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1. 发明专利

TWI303090B 使用反射儀進行圖型化基體處理之即時監視方法 METHOD FOR IN-SITU MONITORING OF PATTERNED SUBSTRATE PROCESSING USING REFLECTOMETRY 有权
简体标题：使用反射仪进行图型化基体处理之实时监视方法 METHOD FOR IN-SITU MONITORING OF PATTERNED SUBSTRATE PROCESSING USING REFLECTOMETRY
公开(公告)号：TWI303090B
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：TW092122020
申请日：2003-08-11
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：維亞庫瑪佛納古波 VENUGOPAL, VIJAYAKUMAR C. , 安德魯佩瑞 PERRY, ANDREW J.
IPC分类号： H01L , G01B
CPC分类号： G01B11/0683 , G01B11/0616 , G01B11/0625 , H01L27/1087 , H01L29/66181
摘要：一種決定圖型化基體製造期間有影響參數之方法包括
利用垂直入射光束照射圖型化基體的至少一部分、自垂直
反射光束獲得圖型化基體該部位的量測淨反射比光譜、計
算圖型化基體該部位的模型化淨反射比光譜、及決定一組
提供量測淨反射比光譜和模型化淨反射比光譜之間密切匹
配的參數。模型化淨反射比光譜被計算當作來自構成圖型
化基體該部位的n≧1不同區之反射比的加權不相干總
和,其中n不同區每一個的反射比是來自構成該區的k≧1
橫向區別範圍之反射場的加權相干總和。
简体摘要：一种决定图型化基体制造期间有影响参数之方法包括利用垂直入射光束照射图型化基体的至少一部分、自垂直反射光束获得图型化基体该部位的量测净反射比光谱、计算图型化基体该部位的模型化净反射比光谱、及决定一组提供量测净反射比光谱和模型化净反射比光谱之间密切匹配的参数。模型化净反射比光谱被计算当作来自构成图型化基体该部位的n≧1不同区之反射比的加权不相干总和,其中n不同区每一个的反射比是来自构成该区的k≧1 横向区别范围之反射场的加权相干总和。

2. 发明专利

TW200837809A 快速氣體轉換電漿處理設備 FAST GAS SWITCHING PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：快速气体转换等离子处理设备 FAST GAS SWITCHING PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200837809A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096143232
申请日：2007-11-15
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：史沙加地 SADJADI, S. M. REZA , 黃興頌 HUANG, ZHISONG , 荷西山姆 SAM, JOSE TONG , 伊瑞凌斯 LENZ, ERIC H. , 拉金德丁沙 DHINDSA, RAJINDER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32155 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：提供一具有電漿限制區之電漿室,該電漿限制區設有一電極。一用於提供第一氣體與第二氣體之氣體分配系統係連接至該電漿室,其中該氣體分配系統可實質上在少於一秒之時期內以另一氣體取代該電漿區中之一氣體。用於在第一頻率範圍中提供電力至該電極之第一頻率調諧RF電源係電連接至該至少一電極,其中該第一頻率調諧RF電源能夠使經反射之RF電源減至最小。提供用於在該第一頻率範圍之外的第二頻率範圍中提供電力至該電漿室之第二頻率調諧RF電源,其中該第二頻率調諧RF電源能夠使經反射之RF電源減至最小。
简体摘要：提供一具有等离子限制区之等离子室,该等离子限制区设有一电极。一用于提供第一气体与第二气体之气体分配系统系连接至该等离子室,其中该气体分配系统可实质上在少于一秒之时期内以另一气体取代该等离子区中之一气体。用于在第一频率范围中提供电力至该电极之第一频率调谐RF电源系电连接至该至少一电极,其中该第一频率调谐RF电源能够使经反射之RF电源减至最小。提供用于在该第一频率范围之外的第二频率范围中提供电力至该等离子室之第二频率调谐RF电源,其中该第二频率调谐RF电源能够使经反射之RF电源减至最小。

