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1. 发明专利

TW200937632A 金屬電極及使用該電極之半導體元件审中-公开
简体标题：金属电极及使用该电极之半导体组件
公开(公告)号：TW200937632A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097147624
申请日：2008-12-08
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：大毛利健治 KENJI OHMORI , 知京豊裕 TOYOHIRO CHIKYO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L21/28088 , H01L29/1083 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種金屬電極夾持高電容率薄膜與半導體成為一對來使用。金屬電極13包括以第一電極材料所形成之金屬膜11和含有第二電極材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成於上述高電容率薄膜9和上述金屬膜11之間。在特性控制膜10中,添加C。藉此,使構成特性控制膜10之材料之結晶粒徑變小,並抑制Vth(臨限値電壓)之離差。
简体摘要：一种金属电极夹持高电容率薄膜与半导体成为一对来使用。金属电极13包括以第一电极材料所形成之金属膜11和含有第二电极材料之特性控制膜10,上述特性控制膜10形成于上述高电容率薄膜9和上述金属膜11之间。在特性控制膜10中,添加C。借此,使构成特性控制膜10之材料之结晶粒径变小,并抑制Vth(临限値电压)之离差。

2. 发明专利

TW200519989A 薄膜電容器,薄膜電容器內藏型高密度實裝基板,及薄膜電容器之製造方法审中-公开
简体标题：薄膜电容器,薄膜电容器内藏型高密度实装基板,及薄膜电容器之制造方法
公开(公告)号：TW200519989A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093130118
申请日：2004-10-05
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY , 沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. , 東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：逢哲彌 OSAKA, TETSUYA , 小岩一郎 KOIWA, ICHIRO , 橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA , 佐藤善美 SATO, YOSHIMI
IPC分类号： H01G , H05K
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/008 , H01G4/1227 , H01G13/006 , H05K1/162 , H05K3/388 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49169
摘要：本發明之課題是，提供一種不會損傷高密度實裝基板的電性特性或尺寸特性，而可內藏於基板內，且具有充分電容的薄膜電容器、薄膜電容器內藏型高密度實裝基板、及薄膜電容器之製造方法。本發明之解決手段是，至少具有高介電體層、和從上下夾著高介電體層的上部電極層、和下部電極層，且上述上部及下部電極層的接觸部是引出至上述上部電極上，而製得上述高介電體層的膜厚為200nm至50nm之構造的薄膜電容器，作為半導體配線板的內藏用被動零件使用。
简体摘要：本发明之课题是，提供一种不会损伤高密度实装基板的电性特性或尺寸特性，而可内藏于基板内，且具有充分电容的薄膜电容器、薄膜电容器内藏型高密度实装基板、及薄膜电容器之制造方法。本发明之解决手段是，至少具有高介电体层、和从上下夹着高介电体层的上部电极层、和下部电极层，且上述上部及下部电极层的接触部是引出至上述上部电极上，而制得上述高介电体层的膜厚为200nm至50nm之构造的薄膜电容器，作为半导体配线板的内藏用被动零件使用。

