞射裝置 X-RAY DIFFRACTION APPARATUS 失效
简体标题： X射线绕射设备 X-RAY DIFFRACTION APPARATUS
公开(公告)号：TW200508600A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093108081
申请日：2004-03-25
申请人：理學股份有限公司 RIGAKU C0RPORATION
发明人：表和彥 KAZUHIKO OMOTE
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N23/20 , G21K1/06
摘要：本發明有關於可同平面(in-plane)繞射測定之X射線繞射裝置。從入射光學系(22)出射之X射線，入射到被支持在試料支持機構(24)之試料(60)，來自該處之繞射X射線以受光光學系(26)檢測。入射光學系具備有X射線源(66)和多層膜鏡(76)。試料支持機構之姿勢控制裝置(36，40)用來變換第1狀態和第2狀態，在第1狀態將試料維持在第1姿勢使試料之法線(61)平行於第1旋轉中心線(32)，在第2狀態維持在第2姿勢成為垂直之方式。當將試料維持在第1姿勢使受光光學系圍繞第1旋轉中心線進行旋轉時，成為可以進行同平面繞射測定。另外一方面，當將試料維持在第2姿勢使受光光學系同樣的旋轉時，成為可以進行不同平面繞射測定。
简体摘要：本发明有关于可同平面(in-plane)绕射测定之X射线绕射设备。从入射光学系(22)出射之X射线，入射到被支持在试料支持机构(24)之试料(60)，来自该处之绕射X射线以受光光学系(26)检测。入射光学系具备有X射线源(66)和多层膜镜(76)。试料支持机构之姿势控制设备(36，40)用来变换第1状态和第2状态，在第1状态将试料维持在第1姿势使试料之法线(61)平行于第1旋转中心线(32)，在第2状态维持在第2姿势成为垂直之方式。当将试料维持在第1姿势使受光光学系围绕第1旋转中心线进行旋转时，成为可以进行同平面绕射测定。另外一方面，当将试料维持在第2姿势使受光光学系同样的旋转时，成为可以进行不同平面绕射测定。

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