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1. 发明专利

TW200619274A 聚碳矽烷及其製造方法 POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING SAME 审中-公开
简体标题：聚碳硅烷及其制造方法 POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING SAME
公开(公告)号：TW200619274A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094132788
申请日：2005-09-22
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G77/60 , C08G77/50
摘要：本發明之聚碳矽烷為具有矽原子與碳原子為交互連續而形成的主鏈，並具有下述一般式(1)所示之重複構造單位、下述一般式(2)所示之重複構造單位、及下述一般式(3)所示之重複構造單位。094132788-p01.bmp094132788-p02.bmp094132788-p03.bmp094132788-p01.bmp
简体摘要：本发明之聚碳硅烷为具有硅原子与碳原子为交互连续而形成的主链，并具有下述一般式(1)所示之重复构造单位、下述一般式(2)所示之重复构造单位、及下述一般式(3)所示之重复构造单位。094132788-p01.bmp094132788-p02.bmp094132788-p03.bmp094132788-p01.bmp

2. 发明专利

TW200635984A 新穎聚碳矽烷及其製造方法,膜形成用組成物,暨膜及其形成方法 NOVEL POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, FILM-FORMING COMPOSITION, AND FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：新颖聚碳硅烷及其制造方法,膜形成用组成物,暨膜及其形成方法 NOVEL POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, FILM-FORMING COMPOSITION, AND FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200635984A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094141452
申请日：2005-11-25
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G , C09D , B05D
CPC分类号： C08G77/60
摘要：本發明係提供藉由高能量射線照射、或在非活性氣體環境下或減壓環境下施行加熱便可不溶化，可製造出蝕刻耐性與溶劑耐性均優越，且機械強度亦優越之低介電常數膜的新穎聚碳矽烷及其製造方法、膜形成用組成物、暨膜及其形成方法。本發明的新穎聚碳矽烷之製造方法，係包含有：使(A)具有矽–氫鍵結的聚碳矽烷、與(B)能加成矽–氫鍵結之具碳–碳多鍵的化合物進行反應的步驟。094141452-p01.bmp094141452-p02.bmp
简体摘要：本发明系提供借由高能量射线照射、或在非活性气体环境下或减压环境下施行加热便可不溶化，可制造出蚀刻耐性与溶剂耐性均优越，且机械强度亦优越之低介电常数膜的新颖聚碳硅烷及其制造方法、膜形成用组成物、暨膜及其形成方法。本发明的新颖聚碳硅烷之制造方法，系包含有：使(A)具有硅–氢键结的聚碳硅烷、与(B)能加成硅–氢键结之具碳–碳多键的化合物进行反应的步骤。094141452-p01.bmp094141452-p02.bmp

3. 发明专利

TW200610793A 絕緣膜形成用組成物及其製造方法,暨二氧化矽系絕緣膜及其形成方法审中-公开
简体标题：绝缘膜形成用组成物及其制造方法,暨二氧化硅系绝缘膜及其形成方法
公开(公告)号：TW200610793A
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW094115013
申请日：2005-05-10
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C09D , B05D , C08G , H01B , H01L
CPC分类号： C08L83/14 , C08G77/50 , C08G77/60 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , Y10T428/31663
摘要：本發明之絕緣膜形成用組成物，係含有：在(B)成分存在下，將(A)成分施行水解縮合而所獲得的水解縮合物；及有機溶劑；其中，該(B)成分係主鏈為由–(Si–CH2)x–所示構造，且具有下述一般式(4)所示構造、下述一般式(5)所示構造、下述一般式(6)所示構造及下述一般式(7)所示構造的聚碳矽烷；該(A)成分係從下述一般式(1)～(3)所示化合物組群中至少選擇1種之矽烷化合物。094115013-p01.bmp094115013-p02.bmp094115013-p03.bmp(式中，R^8係指選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)094115013-p04.bmp(式中，R^9及R^10係指相同或互異，且選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)094115013-p05.bmp(式中、R^11～R^13係指相同或互異，且選擇自氫原子、鹵原子、羥基、烷氧基、醯氧基所構成組群中的基。)
简体摘要：本发明之绝缘膜形成用组成物，系含有：在(B)成分存在下，将(A)成分施行水解缩合而所获得的水解缩合物；及有机溶剂；其中，该(B)成分系主链为由–(Si–CH2)x–所示构造，且具有下述一般式(4)所示构造、下述一般式(5)所示构造、下述一般式(6)所示构造及下述一般式(7)所示构造的聚碳硅烷；该(A)成分系从下述一般式(1)～(3)所示化合物组群中至少选择1种之硅烷化合物。094115013-p01.bmp094115013-p02.bmp094115013-p03.bmp(式中，R^8系指选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。)094115013-p04.bmp(式中，R^9及R^10系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。)094115013-p05.bmp(式中、R^11～R^13系指相同或互异，且选择自氢原子、卤原子、羟基、烷氧基、酰氧基所构成组群中的基。)

