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1. 发明专利

TW209186B 一製造複合鑲嵌式刀片的方法失效
简体标题：一制造复合镶嵌式刀片的方法
公开(公告)号：TW209186B
公开(公告)日：1993-07-11
申请号：TW081102638
申请日：1992-04-07
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：格拉姆D.杜夫威爾 , 穆罕默德N.薩尼
IPC分类号： B23B
CPC分类号： E21B10/5673 , B23B27/145 , B23B27/148 , B23B2222/28 , B23B2226/315 , B23P15/32 , E21B10/58 , Y10S76/11 , Y10S76/12 , Y10T408/78 , Y10T408/81
摘要：一種螺旋鑽頭用複合切割嵌入件之製造方法包含數個從一複合金鋼鑽碟片切出一中間坯料的步驟。該中間坯料包含一條一邊有條較窄之多結晶性金鋼鑽細長條的較寬碳化鎢細長條。第一鑲嵌式刀片半片和第二鑲嵌式刀片半片是從該素板切出，每一鑲嵌式刀片半片即為一以金鋼鑽材料做的刃口。該等鑲嵌式刀片半片被以背對背方式安排來構成一個複合鑲嵌式刀片，而該等刃口位在一中心面之對立面上。該等刃口被配置來定義一個Ｖ形複合鑲嵌式刀片半片。該等鑲嵌式刀片半片較佳地被焊在一起構成單一鑲嵌式刀片。本發明延伸到一種包含在一麻花鑽頭本體之末端中形成一個凹槽形座和將該複合鑲嵌式刀片焊到該座之步驟的製造麻花鑽頭之方法。
简体摘要：一种螺旋钻头用复合切割嵌入件之制造方法包含数个从一复合金钢钻盘片切出一中间坯料的步骤。该中间坯料包含一条一边有条较窄之多结晶性金钢钻细长条的较宽碳化钨细长条。第一镶嵌式刀片半片和第二镶嵌式刀片半片是从该素板切出，每一镶嵌式刀片半片即为一以金钢钻材料做的刃口。该等镶嵌式刀片半片被以背对背方式安排来构成一个复合镶嵌式刀片，而该等刃口位在一中心面之对立面上。该等刃口被配置来定义一个Ｖ形复合镶嵌式刀片半片。该等镶嵌式刀片半片较佳地被焊在一起构成单一镶嵌式刀片。本发明延伸到一种包含在一麻花钻头本体之末端中形成一个凹槽形座和将该复合镶嵌式刀片焊到该座之步骤的制造麻花钻头之方法。

2. 发明专利

TW189302B 工具之嵌入物失效
公开(公告)号：TW189302B
公开(公告)日：1992-08-21
申请号：TW080105525
申请日：1991-07-16
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：巴巴拉L.仲斯
IPC分类号： C23C , B21G
摘要：一種諸如管嘴之工具之嵌入物，以提供一模型、放置一鑽石膜于該模型一表層之至少一部分上、綁縛一聚合體支柱至該鑽石膜之一表層，以及移開該模型以展露一防磨損鑽石表層等方法製成。其頂部可移開以露出一管嘴。該鑽石膜最好是一CVD煤碳層。
简体摘要：一种诸如管嘴之工具之嵌入物，以提供一模型、放置一钻石膜于该模型一表层之至少一部分上、绑缚一聚合体支柱至该钻石膜之一表层，以及移开该模型以展露一防磨损钻石表层等方法制成。其顶部可移开以露出一管嘴。该钻石膜最好是一CVD煤碳层。

3. 实用新型

TW136904U 人工鑽石輻射能偵測器失效
简体标题：人工钻石辐射能侦测器
公开(公告)号：TW136904U
公开(公告)日：1990-06-21
申请号：TW077203000
申请日：1987-02-28
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：湯姆L.南 , 雷克斯J.凱迪 , 羅勃C.本斯
IPC分类号： G01T
摘要：核輻射可由施用電氣接點於具有氮雜質濃度在20至150ppm（每百萬個中的粒子量）的人工鑽石而偵測出。一組電路連接於此接點且施加一直流偏壓跨於鑽石。當此鑽石承受核輻射時，在此電路中發生對應於此輻射強度的電流或電壓的變化。此接點最好是直接地附著於鑽石且在本質上是歐姆性的。
简体摘要：核辐射可由施用电气接点于具有氮杂质浓度在20至150ppm（每百万个中的粒子量）的人工钻石而侦测出。一组电路连接于此接点且施加一直流偏压跨于钻石。当此钻石承受核辐射时，在此电路中发生对应于此辐射强度的电流或电压的变化。此接点最好是直接地附着于钻石且在本质上是欧姆性的。

