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1. 发明专利

TWI315080B 基板處理裝置、使用於該基板處理裝置之加熱裝置、使用上述物件之半導體製造方法及發熱體保持構造 BASEPLATE PROCESSING EQUIPMENT, HEATING DEVICE USED ON THE BASEPLATE PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS WITH THOSE APPARATUS, AND HEATING ELEMENT SUPPORTING STRUCTURE 有权
简体标题：基板处理设备、使用于该基板处理设备之加热设备、使用上述对象之半导体制造方法及发热体保持构造 BASEPLATE PROCESSING EQUIPMENT, HEATING DEVICE USED ON THE BASEPLATE PROCESSING EQUIPMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTORS WITH THOSE APPARATUS, AND HEATING ELEMENT SUPPORTING STRUCTURE
公开(公告)号：TWI315080B
公开(公告)日：2009-09-21
申请号：TW095131065
申请日：2006-08-23
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 貞德股份有限公司 TEITOKUSHA CO., LTD.
发明人：宮田敏光 MIYATA TOSHIMITSU , 林田晃 HAYASHIDA AKIRA , 島田真一 SHIMADA MASAKAZU , 北村公男 KITAMURA KIMIO , 田中健司 TANAKA KENJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109
摘要：本發明係有關於一種基板處理裝置、使用於該基板處理裝置之加熱裝置、使用上述物件之半導體製造方法及發熱體保持構造,其設置具有收納處理基板之處理室、發熱體及絕熱材,藉由發熱體來加熱處理室內基板之加熱裝置;前述發熱體係僅一端以保持部保持在絕熱材處,於發熱體中間部設有突出到處理室一側且接近或抵接發熱體之突起;使具有擴大部之銷在發熱體中間部貫穿發熱體及絕熱材,而使擴大部接近或抵接發熱體及發熱體保持構造。
简体摘要：本发明系有关于一种基板处理设备、使用于该基板处理设备之加热设备、使用上述对象之半导体制造方法及发热体保持构造,其设置具有收纳处理基板之处理室、发热体及绝热材,借由发热体来加热处理室内基板之加热设备;前述发热体系仅一端以保持部保持在绝热材处,于发热体中间部设有突出到处理室一侧且接近或抵接发热体之突起;使具有扩大部之销在发热体中间部贯穿发热体及绝热材,而使扩大部接近或抵接发热体及发热体保持构造。

2. 发明专利

TWI310215B 隔熱壁體、發熱體之保持構造體、加熱裝置及基板處理裝置 HEATING INSULATING WALL, SUPPORTING STRUCTURE FOR A HEATING ELEMENT, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 有权
简体标题：隔热壁体、发热体之保持构造体、加热设备及基板处理设备 HEATING INSULATING WALL, SUPPORTING STRUCTURE FOR A HEATING ELEMENT, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TWI310215B
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：TW095111184
申请日：2006-03-30
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：杉浦忍 SUGIURA, SHINOBU , 立野秀人 TATENO, HIDETO , 村田等 MURATA, HITOSHI
IPC分类号： H01L
摘要：一種隔熱壁體,防止發熱體的卡掛,將發熱體的變形防止於未然。在設有發熱體的安裝槽的側壁上設有傾斜的錐面,該錐面是朝著隔熱壁體的中心方向而遠離發熱體。在隨著熱膨脹而發熱體在安裝槽內向半徑方向外側移動時,能夠防止發熱體被卡在安裝槽的錐面上,所以即使發熱體降溫而收縮,發熱體也能夠在安裝槽內向半徑方向內側移動而返回到原位置。通過防止發熱體的伴隨著熱膨脹及熱收縮的變形,能夠將伴隨著發熱體的熱膨脹及熱收縮而發生的發熱體的斷裂防止於未然,所以能夠延長發熱體的壽命。
简体摘要：一种隔热壁体,防止发热体的卡挂,将发热体的变形防止于未然。在设有发热体的安装槽的侧壁上设有倾斜的锥面,该锥面是朝着隔热壁体的中心方向而远离发热体。在随着热膨胀而发热体在安装槽内向半径方向外侧移动时,能够防止发热体被卡在安装槽的锥面上,所以即使发热体降温而收缩,发热体也能够在安装槽内向半径方向内侧移动而返回到原位置。通过防止发热体的伴随着热膨胀及热收缩的变形,能够将伴随着发热体的热膨胀及热收缩而发生的发热体的断裂防止于未然,所以能够延长发热体的寿命。