3. 发明专利

TW200515535A 半導體多層配線板及其形成方法失效
简体标题：半导体多层配线板及其形成方法
公开(公告)号：TW200515535A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW093129913
申请日：2004-10-01
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY , 東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：逢哲彌 OSAKA, TETSUYA , 橫島時彥 YOKOSHIMA, TOKIHIKO , 佐藤功 SATO, ISAO , 橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA , 萩原嘉男 HAGIWARA, YOSHIO
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H05K3/389 , H05K3/465 , Y10T29/49155
摘要：本發明之目的在提供，於基板上之低介電常數氧化矽系層間絕緣層之形成，以雙大馬士革法的配線形成空間之形成，於該空間的有機單分子膜所成之緻密薄防擴散膜之形成，於上述空間之配線層的形成之所有步驟完全濕式化，以達製程簡化、製造成本降低之半導體多層配線板的製造方法。其係於基板上使用旋塗玻璃材料形成之低介電常數氧化矽系層間絕緣層形成配線層形成空間，然後，必要時於氧化性環境氣體下以紫外線照射，於絕緣層表面進行形成Si－OH結合之處理，其次，於上述配線層形成空間內面使用有機矽烷化合物以矽烷系單分子層膜密合，將該單分子層膜以鈀化合物水溶液作表面觸媒化，於該觸媒化單分子層膜經無電解鍍層形成防銅擴散性高之鍍膜，於該防銅擴散膜上形成銅鍍層而形成配線層。
简体摘要：本发明之目的在提供，于基板上之低介电常数氧化硅系层间绝缘层之形成，以双大马士革法的配线形成空间之形成，于该空间的有机单分子膜所成之致密薄防扩散膜之形成，于上述空间之配线层的形成之所有步骤完全湿式化，以达制程简化、制造成本降低之半导体多层配线板的制造方法。其系于基板上使用旋涂玻璃材料形成之低介电常数氧化硅系层间绝缘层形成配线层形成空间，然后，必要时于氧化性环境气体下以紫外线照射，于绝缘层表面进行形成Si－OH结合之处理，其次，于上述配线层形成空间内面使用有机硅烷化合物以硅烷系单分子层膜密合，将该单分子层膜以钯化合物水溶液作表面触媒化，于该触媒化单分子层膜经无电解镀层形成防铜扩散性高之镀膜，于该防铜扩散膜上形成铜镀层而形成配线层。

4. 发明专利

TW200500135A 去硫劑及其製造方法,去硫方法及燃料電池用氫之製造方法审中-公开
简体标题：去硫剂及其制造方法,去硫方法及燃料电池用氢之制造方法
公开(公告)号：TW200500135A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093105416
申请日：2004-03-02
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：石森岐洋 , 勝田正文 , 鈴木哲司 , 古澤宏一朗
IPC分类号： B01J
CPC分类号： C10L3/102 , B01J20/02 , B01J20/0211 , B01J20/0218 , B01J20/0229 , B01J20/06 , B01J20/103 , B01J2220/42 , C10L3/003 , C10L3/10
摘要：提供以一段步驟(向來為三段步驟)由含硫化合物可瞬間高效率去硫之可重複再生之超高性能去硫劑及其製造方法。又，使用該去硫劑之高效去除含硫化合物中硫黃成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改質處理大量低成本製造燃料電池用高純度氫之方法。去硫劑如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／鉬化合物／鈦化合物(TiO2)所示，由該去硫劑與含硫化合物接觸進行瞬間去硫。此時，亦可使用氧化再生處理之去硫劑，或暫時停止去硫反應。又去硫後由改質處理得到燃料電池用高純度氫。
简体摘要：提供以一段步骤(向来为三段步骤)由含硫化合物可瞬间高效率去硫之可重复再生之超高性能去硫剂及其制造方法。又，使用该去硫剂之高效去除含硫化合物中硫黄成分之去硫方法，及更提供由施以高度去硫改质处理大量低成本制造燃料电池用高纯度氢之方法。去硫剂如以下之一般式；ZnFe2O4／SiO2／钼化合物(MoS2及／或MnO3)，或ZnFe2O4／SiO2／钼化合物／钛化合物(TiO2)所示，由该去硫剂与含硫化合物接触进行瞬间去硫。此时，亦可使用氧化再生处理之去硫剂，或暂时停止去硫反应。又去硫后由改质处理得到燃料电池用高纯度氢。

