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1. 发明专利

TW493216B 具有旋轉基板之快速熱處理系統失效
简体标题：具有旋转基板之快速热处理系统
公开(公告)号：TW493216B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW087117547
申请日：1998-10-23
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：維爾納.布萊希 , 彼得.格呂恩瓦爾德 , 米歇爾.毛爾 , 赫爾穆特.默克勒 , 托瑪斯.泰勒 , 海因里希.瓦爾特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67115
摘要：本發明係關於一種具有旋轉基板之快速熱處理系統，其中，快速熱處理(RTP)的反應室中，有一面反應室壁面要支撐與反應室有關的基板，以致於在快速熱處理反應室中需處理的基板之轉動相對地與加熱基板之加熱燈有關。
简体摘要：本发明系关于一种具有旋转基板之快速热处理系统，其中，快速热处理(RTP)的反应室中，有一面反应室壁面要支撑与反应室有关的基板，以致于在快速热处理反应室中需处理的基板之转动相对地与加热基板之加热灯有关。

2. 发明专利

TW489397B 在一熱處理腔中測定溫度之方法有权
简体标题：在一热处理腔中测定温度之方法
公开(公告)号：TW489397B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089104394
申请日：2000-03-10
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：泰新平 , 胡耀奇 , 倫德希爾泰庫爾
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種在一熱處理腔中測定溫度之方法，其係敘述一種用於在存在有一個氧化的環境或在存在有一個還原的環境之中，在一熱處理腔中測定基板溫度之系統及方法。特別地，根據本發明所作之溫度測定通常是用於校正其他可與熱處理腔一起使用之溫度偵測裝置。本發明之方法通常是被集中用於在一熱處理腔之中，在一個氧化的環境或在一個還原的環境之中加熱一含有活性覆蓋層之基板。當晶圓在加熱時，根據此基板被揭示之溫度，此活性覆蓋層與包含在處理腔之中的氣體起反應。在加熱之後，任何形成在基板上的覆蓋層的厚度被測量，以測定基板被加熱的溫度。然後此資訊可用於校正其他的溫度偵測裝置，例如熱電偶及高溫計。
简体摘要：本发明系关于一种在一热处理腔中测定温度之方法，其系叙述一种用于在存在有一个氧化的环境或在存在有一个还原的环境之中，在一热处理腔中测定基板温度之系统及方法。特别地，根据本发明所作之温度测定通常是用于校正其他可与热处理腔一起使用之温度侦测设备。本发明之方法通常是被集中用于在一热处理腔之中，在一个氧化的环境或在一个还原的环境之中加热一含有活性覆盖层之基板。当晶圆在加热时，根据此基板被揭示之温度，此活性覆盖层与包含在处理腔之中的气体起反应。在加热之后，任何形成在基板上的覆盖层的厚度被测量，以测定基板被加热的温度。然后此信息可用于校正其他的温度侦测设备，例如热电偶及高温计。

3. 发明专利

TW483070B 熱處理基板之方法及裝置有权
简体标题：热处理基板之方法及设备
公开(公告)号：TW483070B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW089122630
申请日：2001-01-29
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：安德烈亞斯緹爾曼 , 吳緯凱瑟
IPC分类号： H01L , B01J , F27D
CPC分类号： H01L21/67115
摘要：本發明係關於一種熱處理基板之方法及裝置，其係在熱處理基板時，在基板上或基板內獲致一溫度分佈，尤其是一均勻之溫度分佈，於一在程序室內熱處理基板，尤其是半導體晶圓之方法中，在程序室內設有至少一影響溫度分佈之元件，在熱處理時，元件相對於基板及/或程序室之空間設置被改變。此外，也提出一裝置，用以在程序室內熱處理基板，在程序室內具至少一影響溫度分佈之元件，其設有一裝置，以改變熱處理時元件相對於基板及/或程序室之空間設置。
简体摘要：本发明系关于一种热处理基板之方法及设备，其系在热处理基板时，在基板上或基板内获致一温度分布，尤其是一均匀之温度分布，于一在进程室内热处理基板，尤其是半导体晶圆之方法中，在进程室内设有至少一影响温度分布之组件，在热处理时，组件相对于基板及/或进程室之空间设置被改变。此外，也提出一设备，用以在进程室内热处理基板，在进程室内具至少一影响温度分布之组件，其设有一设备，以改变热处理时组件相对于基板及/或进程室之空间设置。

