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1. 发明专利

TW200837493A 半調相移空白光罩、半調相移光罩以及其製造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：半调相移空白光罩、半调相移光罩以及其制造方法 HALF-TONE PHASE SHIFT BLANKMASK, HALF-TONE PHASE SHIFT PHOTOMASK AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200837493A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096150331
申请日：2007-12-26
申请人： S&S技術股份有限公司 S&S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 車韓宣 CHA, HAN-SUN , 梁信柱 YANG, SIN-JU , 梁澈圭 YANG, CHUL-KYU , 姜周鉉 KANG, JU-HYUN
IPC分类号： G03F
摘要：在製造半調式相轉移空白遮罩時,使用比基板表面面積大的、同時含鉬、鉭、矽的濺鍍靶形成相移膜。這樣可以製造均勻性高的優質的相移膜;而且投入批量生產時,可以製造出均勻性非常高的產品;還有,在相移膜上添加鉭,可以確保優秀的耐化學性,可以生產出在熱力學上具有穩定性好的特徵的相移膜;同時,基於這些穩定性,可以生產出透視率、相移等特徵不發生變化、因低殘餘應力不發生缺陷的、品質優秀的半調式相轉移空白遮罩;而且,由於添加鉭的原因,改善相移膜的離子及揮發性有機化學物的吸附特性,從而可以生產出不發生生長缺陷的半調式相轉移空白遮罩。
简体摘要：在制造半调式相转移空白遮罩时,使用比基板表面面积大的、同时含钼、钽、硅的溅镀靶形成相移膜。这样可以制造均匀性高的优质的相移膜;而且投入批量生产时,可以制造出均匀性非常高的产品;还有,在相移膜上添加钽,可以确保优秀的耐化学性,可以生产出在热力学上具有稳定性好的特征的相移膜;同时,基于这些稳定性,可以生产出透视率、相移等特征不发生变化、因低残余应力不发生缺陷的、品质优秀的半调式相转移空白遮罩;而且,由于添加钽的原因,改善相移膜的离子及挥发性有机化学物的吸附特性,从而可以生产出不发生生长缺陷的半调式相转移空白遮罩。

2. 发明专利

TW200811589A 具有平坦透射率的格磊頓(GRAY TONE)光罩基底及使用該光罩基底之光罩 FLAT TRANSMITTANCE MODULATION (TM) BLANK MASK AND PHOTOMASK USING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有平坦透射率的格磊顿(GRAY TONE)光罩基底及使用该光罩基底之光罩 FLAT TRANSMITTANCE MODULATION (TM) BLANK MASK AND PHOTOMASK USING THE SAME
公开(公告)号：TW200811589A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096114679
申请日：2007-04-25
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 車翰宣 CHA, HAN-SUN , 姜亨鍾 KANG, HYOUNG-JONG , 柳基勳 RYU, GI-HUN
IPC分类号： G03F
摘要：本發明涉及一種製造TFT-LCD等平板顯示器時用於圖罩縮減製程的格磊頓(Gray Tone)光罩基底及光罩。尤其是提供一種i-line(365nm)、h-line(405nm)及g-line(436nm)時的透射率偏差低於5%、具有圖樣檢查作業方便的半透射膜、可輕易調節照射量、可輕易控制被照射體的CD(Critical Dimension)尺寸及圖樣輪廓的平板顯示器製造用格磊頓光罩基底及其光罩。本發明還提供了可以在使用上述格磊頓光罩基底製造格磊頓光罩時,使半透射圖樣、透射圖樣及遮光圖樣進行自動定位(Self Allign)的製造方法。
简体摘要：本发明涉及一种制造TFT-LCD等平板显示器时用于图罩缩减制程的格磊顿(Gray Tone)光罩基底及光罩。尤其是提供一种i-line(365nm)、h-line(405nm)及g-line(436nm)时的透射率偏差低于5%、具有图样检查作业方便的半透射膜、可轻易调节照射量、可轻易控制被照射体的CD(Critical Dimension)尺寸及图样轮廓的平板显示器制造用格磊顿光罩基底及其光罩。本发明还提供了可以在使用上述格磊顿光罩基底制造格磊顿光罩时,使半透射图样、透射图样及遮光图样进行自动定位(Self Allign)的制造方法。