5. 发明专利

TW200805252A 執行聲音類似度之評估的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING DEGREE OF SIMILARITY BETWEEN VOICES 失效
简体标题：运行声音类似度之评估的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING DEGREE OF SIMILARITY BETWEEN VOICES
公开(公告)号：TW200805252A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096109552
申请日：2007-03-20
申请人：山葉股份有限公司 YAMAHA CORPORATION , 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：東山三樹夫 TOHYAMA, MIKIO , 風間道子 KAZAMA, MICHIKO , 後藤理 GOTO, SATORU , 川原毅彥 KAWAHARA, TAKEHIKO , 吉岡靖雄 YOSHIOKA, YASUO
IPC分类号： G10L
CPC分类号： G10L17/04 , G10L17/08
摘要：本發明揭示一種藉由兩個程序執行之類似度評估的方法。在一第一程序中,由一輸入聲音之頻譜資料產生一頻帶間相關矩陣使得將該頻譜資料分為沿一頻率軸且其間具有間隔的彼此分離的複數個離散頻帶,由該複數個離散頻帶獲得該頻譜資料之複數個包絡成分,並且該頻帶間相關矩陣之元素係該輸入聲音之個別包絡成分之間的相關値。在一第二程序中,藉由使用針對該對輸入聲音透過該頻帶間相關矩陣產生程序獲得之個別頻帶間相關矩陣來計算欲進行相互比較的一對輸入聲音之間的一類似度。
简体摘要：本发明揭示一种借由两个进程运行之类似度评估的方法。在一第一进程中,由一输入声音之频谱数据产生一频带间相关矩阵使得将该频谱数据分为沿一频率轴且其间具有间隔的彼此分离的复数个离散频带,由该复数个离散频带获得该频谱数据之复数个包络成分,并且该频带间相关矩阵之元素系该输入声音之个别包络成分之间的相关値。在一第二进程中,借由使用针对该对输入声音透过该频带间相关矩阵产生进程获得之个别频带间相关矩阵来计算欲进行相互比较的一对输入声音之间的一类似度。

6. 发明专利

TW200728517A 金-鈷系非晶形合金電鍍被膜電鍍液及電鍍方法 PLATED FILM OF GOLD-COBALT AMORPHOUS ALLOY, ELECTROPLATING BATH, AND METHOD FOR ELECTROPLATING 失效
简体标题：金-钴系非晶形合金电镀被膜电镀液及电镀方法 PLATED FILM OF GOLD-COBALT AMORPHOUS ALLOY, ELECTROPLATING BATH, AND METHOD FOR ELECTROPLATING
公开(公告)号：TW200728517A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095136429
申请日：2006-09-29
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：千田一敬 SENDA, KAZUTAKA , 加藤勝 KATO, MASARU , 逢哲彌 OSAKA, TETSUYA , 沖中裕 OKINAKA, YUTAKA
IPC分类号： C25D , C22C
CPC分类号： C22C5/02 , B32B15/018 , C22C9/00 , C22C45/003 , C22C45/02 , C25D3/562 , C25D3/62 , C25D7/00 , H01H1/023 , H01R13/03 , H05K3/244
摘要：本發明係提供一種藉由使用含有以金的基準下為0.01~0.1 mol/dm^3濃度之氰化金鹽,以鈷的基準下為0.02~0.2 mol/dm^3濃度之鈷鹽,及以鎢的基準下為0.1~0.5mol/dm^3濃度之鎢酸鹽之電鍍液電鍍形成不具微細結晶子之均質非晶質相所形成之金-鈷系非晶形合金電鍍被膜。本發明之金-鈷系非晶形合金電鍍被膜係藉由不具微細結晶之均質非晶質相所形成,可於無實用上問題之程度上維持金原本之良好接觸電阻値,化學安定性無,亦可提昇硬度,故適用於繼電器等電氣‧電子零件之連接材料。
简体摘要：本发明系提供一种借由使用含有以金的基准下为0.01~0.1 mol/dm^3浓度之氰化金盐,以钴的基准下为0.02~0.2 mol/dm^3浓度之钴盐,及以钨的基准下为0.1~0.5mol/dm^3浓度之钨酸盐之电镀液电镀形成不具微细结晶子之均质非晶质相所形成之金-钴系非晶形合金电镀被膜。本发明之金-钴系非晶形合金电镀被膜系借由不具微细结晶之均质非晶质相所形成,可于无实用上问题之程度上维持金原本之良好接触电阻値,化学安定性无,亦可提升硬度,故适用于继电器等电气‧电子零件之连接材料。