3. 发明专利

TW200913062A 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及基板处理设备 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200913062A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097122291
申请日：2008-06-13
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：小川有人 OGAWA, ARITO , 岩本邦彥 IWAMOTO, KUNIHIKO , 太田裕之 OTA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
摘要：提供一種半導體裝置之製造方法,可防止對電氣特性之不良影響,而且可以薄膜化EOT。半導體裝置之製造方法,係具有:於矽基板上形成金屬氧化膜,藉由熱處理使該金屬氧化膜與上述矽基板產生固相反應而形成矽酸鹽膜的工程;及於該矽酸鹽膜上形成高介電係數絕緣膜的工程。
简体摘要：提供一种半导体设备之制造方法,可防止对电气特性之不良影响,而且可以薄膜化EOT。半导体设备之制造方法,系具有:于硅基板上形成金属氧化膜,借由热处理使该金属氧化膜与上述硅基板产生固相反应而形成硅酸盐膜的工程;及于该硅酸盐膜上形成高介电系数绝缘膜的工程。

4. 发明专利

TW200845111A 使半導體製造裝置動作之訓練系統审中-公开
简体标题：使半导体制造设备动作之训练系统
公开(公告)号：TW200845111A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097123682
申请日：2001-12-31
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：中野稔 , 齋藤剛
IPC分类号： H01L , G06F , G09B
CPC分类号： G09B25/02 , G09B5/02
摘要：本發明之課題在於提供一種可有效率的對使用者進行半導體製造裝置之訓練的半導體製造裝置之訓練系統。本發明解決手段為介由線路5連接裝置訓練伺服器1與使用者終端機3,而在裝置訓練伺服器1中,程式記憶機構記憶著執行相關半導體製造裝置模擬的程式;而條件資料接收機構則經由使用者終端機3從使用者處接收,並接收從該使用者終端機3透過線路5所傳送至相關半導體製造裝置模擬的條件資料;程式執行機構則根據所接收到的條件資料,執行程式記憶機構所記憶著的程式;結果資料送信機構則將利用執行程式而進行模擬的結果資料,透過線路5傳送給使用者終端機3。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可有效率的对用户进行半导体制造设备之训练的半导体制造设备之训练系统。本发明解决手段为介由线路5连接设备训练服务器1与用户终端机3,而在设备训练服务器1中,进程记忆机构记忆着运行相关半导体制造设备仿真的进程;而条件数据接收机构则经由用户终端机3从用户处接收,并接收从该用户终端机3透过线路5所发送至相关半导体制造设备仿真的条件数据;进程运行机构则根据所接收到的条件数据,运行进程记忆机构所记忆着的进程;结果数据送信机构则将利用运行进程而进行仿真的结果数据,透过线路5发送给用户终端机3。

5. 发明专利

TW200834650A 隔熱構造體、加熱裝置、加熱系統、基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 HEAT INSULATION STRUCTURE, HEATING DEVICE, HEATING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：隔热构造体、加热设备、加热系统、基板处理设备及半导体设备的制造方法 HEAT INSULATION STRUCTURE, HEATING DEVICE, HEATING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200834650A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096105963
申请日：2007-02-16
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：兒島賢 KOJIMA, KEN , 杉浦忍 SUGIURA, SHINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4411 , H01L21/67109
摘要：本發明揭示一種隔熱構造體、加熱裝置、加熱系統、基板處理裝置及半導體裝置的製造方法。本發明可使隔熱構造體或處理管整體均一地急冷。本發明之隔熱構造體是使用於縱向設置的加熱裝置的隔熱構造體,其特徵為:具有形成圓筒形狀的側壁部,該側壁部是形成內外複數層構造,並且具有:設在配置於該側壁部的複數層當中之外側的側壁外層之上部的冷卻氣體供應口;設在配置於前述側壁部的複數層當中之內側的側壁內層與前述側壁外層之間的冷卻氣體通路;設在前述側壁內層之內側的空間;以及為了從前述冷卻氣體通路將冷卻氣體吹出至前述空間,而設在前述側壁內層之比前述冷卻氣體供應口更為下方的複數個吹出孔。
简体摘要：本发明揭示一种隔热构造体、加热设备、加热系统、基板处理设备及半导体设备的制造方法。本发明可使隔热构造体或处理管整体均一地急冷。本发明之隔热构造体是使用于纵向设置的加热设备的隔热构造体,其特征为:具有形成圆筒形状的侧壁部,该侧壁部是形成内外复数层构造,并且具有:设在配置于该侧壁部的复数层当中之外侧的侧壁外层之上部的冷却气体供应口;设在配置于前述侧壁部的复数层当中之内侧的侧壁内层与前述侧壁外层之间的冷却气体通路;设在前述侧壁内层之内侧的空间;以及为了从前述冷却气体通路将冷却气体吹出至前述空间,而设在前述侧壁内层之比前述冷却气体供应口更为下方的复数个吹出孔。