3. 发明专利

TW200900851A 灰度光罩基板製造方法和基於該方法的光罩 PROCESS METHOD OF GRAY TONE BLANKMASK, AND PHOTOMASK USING THE SAME 审中-公开
简体标题：灰度光罩基板制造方法和基于该方法的光罩 PROCESS METHOD OF GRAY TONE BLANKMASK, AND PHOTOMASK USING THE SAME
公开(公告)号：TW200900851A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097106265
申请日：2008-02-22
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 車翰宣 CHA, HAN-SUN , 柳基勳 RYU, GI-HUN , 金世雲 KIM, SE-WOON
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：本發明係有關於一種可以製作出具有透明基板、位於上述透明基板上的遮光部、透射部及半透射部圖案之灰度光罩的灰度光罩基板,其中,至少在上述透明基板上層積半透射膜,在上述半透射膜上層積遮光膜,反射膜則選擇性地進行層積,上述半透射膜含鉭(Ta)並由上述鉭(Ta)上添加了鋁(Al)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鎢(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎘(Cd)、鋯(Zr)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、釔(Y)、硫(S)、銦(In)、錫(Sn)、硼(B)及鈹(Be)中一種以上金屬的鉭合金(Ta Alloy)或包括碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)、氯(Cl)及氫(H)中一種以上半導體元素的鉭(Ta)化合物所組成。按照上述方法製成的本發明灰度光罩基板可以穩定地進行濕式蝕刻製程並容易調整蝕刻速度,對於鉻蝕刻液或清洗液之類的化學藥品具有卓越的耐化學性。
简体摘要：本发明系有关于一种可以制作出具有透明基板、位于上述透明基板上的遮光部、透射部及半透射部图案之灰度光罩的灰度光罩基板,其中,至少在上述透明基板上层积半透射膜,在上述半透射膜上层积遮光膜,反射膜则选择性地进行层积,上述半透射膜含钽(Ta)并由上述钽(Ta)上添加了铝(Al)、锌(Zn)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、铂(Pt)、锰(Mn)、铁(Fe)、镍(Ni)、镉(Cd)、锆(Zr)、镁(Mg)、锂(Li)、硒(Se)、铜(Cu)、钇(Y)、硫(S)、铟(In)、锡(Sn)、硼(B)及铍(Be)中一种以上金属的钽合金(Ta Alloy)或包括碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)、氯(Cl)及氢(H)中一种以上半导体元素的钽(Ta)化合物所组成。按照上述方法制成的本发明灰度光罩基板可以稳定地进行湿式蚀刻制程并容易调整蚀刻速度,对于铬蚀刻液或清洗液之类的化学药品具有卓越的耐化学性。

4. 发明专利

TW200807146A 大型光罩基板及其製造方法與使用相同光罩基板之光罩 LARGE PHOTOMASK BLANK, FABRICATION METHOD THEREOF, AND PHOTOMASK USING THE SAME 审中-公开
简体标题：大型光罩基板及其制造方法与使用相同光罩基板之光罩 LARGE PHOTOMASK BLANK, FABRICATION METHOD THEREOF, AND PHOTOMASK USING THE SAME
公开(公告)号：TW200807146A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096105373
申请日：2007-02-14
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 姜遠 KANG, GEUNG-WON , 朴淵洙 PARK, YOUN-SOO
IPC分类号： G03F
摘要：本發明揭示一種光罩基板、光罩基板製造方法及使用相同光罩基板之光罩。該光罩基板或光罩有一用以製造一半導體裝置與顯示器裝置之大面積。該光罩基板被設計成包括一於其上形成有一膜之光發射基底之該主表面之區域與一其上不形成該膜之周邊部分。該光發射基底每一邊處之長度為150mm。該周邊部分之寬度小於3mm。如此一光罩基板被用於製造一光罩。本發明可降低處理該光罩基板及該光罩時可能產生之顆粒,改進塗敷於該膜上之保護層之均勻性,且形成該膜時使其較寬,用以允許加寬該邊緣部分,藉此增加被用於該光罩中之圖案密度。
简体摘要：本发明揭示一种光罩基板、光罩基板制造方法及使用相同光罩基板之光罩。该光罩基板或光罩有一用以制造一半导体设备与显示器设备之大面积。该光罩基板被设计成包括一于其上形成有一膜之光发射基底之该主表面之区域与一其上不形成该膜之周边部分。该光发射基底每一边处之长度为150mm。该周边部分之宽度小于3mm。如此一光罩基板被用于制造一光罩。本发明可降低处理该光罩基板及该光罩时可能产生之颗粒,改进涂敷于该膜上之保护层之均匀性,且形成该膜时使其较宽,用以允许加宽该边缘部分,借此增加被用于该光罩中之图案密度。