4. 发明专利

TW584678B 晶體生長失效
简体标题：晶体生长
公开(公告)号：TW584678B
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：TW088101840
申请日：1999-02-06
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司 DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED
发明人：僑佛里J 大衛斯 GEOFFREY JOHN DAVIES , 雷蒙德A 夏普曼 RAYMOND ALBERT CHAPMAN , 奧里提史提瓦 AULETTE STEWART , 黎思里K 海德吉斯 LESLEY KAY HEDGES
IPC分类号： C30B
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068
摘要：本發明的提供大量的晶體，特別是鑽石晶體，其大小小於100微米且是該些晶體的主要部分，是有小面的單晶。本發明更進一步提供利用在高溫高壓下晶體生長而產生大量的晶體的方法。該用於晶體生長所需之過飽和驅動力至少有部分是與該些源晶體之低米樂指數表面與高米樂指數表面之間的表面自由能差異有關。
简体摘要：本发明的提供大量的晶体，特别是钻石晶体，其大小小于100微米且是该些晶体的主要部分，是有小面的单晶。本发明更进一步提供利用在高温高压下晶体生长而产生大量的晶体的方法。该用于晶体生长所需之过饱和驱动力至少有部分是与该些源晶体之低米乐指数表面与高米乐指数表面之间的表面自由能差异有关。

5. 发明专利

TW378167B CVD鑽石層及磨蝕工具失效
简体标题： CVD钻石层及磨蚀工具
公开(公告)号：TW378167B
公开(公告)日：2000-01-01
申请号：TW086110708
申请日：1997-09-17
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：强L.克林斯
IPC分类号： B23B , B23P , C23C , B24D
CPC分类号： C23C16/274 , C23C16/278 , Y10S427/103 , Y10T407/27 , Y10T428/263 , Y10T428/30
摘要：此處揭示一種用作為一磨蝕工具內一插入物的CVD鑽石層，其特徵於具有如下之特徵:
(l)該層含有濃度為至少0.05原子百分比之硼雜原子;
(2)對在張力中之晶核形成相為具有一為至少600MPa的平均抗張破裂強度，以及對在張力中之生長面為具有一為至少300MPa的平均抗張破裂強度，該二種抗張破裂強度係藉由一種三點彎曲試驗，於一個18mm長、2mm寬且厚度為1.4㎜或更低之樣品上予以測定者。
简体摘要：此处揭示一种用作为一磨蚀工具内一插入物的CVD钻石层，其特征于具有如下之特征: (l)该层含有浓度为至少0.05原子百分比之硼杂原子; (2)对在张力中之晶核形成相为具有一为至少600MPa的平均抗张破裂强度，以及对在张力中之生长面为具有一为至少300MPa的平均抗张破裂强度，该二种抗张破裂强度系借由一种三点弯曲试验，于一个18mm长、2mm宽且厚度为1.4㎜或更低之样品上予以测定者。

6. 实用新型

TW349455U 研磨拋光裝置及拋光墊失效
简体标题：研磨抛光设备及抛光垫
公开(公告)号：TW349455U
公开(公告)日：1999-01-01
申请号：TW086211481
申请日：1993-11-27
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：迪瑞克N.瑞蓋特
IPC分类号： B24D
CPC分类号： B24D7/10
摘要：此研磨拋光裝置有一個載具，通常是呈一可旋轉拋光頭(10)之形式，及啣接在該載具上的研磨拋光墊(16)。每個拋光墊(16)包含一個由內含超硬顆粒的熱塑性聚合物組成的研磨本體(18)，其呈現一個研磨拋光表面俾在使用時進行研磨拋光運作。該研磨本體(18)是形成有一規則之凹洞陣列，通常是位於其內部之延伸到研磨表面的毛細管式通道。這些凹洞在拋光運作時可改善研磨層的冷卻效果。
简体摘要：此研磨抛光设备有一个载具，通常是呈一可旋转抛光头(10)之形式，及衔接在该载具上的研磨抛光垫(16)。每个抛光垫(16)包含一个由内含超硬颗粒的热塑性聚合物组成的研磨本体(18)，其呈现一个研磨抛光表面俾在使用时进行研磨抛光运作。该研磨本体(18)是形成有一守则之凹洞数组，通常是位于其内部之延伸到研磨表面的毛细管式信道。这些凹洞在抛光运作时可改善研磨层的冷却效果。

7. 发明专利

TW269633B 輻射探測器失效
简体标题：辐射探测器
公开(公告)号：TW269633B
公开(公告)日：1996-02-01
申请号：TW082101945
申请日：1993-03-16
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：芭芭拉L.瓊斯 , 湯姆L.南 , 雷克斯J.凱弟 , 蕭恩.阿萊昆
IPC分类号： A61B , H01S
CPC分类号： G01T1/161 , G01T1/26
摘要：一種監視核子輻射之方法，包含提供一種金剛石輻射感測元件，其氮雜質濃度低於150ppm。該感測元件在接受核子輻射之同時，并以選定波長或波長範圍之光，最好是紫外線範圍或近乎紫外線範圍之光予以激勵，而造成感測元件之光發射。通常，該感測元件係固定在光纖之一端，阢纖之遠端係用來將激動光通到感測元件，及將所得之光發射從感測元件饋至一光電配增器。本發明包括實現此方法之裝置在內。
简体摘要：一种监视核子辐射之方法，包含提供一种金刚石辐射传感组件，其氮杂质浓度低于150ppm。该传感组件在接受核子辐射之同时，并以选定波长或波长范围之光，最好是紫外线范围或近乎紫外线范围之光予以激励，而造成传感组件之光发射。通常，该传感组件系固定在光纤之一端，阢纤之远程系用来将激动光通到传感组件，及将所得之光发射从传感组件馈至一光电配增器。本发明包括实现此方法之设备在内。