4. 发明专利

TW200536621A 聚合物之製造方法,聚合物,絕緣膜形成用組成物,絕緣膜之製造方法,及絕緣膜审中-公开
简体标题：聚合物之制造方法,聚合物,绝缘膜形成用组成物,绝缘膜之制造方法,及绝缘膜
公开(公告)号：TW200536621A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094101151
申请日：2005-01-14
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： B05D
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122
摘要：本發明係提供可形成能適用為如半導體元件等的層間絕緣膜，且介電常數小，機械強度與密接性均優越，並具有均勻膜質之膜的聚合物之製造方法、聚合物、絕緣膜形成用組成物、絕緣膜之製造方法及絕緣膜。本發明的聚合物之製造方法，係包含有：在1種以上的(A)聚碳矽烷存在下，使(B)含水解性基矽烷單體進行水解縮合；其中，上述(A)聚碳矽烷中至少1種係下述聚碳矽烷(I)。使(I)下述一般式(1)所示化合物，在鹼金屬與鹼土族金屬中至少其中一者存在下進行反應而獲得的重量平均分子量500以上之聚碳矽烷(I)：094101151-p01.bmp(式中，R^1、R^2係指相同或互異且分別為1價有機基或氫原子；X係指鹵原子；Y係指鹵原子或烷氧基；k係指0～3整數，m與n係指相同或互異的0～2整數。)094101151-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供可形成能适用为如半导体组件等的层间绝缘膜，且介电常数小，机械强度与密接性均优越，并具有均匀膜质之膜的聚合物之制造方法、聚合物、绝缘膜形成用组成物、绝缘膜之制造方法及绝缘膜。本发明的聚合物之制造方法，系包含有：在1种以上的(A)聚碳硅烷存在下，使(B)含水解性基硅烷单体进行水解缩合；其中，上述(A)聚碳硅烷中至少1种系下述聚碳硅烷(I)。使(I)下述一般式(1)所示化合物，在碱金属与碱土族金属中至少其中一者存在下进行反应而获得的重量平均分子量500以上之聚碳硅烷(I)：094101151-p01.bmp(式中，R^1、R^2系指相同或互异且分别为1价有机基或氢原子；X系指卤原子；Y系指卤原子或烷氧基；k系指0～3整数，m与n系指相同或互异的0～2整数。)094101151-p01.bmp

5. 发明专利

TWI231972B 多層布線間之空洞形成方法 METHOD OF FORMING CAVITY BETWEEN MULTILAYERED WIRINGS 有权
简体标题：多层布线间之空洞形成方法 METHOD OF FORMING CAVITY BETWEEN MULTILAYERED WIRINGS
公开(公告)号：TWI231972B
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW092130023
申请日：2003-10-29
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 白土香織 KAORI SHIRATO , 丸山洋一郎 MARUYAMA, YOUICHIROU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02118 , C08G61/06 , C09D165/00 , H01L21/02126 , H01L21/312 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本案關於一種使用可展現特殊耐熱溫度及特殊熱分解溫度之聚合物之多層布線間空洞形成方法，此等聚合物具有特殊重複單元結構及特殊分子量範圍且容易地於例如半導體中形成多層布線間之空洞結構。此方法包含一步驟為以環烯烴基礎加成聚合物塗覆形成於半導體基板上之第一介電膜表面，一步驟為圖案化該環烯烴基礎加成聚合物為空洞形成聚合物，一步驟為形成金屬布線於形成在該空洞形成聚合物上之圖案中，一步驟為形成第二介電膜於含有金屬布線之該空洞形成聚合物上，及一步驟為藉加熱移除多層布線間之該空洞形成聚合物，俾於該金屬布線間形成空洞。
简体摘要：本案关于一种使用可展现特殊耐热温度及特殊热分解温度之聚合物之多层布线间空洞形成方法，此等聚合物具有特殊重复单元结构及特殊分子量范围且容易地于例如半导体中形成多层布线间之空洞结构。此方法包含一步骤为以环烯烃基础加成聚合物涂覆形成于半导体基板上之第一介电膜表面，一步骤为图案化该环烯烃基础加成聚合物为空洞形成聚合物，一步骤为形成金属布线于形成在该空洞形成聚合物上之图案中，一步骤为形成第二介电膜于含有金属布线之该空洞形成聚合物上，及一步骤为藉加热移除多层布线间之该空洞形成聚合物，俾于该金属布线间形成空洞。