5. 发明专利

TW200842090A 光罩封裝盒及封裝盒材料之選擇方法 MASK PACKING BOX AND SELECTION METHOD OF PACKING BOX MATERIAL THEREFOR 审中-公开
简体标题：光罩封装盒及封装盒材料之选择方法 MASK PACKING BOX AND SELECTION METHOD OF PACKING BOX MATERIAL THEREFOR
公开(公告)号：TW200842090A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096114678
申请日：2007-04-25
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 車翰宣 CHA, HAN-SUN , 梁信主 YANG, SIN-JU , 梁澈圭 YANG, CHUL-KYU
IPC分类号： B65D , H01L , G03F
摘要：本發明涉及一種光罩基底及光罩或標線片(Reticle)等半導體製程之圖罩封裝用封裝盒及該封裝盒材料之選擇方法,尤其是其結構可以在使用捲帶進行封裝時減少盒內空氣移動分子污染的封裝盒及其材料選擇方法。也就是說,把空氣移動分子污染(AMC)的濃度控制在每單位體積5ppm以下的狀態,可以把單個或多個圖罩安全地加以包裝、保管及搬運的圖罩用封裝盒及該封裝盒材料之選擇方法。
简体摘要：本发明涉及一种光罩基底及光罩或标线片(Reticle)等半导体制程之图罩封装用封装盒及该封装盒材料之选择方法,尤其是其结构可以在使用卷带进行封装时减少盒内空气移动分子污染的封装盒及其材料选择方法。也就是说,把空气移动分子污染(AMC)的浓度控制在每单位体积5ppm以下的状态,可以把单个或多个图罩安全地加以包装、保管及搬运的图罩用封装盒及该封装盒材料之选择方法。

6. 发明专利

TW200800753A 光罩容器 MASK CONTAINER 审中-公开
公开(公告)号：TW200800753A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096105374
申请日：2007-02-14
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 姜遠 KANG, GEUNG-WON , 張東根 CHANG, DONG-KEUN
IPC分类号： B65D
摘要：本發明揭示一種接受一大型毛胚光罩或大型光罩之光罩容器,每一光罩成形為一矩形板,且其第一與第二表面垂直於其厚度方向。該光罩容器防止接受與運載時產生顆粒,且防止顆粒吸附大型毛胚光罩或大型光罩。該光罩容器包含:一具有複數個接受部件之第一體,每一該等接受部件接受該光罩之第一表面之邊之若干部分;一具有複數個接受部件之第二體,每一該等接受部件接受該光罩之第二表面之邊之若干部分,該第二體被定位成與該第一體面對;一耦合裝置,其使該第一體與第二體能夠在被接受於該第一與第二接受部件中之該光罩的厚度方向上以彼此可分離之方式耦合;及一固定該光罩至該等等第一與第二接受部件之固定裝置。
简体摘要：本发明揭示一种接受一大型毛胚光罩或大型光罩之光罩容器,每一光罩成形为一矩形板,且其第一与第二表面垂直于其厚度方向。该光罩容器防止接受与运载时产生颗粒,且防止颗粒吸附大型毛胚光罩或大型光罩。该光罩容器包含:一具有复数个接受部件之第一体,每一该等接受部件接受该光罩之第一表面之边之若干部分;一具有复数个接受部件之第二体,每一该等接受部件接受该光罩之第二表面之边之若干部分,该第二体被定位成与该第一体面对;一耦合设备,其使该第一体与第二体能够在被接受于该第一与第二接受部件中之该光罩的厚度方向上以彼此可分离之方式耦合;及一固定该光罩至该等等第一与第二接受部件之固定设备。

