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1. 发明专利

TW200839954A 導線陣列記憶裝置及製法 MEMORY DEVICE FOR AN ARRAY OF CONDUCTIVE LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：导线数组记忆设备及制法 MEMORY DEVICE FOR AN ARRAY OF CONDUCTIVE LINES AND METHODS OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200839954A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096109614
申请日：2007-03-20
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：迪克卡斯佩里 DIRK CASPARY , 史特法諾巴拉夏恩朶拉 STEFANO PARASCANDOLA
IPC分类号： H01L
摘要：一種導電線的陣列形成在半導體襯底上或至少部分地形成在半導體襯底內。該陣列包括沿第一方向延伸的多個導電線、由導電材料製成的多個著落墊,且各個著落墊連接到導電線的相應的一些,其中所述導電線包括導電線的第一和第二子集。第一子集的導電線與第二子集的導電線交替,其中連接到第一子集的導電線的著落墊設置在這些導電線的第一側上,並且連接到第二子集的導電線的著落墊設置在這些導電線的第二側上,該第一側與該第二側相對。
简体摘要：一种导电线的数组形成在半导体衬底上或至少部分地形成在半导体衬底内。该数组包括沿第一方向延伸的多个导电线、由导电材料制成的多个着落垫,且各个着落垫连接到导电线的相应的一些,其中所述导电线包括导电线的第一和第二子集。第一子集的导电线与第二子集的导电线交替,其中连接到第一子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第一侧上,并且连接到第二子集的导电线的着落垫设置在这些导电线的第二侧上,该第一侧与该第二侧相对。

2. 发明专利

TW200820380A 積體半導體結構製造方法 MANUFACTURING METHOD FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：积体半导体结构制造方法 MANUFACTURING METHOD FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW200820380A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096139407
申请日：2007-10-19
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：提爾施勒塞爾 TILL SCHLOESSER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L27/10882 , H01L27/10891
摘要：本發明提供了一種用於集成半導體結構和相應半導體結構的製造方法。該方法包括以下步驟:在週邊裝置區域中形成週邊電路,該週邊電路包括週邊電晶體,該週邊電晶體至少部分地形成在該半導體基板上並具有在第一高溫處理步驟中形成的第一閘極電介質;在記憶胞元區域中形成多個記憶胞元,每一記憶胞元包括存取電晶體,該存取電晶體至少部分地形成在半導體基板上並具有第二閘極電介質,該第二閘極電介質在第二高溫處理步驟中形成並具有金屬閘極導體;其中,該第一和第二高溫處理步驟在形成該金屬閘極導體的步驟之前進行。
简体摘要：本发明提供了一种用于集成半导体结构和相应半导体结构的制造方法。该方法包括以下步骤:在周边设备区域中形成周边电路,该周边电路包括周边晶体管,该周边晶体管至少部分地形成在该半导体基板上并具有在第一高温处理步骤中形成的第一闸极电介质;在记忆胞元区域中形成多个记忆胞元,每一记忆胞元包括存取晶体管,该存取晶体管至少部分地形成在半导体基板上并具有第二闸极电介质,该第二闸极电介质在第二高温处理步骤中形成并具有金属闸极导体;其中,该第一和第二高温处理步骤在形成该金属闸极导体的步骤之前进行。

3. 发明专利

TW200814297A 積體記憶胞元陣列 INTEGRATED MEMORY CELL ARRAY 审中-公开
简体标题：积体记忆胞元数组 INTEGRATED MEMORY CELL ARRAY
公开(公告)号：TW200814297A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096131585
申请日：2007-08-24
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：羅爾夫魏斯 ROLF WEIS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66621 , H01L27/10876 , H01L27/10882 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及一種積體儲存單元陣列,其包括:半導體基板;多個單元電晶體元件,其中,這些單元電晶體元件包括:形成在所述半導體基板上的柱;圍繞所述柱的閘溝槽;在所述柱上部區域形成的第一源極/汲極區;形成在所述閘極溝槽的底部並圍繞所述柱的下部區域的閘極介電層;在所述閘極溝槽的所述閘極介電層上形成的閘極,其圍繞所述柱的下部區域;以及形成在半導體基板的上部區域並與所述閘極溝槽鄰接的所述第二源極/汲極區;多條位元線,被連接至所述單元電晶體元件的第一源極/汲極區的各自第一組;多條字線,連接第二組所述單元電晶體元件的各自的閘極;以及多個單元電容器元件,被連接至所述單元電晶體元件的第二源極/汲極區。
简体摘要：本发明涉及一种积体存储单元数组,其包括:半导体基板;多个单元晶体管组件,其中,这些单元晶体管组件包括:形成在所述半导体基板上的柱;围绕所述柱的闸沟槽;在所述柱上部区域形成的第一源极/汲极区;形成在所述闸极沟槽的底部并围绕所述柱的下部区域的闸极介电层;在所述闸极沟槽的所述闸极介电层上形成的闸极,其围绕所述柱的下部区域;以及形成在半导体基板的上部区域并与所述闸极沟槽邻接的所述第二源极/汲极区;多条比特线,被连接至所述单元晶体管组件的第一源极/汲极区的各自第一组;多条字线,连接第二组所述单元晶体管组件的各自的闸极;以及多个单元电容器组件,被连接至所述单元晶体管组件的第二源极/汲极区。