7. 发明专利

TWI246699B 薄膜電容器,薄膜電容器內藏型高密度實裝基板,及薄膜電容器之製造方法有权
简体标题：薄膜电容器,薄膜电容器内藏型高密度实装基板,及薄膜电容器之制造方法
公开(公告)号：TWI246699B
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW093130118
申请日：2004-10-05
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY , 沖電氣工業股份有限公司 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. , 東京應化工業股份有限公司 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：逢哲彌 OSAKA, TETSUYA , 小岩一郎 KOIWA, ICHIRO , 橋本晃 HASHIMOTO, AKIRA , 佐藤善美 SATO, YOSHIMI
IPC分类号： H01G , H05K
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/008 , H01G4/1227 , H01G13/006 , H05K1/162 , H05K3/388 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49169
摘要：本發明之課題是，提供一種不會損傷高密度實裝基板的電性特性或尺寸特性，而可內藏於基板內，且具有充分電容的薄膜電容器、薄膜電容器內藏型高密度實裝基板、及薄膜電容器之製造方法。
本發明之解決手段是，至少具有高介電體層、和從上下夾著高介電體層的上部電極層、和下部電極層，且上述上部及下部電極層的接觸部是引出至上述上部電極上，而製得上述高介電體層的膜厚為200nm至50nm之構造的薄膜電容器，作為半導體配線板的內藏用被動零件使用。
简体摘要：本发明之课题是，提供一种不会损伤高密度实装基板的电性特性或尺寸特性，而可内藏于基板内，且具有充分电容的薄膜电容器、薄膜电容器内藏型高密度实装基板、及薄膜电容器之制造方法。本发明之解决手段是，至少具有高介电体层、和从上下夹着高介电体层的上部电极层、和下部电极层，且上述上部及下部电极层的接触部是引出至上述上部电极上，而制得上述高介电体层的膜厚为200nm至50nm之构造的薄膜电容器，作为半导体配线板的内藏用被动零件使用。

8. 发明专利

TW200424128A ��氧化鎵系單結晶生長方法、薄膜單結晶之生長方法、氧化鎵系發光元件及其製造方法 ��-Ga2O3 TYPE SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD, THIN FILM TYPE SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD, Ga2O3 TYPE LIGHT MEITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题： ��氧化镓系单结晶生长方法、薄膜单结晶之生长方法、氧化镓系发光组件及其制造方法 ��-Ga2O3 TYPE SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD, THIN FILM TYPE SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD, Ga2O3 TYPE LIGHT MEITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200424128A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093103898
申请日：2004-02-18
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：一之瀨昇 ICHINOSE, NOBORU , 島村清史 SHIMAMURA, KIYOSHI , 青木和夫 AOKI, KAZUO , 加錫安東尼 GARCIA VILLORA, ENCARNACION ANTONIA
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C30B29/16 , C30B23/02 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L33/005 , H01L33/26
摘要：本發明所提供者特別有關於減少龜裂、雙晶化的傾向，提高結晶性的β–Ga2O3系單晶生長方法；可以形成高品質之薄膜單晶的薄膜單晶生長方法；在紫外區域發光的Ga2O3系發光元件及其製造方法。利用紅外線加熱單晶製造裝置，使晶種結晶及多晶體材料互相朝反方向旋轉同時加熱，再從a軸＜100＞方位、b軸＜010＞方位、及c軸＜001＞方位中選擇一個方位，使β–Ga2O3朝該方位生長。由β–Ga2O3單晶所組成的薄膜，係利用PLD法來成膜，即用雷射光照射於靶材，使構成靶材的原子激發，再利用熱方式、光化學方式之作用，使Ga原子從靶材遊離出來後，使遊離的Ga原子與反應室中的環境氣體之自由基結合，而使由β–Ga2O3單晶組成的薄膜，生長在由β–Ga2O3單晶組成的基板上。發光元件中，添加n型摻雜物於β–Ga2O3單晶後得到的n型基板；添加p型摻雜物於β–Ga2O3單晶後得到的p型層，再將該p型層接合於該n型基板的頂面，所以發光元件會在該接合部附近發光。
简体摘要：本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β–Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光组件及其制造方法。利用红外线加热单晶制造设备，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴＜100＞方位、b轴＜010＞方位、及c轴＜001＞方位中选择一个方位，使β–Ga2O3朝该方位生长。由β–Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用激光光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β–Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β–Ga2O3单晶组成的基板上。发光组件中，添加n型掺杂物于β–Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β–Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光组件会在该接合部附近发光。