4. 发明专利

TW481869B 處理多個晶圓之快速熱處理室有权
简体标题：处理多个晶圆之快速热处理室
公开(公告)号：TW481869B
公开(公告)日：2002-04-01
申请号：TW088121430
申请日：1999-12-07
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：阿濃.高特
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種處理多個晶圓之快速熱處理室，有一可在同時加熱多半導體晶圓系統被敘述。這個設備包含一熱處理室，其包含一設計成用在固定從約3個至約10個晶圓的基板固定器。該熱處理室被光能量來源包圍，該來源用於加熱包含在處理室之中的晶圓。這個光能量來源可以直接地或間接地加熱晶圓。在一具體實例之中，這個熱處理室包含一由一種熱傳導材料所製成的襯套。這個光能量來源用於加熱該襯套，該襯套然後加熱晶圓。在一替代的具體實例之中，能量分散平板被放置在鄰接的晶圓之間。光能量來源所放射的光能量進入到能量分散組件，而將其分散至鄰接的晶圓的表面，用於均勻地加熱晶圓。
简体摘要：本发明系关于一种处理多个晶圆之快速热处理室，有一可在同时加热多半导体晶圆系统被叙述。这个设备包含一热处理室，其包含一设计成用在固定从约3个至约10个晶圆的基板固定器。该热处理室被光能量来源包围，该来源用于加热包含在处理室之中的晶圆。这个光能量来源可以直接地或间接地加热晶圆。在一具体实例之中，这个热处理室包含一由一种热传导材料所制成的衬套。这个光能量来源用于加热该衬套，该衬套然后加热晶圆。在一替代的具体实例之中，能量分散平板被放置在邻接的晶圆之间。光能量来源所放射的光能量进入到能量分散组件，而将其分散至邻接的晶圆的表面，用于均匀地加热晶圆。

5. 发明专利

TW469298B 快速熱處理反應室、快速熱處理系統、與使用快速熱處理系統之快速熱處理物體之方法失效
简体标题：快速热处理反应室、快速热处理系统、与使用快速热处理系统之快速热处理物体之方法
公开(公告)号：TW469298B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW087110756
申请日：1998-07-03
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：赫爾穆特.阿舍爾 , 赫爾穆特.默克勒 , 烏爾希里.瓦爾克 , 迪特爾.策尼科爾
IPC分类号： H01L , C23C , C30B , F27B , F27D
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4401 , C30B25/08 , C30B31/10 , C30B35/00 , H01L21/67115
摘要：本發明係關於一種快速熱處理系統之可膨脹的彈性聚合物組件，其快速熱處理(RTP)反應室包含一塊透明石英板及一個反應室主體，此石英板以一個氣密的密封而密封於反應室主體之上，此氣密的密封是藉膨脹一個可膨脹的組件而啟動。
简体摘要：本发明系关于一种快速热处理系统之可膨胀的弹性聚合物组件，其快速热处理(RTP)反应室包含一块透明石英板及一个反应室主体，此石英板以一个气密的密封而密封于反应室主体之上，此气密的密封是藉膨胀一个可膨胀的组件而启动。

6. 发明专利

TW523845B 熱處理腔內高溫計之校準系統及方法有权
简体标题：热处理腔内高温计之校准系统及方法
公开(公告)号：TW523845B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW089108334
申请日：2000-05-03
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：朱利歐吉阿丹度
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/08 , G01J5/0821 , G01J5/0878 , G01J5/0887 , G01J5/0896 , G01J5/522
摘要：本發明係關於一種方法及系統用於校準輻射感測裝置，如熱處理腔內之高溫計。此系統包含一反射裝置，設置於輻射感測裝置之對面，及一校正光源，其可放射光能至反射裝置上。此系統之設計係便於每一輻射感測裝置曝晒自反射裝置之光能，均接收相同之強度，且反射裝置具有一預設值。接著輻射感測裝置可用於測量反射之光能量，此再與預設值比較，即可視需要做任何調整。
简体摘要：本发明系关于一种方法及系统用于校准辐射传感设备，如热处理腔内之高温计。此系统包含一反射设备，设置于辐射传感设备之对面，及一校正光源，其可放射光能至反射设备上。此系统之设计系便于每一辐射传感设备曝晒自反射设备之光能，均接收相同之强度，且反射设备具有一默认值。接着辐射传感设备可用于测量反射之光能量，此再与默认值比较，即可视需要做任何调整。