4. 发明专利

TW200721486A 場效應電晶體及其製造方法 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：场效应晶体管及其制造方法 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200721486A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095140106
申请日：2006-10-30
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：迪爾克‧曼格爾 DIRK MANGER , 提爾‧施勒塞爾 TILL SCHLOESSER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/2815 , H01L27/10873 , H01L29/6656 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：一種場效電晶體,其係設置於半導體裝置中,其包含第一及第二經摻雜源極/汲極區域,兩個區域皆設置於閘極電極兩側的該半導體基材內及於該閘極電極下方的兩個經摻雜源極/汲極區域之間的該基材內所形成的通道區域。一種閘極氧化物層於該半導體基材上形成,該閘極電極接觸該閘極氧化物層的表面及其進一步包含至少一第一及一第二傳導層,其中該第一及第二傳導層係由具有彼此具不同功函數的材料所製造。該第一傳導層接觸在該表面第一部分內的該閘極氧化物,及該第二傳導層接觸在該表面第二部分內的該閘極氧化物層。該第一傳導層係進一步傳導地連接至該第二傳導層。
简体摘要：一种场效应管,其系设置于半导体设备中,其包含第一及第二经掺杂源极/汲极区域,两个区域皆设置于闸极电极两侧的该半导体基材内及于该闸极电极下方的两个经掺杂源极/汲极区域之间的该基材内所形成的信道区域。一种闸极氧化物层于该半导体基材上形成,该闸极电极接触该闸极氧化物层的表面及其进一步包含至少一第一及一第二传导层,其中该第一及第二传导层系由具有彼此具不同功函数的材料所制造。该第一传导层接触在该表面第一部分内的该闸极氧化物,及该第二传导层接触在该表面第二部分内的该闸极氧化物层。该第一传导层系进一步传导地连接至该第二传导层。

5. 发明专利

TW200701405A 具碳堆疊電容器之DRAM DRAM HAVING CARBON STACK CAPACITOR 审中-公开
简体标题：具碳堆栈电容器之DRAM DRAM HAVING CARBON STACK CAPACITOR
公开(公告)号：TW200701405A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095119930
申请日：2006-06-05
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：安德魯.格拉罕 ANDREW GRAHAM , 喬治.迪斯貝格 GEORG DUESBERG , 維納爾.史泰因赫格爾 WERNER STEINHOEGL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L27/10852
摘要：公開了一種DRAM堆疊電容器及其其製造方法。該DRAM堆疊電容器形成有包括導電碳層的第一電容器電極、電容器介電層和第二電容器電極。
简体摘要：公开了一种DRAM堆栈电容器及其其制造方法。该DRAM堆栈电容器形成有包括导电碳层的第一电容器电极、电容器介电层和第二电容器电极。

6. 发明专利

TW200931614A 焊接接觸及其形成方法 SOLDER CONTACTS AND METHODS OF FORMING SAME 审中-公开
简体标题：焊接接触及其形成方法 SOLDER CONTACTS AND METHODS OF FORMING SAME
公开(公告)号：TW200931614A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097143955
申请日：2008-11-13
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：馬丁阿爾弗雷德 MARTIN, ALFRED , 哈斯雷爾芭芭拉 HASLER, BARBARA , 法蘭諾許馬丁 FRANOSCH, MARTIN , 奧佩爾曼克勞斯岡特爾 OPPERMANN, KLAUS-GUENTER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/3452 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06136 , H01L2224/10125 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/11332 , H01L2224/11334 , H01L2224/11422 , H01L2224/11622 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13012 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/8109 , H01L2224/81205 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H05K3/3484 , H05K2201/0989 , H05K2201/2081 , H05K2203/043 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
摘要：一種積體電路,其包括一基板及該基板上之一結構層。該結構層包括一通達該基板之開口、該基板上之一第一場域和一第二場域,其中該第一場域和該第二場域至少部分地與該開口重疊。該積體電路更包括該第一場域之區域中之一第一材料及該第二場域之區域中之一第二材料。該第一材料阻止被一焊料濕潤的作用,且該第二材料提供被該焊料濕潤的作用。
简体摘要：一种集成电路,其包括一基板及该基板上之一结构层。该结构层包括一通达该基板之开口、该基板上之一第一场域和一第二场域,其中该第一场域和该第二场域至少部分地与该开口重叠。该集成电路更包括该第一场域之区域中之一第一材料及该第二场域之区域中之一第二材料。该第一材料阻止被一焊料湿润的作用,且该第二材料提供被该焊料湿润的作用。