3. 发明专利

TW200834363A 使用已知最佳方法來建立製作法之方法及配置 METHODS AND ARRANGEMENT FOR CREATING RECIPES USING BEST-KNOWN METHODS 审中-公开
简体标题：使用已知最佳方法来创建制作法之方法及配置 METHODS AND ARRANGEMENT FOR CREATING RECIPES USING BEST-KNOWN METHODS
公开(公告)号：TW200834363A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096136031
申请日：2007-09-27
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黃忠河 HUANG, CHUNG-HO , 范世鈞 FAN, SHIH-JEUN , 張金全 CHANG, CHIN-CHUAN , 尼可拉斯布萊特 BRIGHT, NICOLAS
IPC分类号： G06F , H01L
CPC分类号： G06N5/022 , G05B2219/32097 , G05B2219/45031
摘要：提供一影響在處理系統中用來處理基板之製作法之建立的方法。該方法包括提供一由已知最佳方法所驅動的製作法編輯器。該由已知最佳方法所驅動的製作法編輯器結合諸已知最佳方法(BKMs),該等BKMs為用於該製作法的最佳實施規格。該方法也包括根據用於該製作法的該等BKMs而建立複數個BKM模組。該方法另包括為該複數個BKM模組中的參數定義規則。該等規則係藉由該等BKMs來予以傳播。該方法另再包括藉由使用該由已知最佳方法所驅動的製作法編輯器來建立由BKM所驅動的製作法,以在該等BKM規則的指導方針內輸入用於該等參數之値。
简体摘要：提供一影响在处理系统中用来处理基板之制作法之创建的方法。该方法包括提供一由已知最佳方法所驱动的制作法编辑器。该由已知最佳方法所驱动的制作法编辑器结合诸已知最佳方法(BKMs),该等BKMs为用于该制作法的最佳实施规格。该方法也包括根据用于该制作法的该等BKMs而创建复数个BKM模块。该方法另包括为该复数个BKM模块中的参数定义守则。该等守则系借由该等BKMs来予以传播。该方法另再包括借由使用该由已知最佳方法所驱动的制作法编辑器来创建由BKM所驱动的制作法,以在该等BKM守则的指导方针内输入用于该等参数之値。

4. 发明专利

TW200832548A 包含利用自行組合單層之蝕刻層鈍化技術的半導體製程 SEMICONDUCTOR PROCESSING INCLUDING ETCHED LAYER PASSIVATION USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER 审中-公开
简体标题：包含利用自行组合单层之蚀刻层钝化技术的半导体制程 SEMICONDUCTOR PROCESSING INCLUDING ETCHED LAYER PASSIVATION USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER
公开(公告)号：TW200832548A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096133909
申请日：2007-09-11
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：韓太準 HAN, TAEJOON , 周三俊 CHO, SANG JUN , 周星金 CHO, SUNG-JIN , 崔堂 CHOI, TOM , 普拉哈卡拉高帕拉達蘇 GOPALADASU, PRABHAKARA , 康祥熙 KANG, SEAN S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76831 , H01L21/3105 , H01L21/76826
摘要：本發明係關於在半導體基板之表面上形成多孔性氧化矽層而將兩導電金屬層予以電性隔離之積體電路製程中,一種穿透該多孔性氧化矽層的通道,係具有蝕刻透過該多孔性氧化矽層的通口;一種自行組合單層,係貼附於通口經蝕刻之表面且貼附於暴露的孔洞;以及一種導電材料,係填滿該通口。
简体摘要：本发明系关于在半导体基板之表面上形成多孔性氧化硅层而将两导电金属层予以电性隔离之集成电路制程中,一种穿透该多孔性氧化硅层的信道,系具有蚀刻透过该多孔性氧化硅层的通口;一种自行组合单层,系贴附于通口经蚀刻之表面且贴附于暴露的孔洞;以及一种导电材料,系填满该通口。

5. 发明专利

TW200830405A 三層型抗蝕劑有機層之蝕刻 TRILAYER RESIST ORGANIC LAYER ETCH 审中-公开
简体标题：三层型抗蚀剂有机层之蚀刻 TRILAYER RESIST ORGANIC LAYER ETCH
公开(公告)号：TW200830405A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096129260
申请日：2007-08-08
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：康祥熙 KANG, SEAN S. , 周三俊 CHO, SANG JUN , 崔堂 CHOI, TOM , 韓太準 HAN, TAEJOON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76808
摘要：本發明提供一種於多孔型低k介電層中形成雙鑲嵌特徵圖案(feature)的方法。於多孔型低k介電層中形成通孔。在多孔型低k介電層上形成一有機平面化層,其中該有機層填充該通孔。於該有機平面化層上形成一光阻劑遮罩。於該有機平面化層內蝕刻出特徵圖案,其方法包括提供一含CO2的蝕刻氣體及從該含CO2的蝕刻氣體形成電漿,該電漿蝕刻該有機平面化層。使用該有機平面化層作為遮罩,於該多孔型低k介電層內蝕刻出溝槽。剝除該有機平面化層。
简体摘要：本发明提供一种于多孔型低k介电层中形成双镶嵌特征图案(feature)的方法。于多孔型低k介电层中形成通孔。在多孔型低k介电层上形成一有机平面化层,其中该有机层填充该通孔。于该有机平面化层上形成一光阻剂遮罩。于该有机平面化层内蚀刻出特征图案,其方法包括提供一含CO2的蚀刻气体及从该含CO2的蚀刻气体形成等离子,该等离子蚀刻该有机平面化层。使用该有机平面化层作为遮罩,于该多孔型低k介电层内蚀刻出沟槽。剥除该有机平面化层。