6. 发明专利

TW200723367A 發熱體之保持構造體、絕緣構造體、加熱裝置及基板處理裝置 SUPPORTING STRUCTURE FOR A HEATING ELEMENT, INSULATING STRUCTURE, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：发热体之保持构造体、绝缘构造体、加热设备及基板处理设备 SUPPORTING STRUCTURE FOR A HEATING ELEMENT, INSULATING STRUCTURE, HEATING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200723367A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095111194
申请日：2006-03-30
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：村田等 MURATA, HITOSHI , 杉浦忍 SUGIURA, SHINOBU , 小杉哲也 KOSUGI, TETSUYA
IPC分类号： H01L
摘要：一種發熱體的保持構造體,防止發熱體的一對供電部彼此的短路及熔接。在具備使用隔熱材料形成為圓筒形狀的隔熱塊和一對供電部的發熱體、將發熱體鋪設在隔熱塊的安裝槽的內周側上的加熱器單元中,通過外側絕緣子及內側絕緣子保持發熱體的一對供電部,並且在內側絕緣子的兩個供電部之間設置隔壁部。即使在發熱體因熱膨脹或隨時間變化而伸長的情況下,也能夠通過隔壁部防止一對供電部彼此接觸,所以能夠將發熱體的短路及熔接防止於未然。
简体摘要：一种发热体的保持构造体,防止发热体的一对供电部彼此的短路及熔接。在具备使用隔热材料形成为圆筒形状的隔热块和一对供电部的发热体、将发热体铺设在隔热块的安装槽的内周侧上的加热器单元中,通过外侧绝缘子及内侧绝缘子保持发热体的一对供电部,并且在内侧绝缘子的两个供电部之间设置隔壁部。即使在发热体因热膨胀或随时间变化而伸长的情况下,也能够通过隔壁部防止一对供电部彼此接触,所以能够将发热体的短路及熔接防止于未然。

7. 发明专利

TW200721316A 基板處理裝置、冷卻氣體供給噴嘴、及半導體裝置之製造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：基板处理设备、冷却气体供给喷嘴、及半导体设备之制造方法 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, COOLING GAS FEED NOZZLE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200721316A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095128191
申请日：2006-08-01
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：上野正昭 UENO, MASAAKI , 林田晃 HAYASHIDA, AKIRA , 島田真一 SHIMADA, MASAKAZU , 岡威憲 OKA, TAKENORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67769 , C23C16/463 , C23C16/54 , H01L21/67109
摘要：具備:收容保持了複數片的基板的舟皿(boat)而處理複數片的基板之處理室、和設置於處理室周圍而加熱基板的加熱單元、和在對於保持在收容於處理室內的舟皿的基板之主面而伸延於垂直方向的管部,形成了至少跨過2片複數片的基板而噴出冷卻氣體的噴出孔之冷卻氣體供給噴嘴;前述冷卻氣體供給噴嘴係形成如:形成噴出孔的範圍的管部的剖面積變得比噴出孔的總開口面積大。
简体摘要：具备:收容保持了复数片的基板的舟皿(boat)而处理复数片的基板之处理室、和设置于处理室周围而加热基板的加热单元、和在对于保持在收容于处理室内的舟皿的基板之主面而伸延于垂直方向的管部,形成了至少跨过2片复数片的基板而喷出冷却气体的喷出孔之冷却气体供给喷嘴;前述冷却气体供给喷嘴系形成如:形成喷出孔的范围的管部的剖面积变得比喷出孔的总开口面积大。