7. 发明专利

TWI298929B 積體半導體結構製造方法及其積體半導體結構 MANUFACTURING METHOD FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND CORRESPONDING INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE 失效
简体标题：积体半导体结构制造方法及其积体半导体结构 MANUFACTURING METHOD FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND CORRESPONDING INTEGRATED SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TWI298929B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW095123042
申请日：2006-06-26
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：馬蒂雅斯.戈爾德巴赫 MATTHIAS GOLDBACH , 吳東平 DONGPING WU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823857
摘要：本發明提供一種用於製造一積體半導體結構的方法以
及一種對應的積體半導體結構。該製造方法包含的步驟
為:提供一半導體基板(1),其具有一上表面(O)以及具有一
第一與一第二電晶體區域(T1,T2);其中所述第一電晶體區
域(T1)是一n-MOSFET區域,以及所述第二電晶體區域(T2)
是一p-MOSFET區域;在所述第一與第二電晶體區域(T1,
T2)上形成一閘結構,其在所述第一與第二電晶體區域(T1,
T2)中各包含至少一閘介電層(2,3,10c,17,25)以及一閘層
(4;35;50;60);其中在所述第二電晶體區域(T2)中的所述閘
層(4;35;60)是由負摻雜的多晶矽所製成;其中所述第一電
晶體區域(T1)中的所述至少一閘介電層(2,10c,17)包含一
第一介電層(2,10c,17);其中所述第二電晶體區域(T2)中的
所述至少一閘介電層(2,3,10c,25,25')包含一介面介電層(2;
25;25'),其位置鄰接所述第二電晶體區域(T2)中的所述閘
層(4;35;60);所述介面介電層(2;25;25')在所述第二電晶
體區域(T2)中所述閘層(4;35;60)上形成一含有Al2O3的介
面,造成一費爾米牽制效應;以及其中所述第一電晶體區
域(T1)不包含所述介面介電層(2;25;25')。
简体摘要：本发明提供一种用于制造一积体半导体结构的方法以及一种对应的积体半导体结构。该制造方法包含的步骤为:提供一半导体基板(1),其具有一上表面(O)以及具有一第一与一第二晶体管区域(T1,T2);其中所述第一晶体管区域(T1)是一n-MOSFET区域,以及所述第二晶体管区域(T2) 是一p-MOSFET区域;在所述第一与第二晶体管区域(T1, T2)上形成一闸结构,其在所述第一与第二晶体管区域(T1, T2)中各包含至少一闸介电层(2,3,10c,17,25)以及一闸层 (4;35;50;60);其中在所述第二晶体管区域(T2)中的所述闸层(4;35;60)是由负掺杂的多晶硅所制成;其中所述第一电晶体区域(T1)中的所述至少一闸介电层(2,10c,17)包含一第一介电层(2,10c,17);其中所述第二晶体管区域(T2)中的所述至少一闸介电层(2,3,10c,25,25')包含一界面介电层(2; 25;25'),其位置邻接所述第二晶体管区域(T2)中的所述闸层(4;35;60);所述界面介电层(2;25;25')在所述第二电晶体区域(T2)中所述闸层(4;35;60)上形成一含有Al2O3的介面,造成一费尔米牵制效应;以及其中所述第一晶体管区域(T1)不包含所述界面介电层(2;25;25')。