6. 发明专利

TW200820340A 相變化合金蝕刻 PHASE CHANGE ALLOY ETCH 审中-公开
简体标题：相变化合金蚀刻 PHASE CHANGE ALLOY ETCH
公开(公告)号：TW200820340A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096122069
申请日：2007-06-20
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：符謙 FU, QIAN , 劉玄江 LIU, SHENJIAN , 李琳達 LEE, LINDA FUNG-MING
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J2237/3341 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要：本發明提供一種形成裝置的方法,其中提供一相變化層。該相變化層的蝕刻是藉由提供具有含溴化合物之一蝕刻氣體,以及從該蝕刻氣體形成一電漿而完成。該相變化層是一種可以由電流加熱然後冷卻的材料,並且隨著該材料冷卻的速度而形成一非晶體材料或一晶體材料。此外,該非晶體材料具有至少比該晶體材料的電阻大好幾倍的電阻。
简体摘要：本发明提供一种形成设备的方法,其中提供一相变化层。该相变化层的蚀刻是借由提供具有含溴化合物之一蚀刻气体,以及从该蚀刻气体形成一等离子而完成。该相变化层是一种可以由电流加热然后冷却的材料,并且随着该材料冷却的速度而形成一非晶体材料或一晶体材料。此外,该非晶体材料具有至少比该晶体材料的电阻大好几倍的电阻。

7. 发明专利

TW200809007A 用於最佳化的電漿室接地電極總成之裝置 APPARATUS FOR AN OPTIMIZED PLASMA CHAMBER GROUNDED ELECTRODE ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：用于最优化的等离子室接地电极总成之设备 APPARATUS FOR AN OPTIMIZED PLASMA CHAMBER GROUNDED ELECTRODE ASSEMBLY
公开(公告)号：TW200809007A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW095147512
申请日：2006-12-18
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：阿諾德柯勒登柯 KHOLODENKO, ARNOLD , 安渥休森 HUSAIN, ANWAR
IPC分类号： C23F , C23C
CPC分类号： H01J37/32532 , H01J37/32055 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32458 , H01J37/32559 , H01J37/32577 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/67069
摘要：揭露一種電極總成,組態成提供針對電漿處理系統之電漿處理室的接地路徑。該裝置包含組態成暴露至電漿之電極。該裝置亦包含設置在該電極之上的加熱器板,其中該加熱器板組態成加熱該電極。該裝置進一步包含設置在該電極之上的冷卻板,其中該冷卻器板組態成冷卻該電極。該裝置亦包含電漿室蓋,組態成限制該電漿於該電漿室內,其中該電漿室蓋包含地線。該裝置進一步包含夾環,組態成固定該電極、該加熱器板、以及冷卻板至該電漿室蓋,該夾環進一步組態成從該電極提供該接地路徑至該室蓋。
简体摘要：揭露一种电极总成,组态成提供针对等离子处理系统之等离子处理室的接地路径。该设备包含组态成暴露至等离子之电极。该设备亦包含设置在该电极之上的加热器板,其中该加热器板组态成加热该电极。该设备进一步包含设置在该电极之上的冷却板,其中该冷却器板组态成冷却该电极。该设备亦包含等离子室盖,组态成限制该等离子于该等离子室内,其中该等离子室盖包含地线。该设备进一步包含夹环,组态成固定该电极、该加热器板、以及冷却板至该等离子室盖,该夹环进一步组态成从该电极提供该接地路径至该室盖。