8. 实用新型

TW221602U 鑽石二極體構造失效
简体标题：钻石二极管构造
公开(公告)号：TW221602U
公开(公告)日：1994-03-01
申请号：TW080214175
申请日：1990-07-17
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：穹安F.普林斯
IPC分类号： H01L
摘要：本創作提供製造半導體二極體的技術，可為發光二極體或光電池。可為結晶或晶狀或多晶膜的P-型鑽石作用物較佳在低溫嵌入離子，以產生富有空隙或間隙的被嵌入區。該被嵌入區定為為作用物的p-n介面。電子接觸面分別施於被嵌入區及作用物上。本技術製成的LED釋放出藍光，其有利於電磁通訊系統。也可以製成直徑為50至75nm的光電池。
简体摘要：本创作提供制造半导体二极管的技术，可为发光二极管或光电池。可为结晶或晶状或多晶膜的P-型钻石作用物较佳在低温嵌入离子，以产生富有空隙或间隙的被嵌入区。该被嵌入区定为为作用物的p-n界面。电子接触面分别施于被嵌入区及作用物上。本技术制成的LED释放出蓝光，其有利于电磁通信系统。也可以制成直径为50至75nm的光电池。

9. 发明专利

TW166725B 鑽石生長失效
简体标题：钻石生长
公开(公告)号：TW166725B
公开(公告)日：1991-08-21
申请号：TW078103445
申请日：1989-05-05
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：芭芭拉L.珍妮絲
IPC分类号： C30B
摘要：結晶性鑽石於基質上之生長方法係經由將基質放置於完全遮蓋石墨載體之氮化物表面上，環繞基質生成氣體碳化合物之蒙氣，將氮化物表面及基質之溫度調整至至少為600℃以及將氣體碳化合物放置於適合使得化合物分解且產生碳之微波能下，所產生之碳沉積於基質上方且生成結晶性鑽石。
简体摘要：结晶性钻石于基质上之生长方法系经由将基质放置于完全遮盖石墨载体之氮化物表面上，环绕基质生成气体碳化合物之蒙气，将氮化物表面及基质之温度调整至至少为600℃以及将气体碳化合物放置于适合使得化合物分解且产生碳之微波能下，所产生之碳沉积于基质上方且生成结晶性钻石。

10. 发明专利

TW144843B 熱安定之鑽石研磨粉壓坯體失效
简体标题：热安定之钻石研磨粉压坯体
公开(公告)号：TW144843B
公开(公告)日：1990-11-01
申请号：TW078106200
申请日：1989-08-10
申请人：得比爾斯工業鑽石切割(產業)有限公司
发明人：特瑞渥J.馬泰爾
IPC分类号： B01J
摘要：製造有一金屬層結合至它的表面之熱安定鑽石粉壓坯體的方法。該熱安定鑽石粉壓坯體包括一含鑽石與鑽石鍵接和一均勻地分佈整個鑽石塊團中之第二相之鑽石顆粒團狀體，以及該金屬層之金屬係擇取自由鉬，鉭，鈦和此類之高熔點耐火金屬，鎳和以這些金屬之任一為主成份的合金所組成之族者。該方法包括以下步驟：(i) 製備一由金屬層，在金屬層上的鑽石顆粒團狀體和在
鑽石顆粒上形成第二相所需的成分或成分系層所形成
的組合體，此成分或這些成分系之熔點比該金屬層低
；以及(ii) 該組合體放入筒中並使該組合體在高溫高壓下經過足
以製造該鑽石研磨粉壓坯體的時間，該溫度首先升高
至該成分或成分系以熔化第二相滲透入該鑽石塊團中
且待製備粉壓坯體之程度，但是該金屬層並不會熔化
掉，其後再升溫至金屬層結合到既已形成之粉壓坯體
之程度。
简体摘要：制造有一金属层结合至它的表面之热安定钻石粉压坯体的方法。该热安定钻石粉压坯体包括一含钻石与钻石键接和一均匀地分布整个钻石块团中之第二相之钻石颗粒团状体，以及该金属层之金属系择取自由钼，钽，钛和此类之高熔点耐火金属，镍和以这些金属之任一为主成份的合金所组成之族者。该方法包括以下步骤：(i) 制备一由金属层，在金属层上的钻石颗粒团状体和在钻石颗粒上形成第二相所需的成分或成分系层所形成的组合体，此成分或这些成分系之熔点比该金属层低；以及(ii) 该组合体放入筒中并使该组合体在高温高压下经过足以制造该钻石研磨粉压坯体的时间，该温度首先升高至该成分或成分系以熔化第二相渗透入该钻石块团中且待制备粉压坯体之程度，但是该金属层并不会熔化掉，其后再升温至金属层结合到既已形成之粉压坯体之程度。

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