8. 发明专利

TW200828472A 電路製造方法 METHOD FOR FABRICATING A CIRCUIT 审中-公开
简体标题：电路制造方法 METHOD FOR FABRICATING A CIRCUIT
公开(公告)号：TW200828472A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096144198
申请日：2007-11-21
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：哈利赫德雷爾 HARRY HEDLER , 羅蘭德伊爾席格勒爾 ROLAND IRSIGNLER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05K3/101 , H01L21/4867 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/82001 , H01L2224/92144 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H05K3/4038 , H05K3/4602 , H05K2201/10674 , H05K2203/128 , H01L2224/82 , H01L2924/00014
摘要：本發明提出一種製造一電路排列的方法。一實施例提供一基層,藉此將第一層置放於該基層上且具有至少一通道,藉此由一電絕緣材料製造該第一層,藉此該基層至少部分地覆蓋該通道,藉此將一第二層置放於該第一層上,該第二層包括一凹處,該第二層至少部分地覆蓋該通道且藉此該凹處至少部分地配置於該通道上方,藉此用一液體填注該通道和該凹處,使該液體固化且在該通道內及該凹處內形成一電導體。
简体摘要：本发明提出一种制造一电路排列的方法。一实施例提供一基层,借此将第一层置放于该基层上且具有至少一信道,借此由一电绝缘材料制造该第一层,借此该基层至少部分地覆盖该信道,借此将一第二层置放于该第一层上,该第二层包括一凹处,该第二层至少部分地覆盖该信道且借此该凹处至少部分地配置于该信道上方,借此用一液体填注该信道和该凹处,使该液体固化且在该信道内及该凹处内形成一电导体。

9. 发明专利

TW200820375A 焊柱凸塊及其製造方法 SOLDER PILLAR BUMPING AND A METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：焊柱凸块及其制造方法 SOLDER PILLAR BUMPING AND A METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200820375A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096136652
申请日：2007-09-29
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：羅蘭德伊爾席格勒爾 ROLAND IRSIGLER , 哈利赫德雷爾 HARRY HEDLER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/563 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/10126 , H01L2224/1131 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/11474 , H01L2224/1148 , H01L2224/1191 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/73203 , H01L2224/81194 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099
摘要：一種用於形成一覆晶凸塊的方法包括了於一晶片上形成複數金屬化墊片;在另一步驟中,於該晶片與該等金屬化墊片上形成一結構化層,其具有孔隙,其中該晶片上的該等墊片係經由該等孔隙而暴露;在次一步驟中,將該晶片轉移至內有液體金屬浴之一腔室;在另一步驟中,於該腔室內產生一第一壓力,然後將該晶片浸至該液體金屬浴中;在另一步驟中,於該腔室內產生一第二壓力,使得該液體金屬充填部分之該等孔隙,藉以形成連接至該等墊片之金屬柱。
简体摘要：一种用于形成一覆晶凸块的方法包括了于一芯片上形成复数金属化垫片;在另一步骤中,于该芯片与该等金属化垫片上形成一结构化层,其具有孔隙,其中该芯片上的该等垫片系经由该等孔隙而暴露;在次一步骤中,将该芯片转移至内有液体金属浴之一腔室;在另一步骤中,于该腔室内产生一第一压力,然后将该芯片浸至该液体金属浴中;在另一步骤中,于该腔室内产生一第二压力,使得该液体金属充填部分之该等孔隙,借以形成连接至该等垫片之金属柱。

10. 发明专利

TW200816481A 積體電晶體裝置及對應製造方法 INTEGRATED TRANSISTOR DEVICE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：积体晶体管设备及对应制造方法 INTEGRATED TRANSISTOR DEVICE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200816481A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096131742
申请日：2007-08-27
申请人：奇夢達股份有限公司 QIMONDA AG
发明人：羅爾夫魏斯 ROLF WEIS
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10876 , H01L29/78
摘要：本發明提供了一種集成電晶體裝置,其包括:半導體基板;柱,在該半導體基板中形成;閘極溝槽,圍繞該柱;第一源極/汲極區,形成在該柱的上部區域中;閘極介電層,形成在閘極溝槽的底部上,並圍繞該柱的下部區域;閘極,形成在該閘極溝槽中的該閘極介電層上,並圍繞該柱的下部區域;以及至少一第二源極/汲極區,形成在該半導體基板的上部區域中,並與該閘極溝槽鄰接。本發明還提供了一種對應的製造方法。
简体摘要：本发明提供了一种集成晶体管设备,其包括:半导体基板;柱,在该半导体基板中形成;闸极沟槽,围绕该柱;第一源极/汲极区,形成在该柱的上部区域中;闸极介电层,形成在闸极沟槽的底部上,并围绕该柱的下部区域;闸极,形成在该闸极沟槽中的该闸极介电层上,并围绕该柱的下部区域;以及至少一第二源极/汲极区,形成在该半导体基板的上部区域中,并与该闸极沟槽邻接。本发明还提供了一种对应的制造方法。

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