7. 发明专利

TW489414B 在快速加熱時控制一反射基板溫度之系統有权
简体标题：在快速加热时控制一反射基板温度之系统
公开(公告)号：TW489414B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089117947
申请日：2000-09-01
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：泰新平 , 胡耀奇 , 倫德希爾泰庫爾 , 阿儂高特
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種在快速加熱時控制一反射基板溫度之系統，其用於快速地加熱在整個晶圓或在一有圖樣之區域塗覆有一高度地反射材料之系統和方法。此晶圓被以一多數目之加熱燈在一熱處理腔中加熱。為了使得塗覆有高度地反射材料之晶圓能以較低之能量強度更快速地增加溫度，一阻隔組件被放置在晶圓和多數目之加熱燈之間的位置。此阻隔組件是由一高發射率之材料所製成，例如陶瓷材料，當暴露在光能量之中時會增加溫度。在被加熱之後，此阻隔組件接著以比較高之均勻度加熱半導體晶圓。在一具體實例中，當其被加熱時，此阻隔組件可以同時被用於測定晶圓之溫度。
简体摘要：本发明系关于一种在快速加热时控制一反射基板温度之系统，其用于快速地加热在整个晶圆或在一有图样之区域涂覆有一高度地反射材料之系统和方法。此晶圆被以一多数目之加热灯在一热处理腔中加热。为了使得涂覆有高度地反射材料之晶圆能以较低之能量强度更快速地增加温度，一阻隔组件被放置在晶圆和多数目之加热灯之间的位置。此阻隔组件是由一高发射率之材料所制成，例如陶瓷材料，当暴露在光能量之中时会增加温度。在被加热之后，此阻隔组件接着以比较高之均匀度加热半导体晶圆。在一具体实例中，当其被加热时，此阻隔组件可以同时被用于测定晶圆之温度。

8. 发明专利

TW488009B 熱處理基板之裝置有权
简体标题：热处理基板之设备
公开(公告)号：TW488009B
公开(公告)日：2002-05-21
申请号：TW090101432
申请日：2001-01-29
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：吳緯凱瑟 , 卡斯滕韋貝爾 , 威爾菲利德萊爾希博士 , 米薛歇葛蘭蒂 , 派翠克史密特 , 猶爾格尼斯博士 , 歐古阿爾圖博士
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/67115 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要：本發明係關於一種熱處理基板主裝置，尤其是半導體基板，在一反應室內，基板被置於支持元件上，為降低刮痕之產生，本發明設計可動之支持元件。
简体摘要：本发明系关于一种热处理基板主设备，尤其是半导体基板，在一反应室内，基板被置于支持组件上，为降低刮痕之产生，本发明设计可动之支持组件。

9. 发明专利

TW457678B 在半導體晶圓上產生銅外貌之方法失效
简体标题：在半导体晶圆上产生铜外貌之方法
公开(公告)号：TW457678B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089116673
申请日：2000-08-17
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：泰新平 , 胡耀奇 , 夏朗潘尼雷胡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L21/76888
摘要：本發明係關於一種在半導體晶圓上產生銅外貌之方法，其中，銅或一含有銅之化合物被沈積至一基板中之孔洞或低凹處中，然後此銅材料被氧化以填滿在銅材料之中的空隙和缺點，之後其被還原而產生一低凹處是被以銅元素均勻所填充的。
简体摘要：本发明系关于一种在半导体晶圆上产生铜外貌之方法，其中，铜或一含有铜之化合物被沉积至一基板中之孔洞或低凹处中，然后此铜材料被氧化以填满在铜材料之中的空隙和缺点，之后其被还原而产生一低凹处是被以铜元素均匀所填充的。

10. 发明专利

TW403834B 光學式輻射測量裝置有权
简体标题：光学式辐射测量设备
公开(公告)号：TW403834B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW087119957
申请日：1998-12-02
申请人：史悌克RTP系統有限公司
发明人：馬爾庫斯豪夫
IPC分类号： G01J
CPC分类号： H01L21/67115 , G01J5/0003
摘要：本發明係關於一種光學式輻射測量裝置，其係在一個光學式之裝置中，有至少一個輻射偵測器(10)，以測量一種由至少一個輻射源(3)所放射之電磁輻射，當在輻射源(3)與輻射偵測器(10)之間，設置一種在一個通道鑄體(ll)中組成之輻射通道(12)，作為其輻射路徑時，則可減少會對測量結果造成影響之背景輻射，並改善及確保其測量結果。'(圖一)
简体摘要：本发明系关于一种光学式辐射测量设备，其系在一个光学式之设备中，有至少一个辐射侦测器(10)，以测量一种由至少一个辐射源(3)所放射之电磁辐射，当在辐射源(3)与辐射侦测器(10)之间，设置一种在一个信道铸体(ll)中组成之辐射信道(12)，作为其辐射路径时，则可减少会对测量结果造成影响之背景辐射，并改善及确保其测量结果。'(图一)

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