9. 发明专利

TW200736170A 有機電場發光元件 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE 审中-公开
简体标题：有机电场发光组件 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
公开(公告)号：TW200736170A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096104217
申请日：2007-02-06
申请人：住友化學股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED , 學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：古川行夫 FURUKAWA, YUKIO , 山田哲平 YAMADA, TEPPEI , 小野善伸 ONO, YOSHINOBU
IPC分类号： C01G , H05B
CPC分类号： H01L51/5278 , H05B33/22
摘要：本發明係提供一種有機電場發光元件(organic electroluminescente device,以下有簡稱為有機EL元件的情形),為連接在給予電能源之外部電路的兩個相對電極,其中最少一方為透明或半透明之上述電極,該有機電場發光元件包括以下之特徵:於該電極之間包含一層以上之有機層,其中一層為發光層,擁有藉由電洞(hole)和電子再結合而發光的複數個發光單元;於包含被夾在該複數個發光單元中的兩個間的電荷產生層(Charge Generation Layer)的有機電場發光元件;該複數個發光單元中相鄰的任兩個都藉由該電荷產生層來區隔開;該電荷產生層,為包含1種以上之工作函數(work function)為3.0eV以下的金屬或是化合物(A),和1種以上之工作函數為4.0eV以上的化合物(B);於該複數個發光單元最少一個的發光層是含有高分子發光材料。
096104217-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种有机电场发光组件(organic electroluminescente device,以下有简称为有机EL组件的情形),为连接在给予电能源之外部电路的两个相对电极,其中最少一方为透明或半透明之上述电极,该有机电场发光组件包括以下之特征:于该电极之间包含一层以上之有机层,其中一层为发光层,拥有借由电洞(hole)和电子再结合而发光的复数个发光单元;于包含被夹在该复数个发光单元中的两个间的电荷产生层(Charge Generation Layer)的有机电场发光组件;该复数个发光单元中相邻的任两个都借由该电荷产生层来区隔开;该电荷产生层,为包含1种以上之工作函数(work function)为3.0eV以下的金属或是化合物(A),和1种以上之工作函数为4.0eV以上的化合物(B);于该复数个发光单元最少一个的发光层是含有高分子发光材料。 096104217-p01.bmp

10. 发明专利

TW200619267A 聚苯醚的製造方法审中-公开
简体标题：聚苯醚的制造方法
公开(公告)号：TW200619267A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094130536
申请日：2005-09-06
申请人：學校法人早稻田大學 WASEDA UNIVERSITY
发明人：西出宏之 NISHIDE, HIROYUKI , 齋藤敬 SAITO, KEI
IPC分类号： C08G , C08F
CPC分类号： C08G65/44
摘要：本發明提供一種聚苯醚的製造方法，以水作為溶劑而氧化酚類之聚苯醚的製造方法中，可以少量的氧化劑製造，而反應後的溶劑可重複使用。以水作為溶劑，係於水溶性金屬錯合物觸媒的存在下，氧化酚類。作為水溶性金屬錯合物觸媒，為具有胺系多芽配位體(multidentate ligands)，較佳使用中心金屬為銅或錳者。
简体摘要：本发明提供一种聚苯醚的制造方法，以水作为溶剂而氧化酚类之聚苯醚的制造方法中，可以少量的氧化剂制造，而反应后的溶剂可重复使用。以水作为溶剂，系于水溶性金属错合物触媒的存在下，氧化酚类。作为水溶性金属错合物触媒，为具有胺系多芽配位体(multidentate ligands)，较佳使用中心金属为铜或锰者。

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