8. 发明专利

TWI243422B 半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR PRODUCING DEVICE 有权
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体制造设备 SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR PRODUCING DEVICE
公开(公告)号：TWI243422B
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：TW092106644
申请日：2003-03-25
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：小川雲龍 UNRYU OGAWA , 山角直也 NAOYA YAMAKADO , 寺崎正 TADASHI TERASAKI , 八島伸二 SHINJI YASHIMA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C8/36 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5093 , C23C16/56 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28202
摘要：【課題】
藉由將氮原子導入至氧化膜以抑制絕緣膜之洩漏電流，並且防止有機污染物質附著至基板表面。【解決手段】
使用具有處理室26、在該處理室26內支撐被處理基板之基板支撐體46、配置在處理室26周圍之筒狀電極50與磁力線形成裝置58的電漿處理裝置24。藉由將基板支撐體46之高頻阻抗以高頻電路64進行切換，而連續進行將氧化膜形成在前述被處理基板上的第1處理、以及將以前述第1處理所形成之氧化膜藉由以電漿所活性化之活性氮而進行氮化處理且形成氧化氮膜的第2處理。
简体摘要：【课题】借由将氮原子导入至氧化膜以抑制绝缘膜之泄漏电流，并且防止有机污染物质附着至基板表面。【解决手段】使用具有处理室26、在该处理室26内支撑被处理基板之基板支撑体46、配置在处理室26周围之筒状电极50与磁力线形成设备58的等离子处理设备24。借由将基板支撑体46之高频阻抗以高频电路64进行切换，而连续进行将氧化膜形成在前述被处理基板上的第1处理、以及将以前述第1处理所形成之氧化膜借由以等离子所活性化之活性氮而进行氮化处理且形成氧化氮膜的第2处理。

9. 发明专利

TW200535396A 檢查裝置 INSPECTION APPARATUS 审中-公开
简体标题：检查设备 INSPECTION APPARATUS
公开(公告)号：TW200535396A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094109860
申请日：2005-03-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：伊從潔 IYORI, KIYOSHI , 野上大 NOGAMI, MASARU , 小菅正吾 KOSUGE, SHOGO
IPC分类号： G01B
摘要：提供一種檢查裝置。隨著在LCD用等基板上生成的透明導電膜圖形的膜厚度變薄，圖形邊緣部的對比度降低，因此用現有技術難以測量。因此，提供一種增加這樣的透明導電膜部分和其他以外部分的對比度、可容易地實現膜厚小的透明導電膜圖形的尺寸測量的技術。照明單元使用產生在可見光以下的波長區具有高輝度的光的燈、和遮斷可見光以上的長波長成分的光學濾光器，增加透明導電膜部分和其他以外部分的對比度，可容易地實現膜厚小的透明導電膜圖形的尺寸測量。
简体摘要：提供一种检查设备。随着在LCD用等基板上生成的透明导电膜图形的膜厚度变薄，图形边缘部的对比度降低，因此用现有技术难以测量。因此，提供一种增加这样的透明导电膜部分和其他以外部分的对比度、可容易地实现膜厚小的透明导电膜图形的尺寸测量的技术。照明单元使用产生在可见光以下的波长区具有高辉度的光的灯、和遮断可见光以上的长波长成分的光学滤光器，增加透明导电膜部分和其他以外部分的对比度，可容易地实现膜厚小的透明导电膜图形的尺寸测量。

10. 发明专利

TW200527512A 熱處理裝置及基板之製造方法 HEAT TREATMENT DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：热处理设备及基板之制造方法 HEAT TREATMENT DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200527512A
公开(公告)日：2005-08-16
申请号：TW093129406
申请日：2004-09-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：中村巖 NAKAMURA, IWAO , 中村直人 NAKAMURA, NAOTO , 中定夫 NAKASHIMA, SADAO , 島亮太 SASAJIMA, RYOTA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/31662 , H01L21/324
摘要：本發明之目的係提供一種可減少在熱處理中所產生之基板的傷痕及滑動的產生，以製造高品質的半導體裝置或基板之熱處理裝置及基板之製造方法。用以支撐基板72之承受器30，係例如由碳化矽(SiC)所構成，且在該支撐器30在至少會與基板72接觸之部份形成二氧化矽膜74。二氧化矽膜74係含有OH基，以使二氧化矽膜74之黏性率降低。該二氧化矽膜74係也可在未含有OH基之氣氛下施加徐冷處理，以使其形成OH基含量較少的薄膜102。
简体摘要：本发明之目的系提供一种可减少在热处理中所产生之基板的伤痕及滑动的产生，以制造高品质的半导体设备或基板之热处理设备及基板之制造方法。用以支撑基板72之承受器30，系例如由碳化硅(SiC)所构成，且在该支撑器30在至少会与基板72接触之部份形成二氧化硅膜74。二氧化硅膜74系含有OH基，以使二氧化硅膜74之黏性率降低。该二氧化硅膜74系也可在未含有OH基之气氛下施加徐冷处理，以使其形成OH基含量较少的薄膜102。

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