8. 发明专利

TW200806095A 用以創造高效率下游微波電漿系統的方法和設備 METHODS AND ARRANGEMENT FOR CREATING A HIGHLY EFFICIENT DOWNSTREAM MICROWAVE PLASMA SYSTEM 审中-公开
简体标题：用以创造高效率下游微波等离子系统的方法和设备 METHODS AND ARRANGEMENT FOR CREATING A HIGHLY EFFICIENT DOWNSTREAM MICROWAVE PLASMA SYSTEM
公开(公告)号：TW200806095A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW095147513
申请日：2006-12-18
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：蒙漢馬德甘馬利西 KAMAREHI, MOHAMMAD , 王英彥 WANG, ING-YANN ALBERT
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32229 , H01J37/32266 , H01J37/32357
摘要：一種電漿產生設備,其被建構用於提供電漿向下游至一電漿處理室。該設備包含一微波波導總成,其具有和第一軸線平行的一縱軸線。該設備也包含一電漿管總成,其和該微波波導總成相交。該電漿管總成具有和第二軸線平行的一縱軸線,該第二軸線和該第一軸線實質地正交。該電漿管總成也具有一電漿維持區域,該電漿維持區域由一上游複數電漿陷阱和一下游複數電漿陷阱所界定。
简体摘要：一种等离子产生设备,其被建构用于提供等离子向下游至一等离子处理室。该设备包含一微波波导总成,其具有和第一轴线平行的一纵轴线。该设备也包含一等离子管总成,其和该微波波导总成相交。该等离子管总成具有和第二轴线平行的一纵轴线,该第二轴线和该第一轴线实质地正交。该等离子管总成也具有一等离子维持区域,该等离子维持区域由一上游复数等离子猫腻和一下游复数等离子猫腻所界定。

9. 发明专利

TW200738577A 用於電漿處理系統之刻痕停止脈波程序 NOTCH STOP PULSING PROCESS FOR PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统之刻痕停止脉波进程 NOTCH STOP PULSING PROCESS FOR PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200738577A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095146035
申请日：2006-12-08
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：坦馬拉克潘霍梭波 PANDHUMSOPORN, TAMARAK , 奧佛德高佛 COFER, ALFERD
IPC分类号： C03C , H01L
CPC分类号： H01L21/30655
摘要：一種在具有底部電極之電漿處理室中蝕刻其上具有矽層之基板的方法,在蝕刻期間,該基板係配置在該底部電極上。該方法包括實施一主蝕刻步驟。該方法也包括當在該矽層中達到矽層厚度之至少70%的預定蝕刻深度時終止該主蝕刻步驟。該方法另包括實施一過蝕刻步驟。該過蝕刻步驟包括第一處理步驟及第二處理步驟。該第一處理步驟係使用施加於該底部電極的第一底部功率位準來予以實施。該第二處理步驟係使用施加於該底部電極之比該第一底部功率位準更低的第二底部功率位準來予以實施。該第一處理步驟及該第二處理步驟係交替地實施複數次。該方法還包括在蝕穿矽層後終止該過蝕刻步驟。
简体摘要：一种在具有底部电极之等离子处理室中蚀刻其上具有硅层之基板的方法,在蚀刻期间,该基板系配置在该底部电极上。该方法包括实施一主蚀刻步骤。该方法也包括当在该硅层中达到硅层厚度之至少70%的预定蚀刻深度时终止该主蚀刻步骤。该方法另包括实施一过蚀刻步骤。该过蚀刻步骤包括第一处理步骤及第二处理步骤。该第一处理步骤系使用施加于该底部电极的第一底部功率位准来予以实施。该第二处理步骤系使用施加于该底部电极之比该第一底部功率位准更低的第二底部功率位准来予以实施。该第一处理步骤及该第二处理步骤系交替地实施复数次。该方法还包括在蚀穿硅层后终止该过蚀刻步骤。

10. 发明专利

TW200737299A 減低線邊緣粗糙度 REDUCING LINE EDGE ROUGHNESS 审中-公开
简体标题：减低线边缘粗糙度 REDUCING LINE EDGE ROUGHNESS
公开(公告)号：TW200737299A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096101612
申请日：2007-01-16
申请人：泛林股份有限公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：黃興頌 HUANG, ZHISONG , 史沙加地 SADJADI, S. M. REZA , 李魯民 LI, LUMIN , 柯南江 CHIANG, CONAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要：提供一種在一蝕刻層中形成特徵的方法,該蝕刻層係配置於具有特徵的一遮罩下方。調節該遮罩。該調節包含:提供基本上由至少一惰性氣體所組成的一調節氣體;從該調節氣體形成一電漿;以及將該遮罩暴露至來自該調節氣體的該電漿。縮減該遮罩的該些特徵。經由該遮罩的該些縮減特徵而將特徵蝕刻至該蝕刻層。
简体摘要：提供一种在一蚀刻层中形成特征的方法,该蚀刻层系配置于具有特征的一遮罩下方。调节该遮罩。该调节包含:提供基本上由至少一惰性气体所组成的一调节气体;从该调节气体形成一等离子;以及将该遮罩暴露至来自该调节气体的该等离子。缩减该遮罩的该些特征。经由该遮罩的该些缩减特征而将特征蚀刻至该蚀刻层。

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