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1. 发明专利

TW201525152A 低α射線鉍及低α射線鉍之製造方法审中-公开
简体标题：低α射线铋及低α射线铋之制造方法
公开(公告)号：TW201525152A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103131533
申请日：2014-09-12
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：細川侑 , HOSOKAWA, YU
IPC分类号： C22B3/46 , C22B30/06 , C22C12/00 , C01G29/00
CPC分类号： C22B3/44 , C22B9/00 , C22B30/06 , C22C12/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
摘要：本發明之鉍之特徵在於：α射線量為0.007cph/cm2以下。本發明之低α射線鉍之製造方法之特徵在於：以α射線量0.15cph/cm2以下之鉍為原料，藉由電解製作鉍濃度5~50g/L、pH值0.0~0.4之硝酸鉍溶液，並於該溶液中添加20~60%之氫氧化鈉水溶液，使帶有釙之沈澱物產生，對其進行過濾而分離成沈澱物1與濾液1，其次對濾液1進行電解萃取而回收鉍。最近之半導體裝置受到高密度化及高電容化，故而因來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響，產生軟錯誤(soft error)之危險變多。尤其是謀求一種靠近半導體裝置而使用之材料，其對焊錫材料之高純度化強烈要求且α射線少，因此本發明之課題在於獲得一種使可適合所要求之材料之鉍即降低α射線量的高純度鉍。
简体摘要：本发明之铋之特征在于：α射线量为0.007cph/cm2以下。本发明之低α射线铋之制造方法之特征在于：以α射线量0.15cph/cm2以下之铋为原料，借由电解制作铋浓度5~50g/L、pH值0.0~0.4之硝酸铋溶液，并于该溶液中添加20~60%之氢氧化钠水溶液，使带有钋之沈淀物产生，对其进行过滤而分离成沈淀物1与滤液1，其次对滤液1进行电解萃取而回收铋。最近之半导体设备受到高密度化及高电容化，故而因来自半导体芯片附近之材料之α射线之影响，产生软错误(soft error)之危险变多。尤其是谋求一种靠近半导体设备而使用之材料，其对焊锡材料之高纯度化强烈要求且α射线少，因此本发明之课题在于获得一种使可适合所要求之材料之铋即降低α射线量的高纯度铋。

2. 发明专利

TW201525153A 低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍审中-公开
简体标题：低α射线铋之制造方法及低α射线铋
公开(公告)号：TW201525153A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103131537
申请日：2014-09-12
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：細川侑 , HOSOKAWA, YU
IPC分类号： C22B30/06 , G21G5/00
CPC分类号： C22B9/10 , C22B30/06
摘要：本發明係一種低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍，該低α射線鉍之製造方法之特徵在於：將鉍原料與氧化物原料混合熔解，使鉍原料中成為α射線之原因之元素向氧化物中移動，從而使鉍之α射線降低。最近之半導體裝置受到高密度化及高電容化，故而因來自半導體晶片附近之材料之α射線之影響，產生軟錯誤(soft error)之危險變多。尤其是謀求一種靠近半導體裝置使用之材料，其對焊錫材料之高純度化強烈要求且α射線少。本發明闡明鉍之產生α射線之現象，並且提供一種使可適合所要求之材料即降低鉍之α射線量的高純度鉍及其製造方法。
简体摘要：本发明系一种低α射线铋之制造方法及低α射线铋，该低α射线铋之制造方法之特征在于：将铋原料与氧化物原料混合熔解，使铋原料中成为α射线之原因之元素向氧化物中移动，从而使铋之α射线降低。最近之半导体设备受到高密度化及高电容化，故而因来自半导体芯片附近之材料之α射线之影响，产生软错误(soft error)之危险变多。尤其是谋求一种靠近半导体设备使用之材料，其对焊锡材料之高纯度化强烈要求且α射线少。本发明阐明铋之产生α射线之现象，并且提供一种使可适合所要求之材料即降低铋之α射线量的高纯度铋及其制造方法。