7. 发明专利

TWI311974B 光罩容器 MASK CONTAINER 有权
公开(公告)号：TWI311974B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW096105374
申请日：2007-02-14
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 姜遠 KANG, GEUNG-WON , 張東根 CHANG, DONG-KEUN
IPC分类号： B65D
摘要：本發明揭示一種接受一大型毛坯光罩或大型光罩之光罩容器,每一光罩成形為一矩形板,且其第一與第二表面垂直於其厚度方向。該光罩容器防止接受與運載時產生顆粒,且防止顆粒吸附該大型毛坯光罩或大型光罩。該光罩容器包含:一具有複數個接受部件之第一體,每一該等接受部件接受該光罩之第一表面之邊之若干部分;一具有複數個接受部件之第二體,每一該等接受部件接受該光罩之第二表面之邊之若干部分,該第二體被定位成與該第一體面對;一耦合裝置,其使該第一體與第二體能夠在被接受於該第一與第二接受部件中之該光罩的厚度方向上以彼此可分離之方式耦合;及一固定該光罩至該等第一與第二接受部件之固定裝置。
简体摘要：本发明揭示一种接受一大型毛坯光罩或大型光罩之光罩容器,每一光罩成形为一矩形板,且其第一与第二表面垂直于其厚度方向。该光罩容器防止接受与运载时产生颗粒,且防止颗粒吸附该大型毛坯光罩或大型光罩。该光罩容器包含:一具有复数个接受部件之第一体,每一该等接受部件接受该光罩之第一表面之边之若干部分;一具有复数个接受部件之第二体,每一该等接受部件接受该光罩之第二表面之边之若干部分,该第二体被定位成与该第一体面对;一耦合设备,其使该第一体与第二体能够在被接受于该第一与第二接受部件中之该光罩的厚度方向上以彼此可分离之方式耦合;及一固定该光罩至该等第一与第二接受部件之固定设备。

8. 发明专利

TW200900850A 灰度光罩基板及光罩製造方法 PROCESS METHOD OF GRAY TONE BLANKMASK AND PHOTOMASK 审中-公开
简体标题：灰度光罩基板及光罩制造方法 PROCESS METHOD OF GRAY TONE BLANKMASK AND PHOTOMASK
公开(公告)号：TW200900850A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097100827
申请日：2008-01-09
申请人： S&S技術股份有限公司 S & S TECH CO., LTD.
发明人：南基守 NAM, KEE-SOO , 車翰宣 CHA, HAN-SUN , 柳基勳 RYU, GI-HUN , 金世雲 KIM, SE-WOON
IPC分类号： G03F , H01L
摘要：本發明係有關於一種平板顯示用灰度光罩基板及使用上述灰度光罩基板製造之灰度光罩,本發明在濕式蝕刻製程中由於具備了蝕刻選擇比優異的透射調節膜而可以精密地控制半透射部之透射率並以較高良率製造灰度光罩。本發明之灰度光罩基板由耐化學性較强且可以進行濕式蝕刻之遮光膜與耐化學性較强且可以進行濕式蝕刻的透射調節膜組成,上述各遮光膜與透射調節膜可以透過各自的蝕刻液選擇性地進行蝕刻。本發明之灰度光罩基板也可以包括耐化學性較强且可以進行濕式蝕刻之遮光膜、具有同一蝕刻特性之透射調節膜、以及耐化學性較强且可以進行濕式蝕刻之位於上述遮光膜與透射調節膜之間的蝕刻阻止膜,上述遮光膜、透射調節膜及蝕刻阻止膜可以透過各自的蝕刻液而選擇性地進行蝕刻。
简体摘要：本发明系有关于一种平板显示用灰度光罩基板及使用上述灰度光罩基板制造之灰度光罩,本发明在湿式蚀刻制程中由于具备了蚀刻选择比优异的透射调节膜而可以精密地控制半透射部之透射率并以较高良率制造灰度光罩。本发明之灰度光罩基板由耐化学性较强且可以进行湿式蚀刻之遮光膜与耐化学性较强且可以进行湿式蚀刻的透射调节膜组成,上述各遮光膜与透射调节膜可以透过各自的蚀刻液选择性地进行蚀刻。本发明之灰度光罩基板也可以包括耐化学性较强且可以进行湿式蚀刻之遮光膜、具有同一蚀刻特性之透射调节膜、以及耐化学性较强且可以进行湿式蚀刻之位于上述遮光膜与透射调节膜之间的蚀刻阻止膜,上述遮光膜、透射调节膜及蚀刻阻止膜可以透过各自的蚀刻液而选择性地进行蚀刻。

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