3. 发明专利

TW201432095A 低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍以及鉍合金审中-公开
简体标题：低α射线铋之制造方法及低α射线铋以及铋合金
公开(公告)号：TW201432095A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102139280
申请日：2013-10-30
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：細川侑 , HOSOKAWA, YU , 伊藤順一 , ITO, JUNICHI
IPC分类号： C25C1/22 , C22C12/00 , C22B30/06 , B23K35/26
CPC分类号： B23K35/264 , B23K35/26 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25C1/22
摘要：一種鉍，α射線量在0.01cph/cm2以下。一種低α射線鉍之製造方法，將鈦製陰極及鉍陽極插入於鉍濃度5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸溶液，以陰極電流密度0.1~1A/dm2進行電解純化。最近之半導體裝置由於高密度化及高容量化，故因來自半導體晶片附近材料之α射線的影響而產生軟性錯誤之危險增多。尤其是由於對接近半導體裝置所使用之焊料材料的高純度化要求強烈，又，要求低α射線之材料，因此本發明之課題在於闡明鉍產生α射線之現象，且得到可因應所要求之材料的鉍其α射線量經降低的高純度鉍及其合金。
简体摘要：一种铋，α射线量在0.01cph/cm2以下。一种低α射线铋之制造方法，将钛制阴极及铋阳极插入于铋浓度5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸溶液，以阴极电流密度0.1~1A/dm2进行电解纯化。最近之半导体设备由于高密度化及高容量化，故因来自半导体芯片附近材料之α射线的影响而产生软性错误之危险增多。尤其是由于对接近半导体设备所使用之焊料材料的高纯度化要求强烈，又，要求低α射线之材料，因此本发明之课题在于阐明铋产生α射线之现象，且得到可因应所要求之材料的铋其α射线量经降低的高纯度铋及其合金。

4. 发明专利

TWI670233B 低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍有权
简体标题：低α射线铋之制造方法及低α射线铋
公开(公告)号：TWI670233B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW103134370
申请日：2014-10-02
申请人：日商JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：細川侑 , HOSOKAWA, YU
IPC分类号： C01G29/00 , C22C13/02

5. 发明专利

TW201532967A 低α射線鉍之製造方法及低α射線鉍审中-公开
简体标题：低α射线铋之制造方法及低α射线铋
公开(公告)号：TW201532967A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103134370
申请日：2014-10-02
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：細川侑 , HOSOKAWA, YU
IPC分类号： C01G29/00 , C22C13/02
CPC分类号： C25C1/22 , B23K1/0016 , B23K35/00 , B23K35/262 , B23K35/264 , B23K2201/42 , C22B3/42 , C22B30/06 , C22C1/00 , C22C12/00 , C22C13/02 , C22C43/00 , C25C7/00 , H01L23/556 , H01L24/13 , H01L2224/13113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2924/01205 , H05K3/3463 , Y02P10/234 , H01L2924/01082 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/0105
摘要：一種低α射線鉍，α射線量在0.003cph/cm2以下。一種低α射線鉍之製造方法，以α射線量在0.5cph/cm2以下之鉍作為原料，藉由電解將原料鉍溶解於硝酸溶液，製作鉍濃度為5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸鉍溶液，使此溶液通過填塞有離子交換樹脂之管柱，以離子交換樹脂將溶液中之釙交換去除，對通過離子交換樹脂後之液體進行電解提煉，來回收鉍。最近之半導體裝置，由於高密度化及高容量化，故因來自半導體晶片附近材料之α射線的影響，而使得發生軟性誤差之危險逐漸變多。尤其是對接近半導體裝置所使用之焊料材料的高純度化要求強烈，又，要求α射線低之材料。本發明提供：闡明鉍產生α射線之現象，且可因應所要求之材料的鉍其α射線量經降低的高純度鉍與其製造方法，及低α射線鉍與錫之合金及其製造方法。
简体摘要：一种低α射线铋，α射线量在0.003cph/cm2以下。一种低α射线铋之制造方法，以α射线量在0.5cph/cm2以下之铋作为原料，借由电解将原料铋溶解于硝酸溶液，制作铋浓度为5~50g/L、pH0.0~0.4之硝酸铋溶液，使此溶液通过填塞有离子交换树脂之管柱，以离子交换树脂将溶液中之钋交换去除，对通过离子交换树脂后之液体进行电解提炼，来回收铋。最近之半导体设备，由于高密度化及高容量化，故因来自半导体芯片附近材料之α射线的影响，而使得发生软性误差之危险逐渐变多。尤其是对接近半导体设备所使用之焊料材料的高纯度化要求强烈，又，要求α射线低之材料。本发明提供：阐明铋产生α射线之现象，且可因应所要求之材料的铋其α射线量经降低的高纯度铋与其制造方法，及低α射线铋与锡之合金及其制造方法。

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