6. 发明专利

TWI308575B 聚碳矽烷及其製造方法 POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING SAME 有权
简体标题：聚碳硅烷及其制造方法 POLYCARBOSILANE AND METHOD OF PRODUCING SAME
公开(公告)号：TWI308575B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW094132788
申请日：2005-09-22
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G77/60 , C08G77/50
摘要：本發明之聚碳矽烷為具有矽原子與碳原子為交互連續而形成的主鍵,並具有下述一般式(1)所示之重複構造單位、下述一般式(2)所示之重複構造單位、及下述一般式(3)所示之重複構造單位。
简体摘要：本发明之聚碳硅烷为具有硅原子与碳原子为交互连续而形成的主键,并具有下述一般式(1)所示之重复构造单位、下述一般式(2)所示之重复构造单位、及下述一般式(3)所示之重复构造单位。

7. 发明专利

TWI307700B 新穎聚碳矽烷之製造方法 METHOD OF PRODUCING NOVEL POLYCARBOSILANE 有权
简体标题：新颖聚碳硅烷之制造方法 METHOD OF PRODUCING NOVEL POLYCARBOSILANE
公开(公告)号：TWI307700B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW094141452
申请日：2005-11-25
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G , C09D , B05D
CPC分类号： C08G77/60
摘要：本發明係提供藉由高能量射線照射、或在非活性氣體環境下或減壓環境下施行加熱便可不溶化,可製造出蝕刻耐性與溶劑耐性均優越,且機械强度亦優越之低介電常數膜的新穎聚碳矽烷及其製造方法、膜形成用組成物、暨膜及其形成方法。
本發明的新穎聚碳矽烷之製造方法,係包含有:使(A)具有矽-氫鍵結的聚碳矽烷、與(B)能加成矽-氫鍵結之具碳-碳多鍵的化合物進行反應的步驟。
简体摘要：本发明系提供借由高能量射线照射、或在非活性气体环境下或减压环境下施行加热便可不溶化,可制造出蚀刻耐性与溶剂耐性均优越,且机械强度亦优越之低介电常数膜的新颖聚碳硅烷及其制造方法、膜形成用组成物、暨膜及其形成方法。本发明的新颖聚碳硅烷之制造方法,系包含有:使(A)具有硅-氢键结的聚碳硅烷、与(B)能加成硅-氢键结之具碳-碳多键的化合物进行反应的步骤。

8. 发明专利

TW200604253A 有機二氧化矽系膜之形成方法,有機二氧化矽系膜,佈線構造體,半導體裝置及膜形成用組成物审中-公开
简体标题：有机二氧化硅系膜之形成方法,有机二氧化硅系膜,布线构造体,半导体设备及膜形成用组成物
公开(公告)号：TW200604253A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094115183
申请日：2005-05-11
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G , C08L , C09D , H01L , H01B
摘要：本發明係提供一種可利用更低電子射線照射量，依更短時間且更低溫度有效率地使塗膜硬化，且可適用為如半導體元件等的層間絕緣膜，可形成介電常數小，且機械強度、密接性均優越，同時電漿耐性及耐藥液性均優越之膜的有機二氧化矽系膜之形成方法，以及該方法所使用的膜形成用組成物，暨利用該方法所獲得的有機二氧化矽系膜、含該有機二氧化矽系膜的佈線構造體、及含該佈線構造體的半導體裝置。本發明的有機二氧化矽系膜之形成方法，係包含有：在基材上形成由具有–Si–O–Si–構造與–Si–CH2–Si–構造的矽化合物所構成塗膜之步驟；對上述塗膜進行加熱的步驟；以及對上述塗膜照射電子射線而施行硬化處理的步驟。
简体摘要：本发明系提供一种可利用更低电子射线照射量，依更短时间且更低温度有效率地使涂膜硬化，且可适用为如半导体组件等的层间绝缘膜，可形成介电常数小，且机械强度、密接性均优越，同时等离子耐性及耐药液性均优越之膜的有机二氧化硅系膜之形成方法，以及该方法所使用的膜形成用组成物，暨利用该方法所获得的有机二氧化硅系膜、含该有机二氧化硅系膜的布线构造体、及含该布线构造体的半导体设备。本发明的有机二氧化硅系膜之形成方法，系包含有：在基材上形成由具有–Si–O–Si–构造与–Si–CH2–Si–构造的硅化合物所构成涂膜之步骤；对上述涂膜进行加热的步骤；以及对上述涂膜照射电子射线而施行硬化处理的步骤。

9. 发明专利

TW200602387A 聚合物及其製造方法,絕緣膜形成用組成物,暨絕緣膜及其形成方法审中-公开
简体标题：聚合物及其制造方法,绝缘膜形成用组成物,暨绝缘膜及其形成方法
公开(公告)号：TW200602387A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094105225
申请日：2005-02-22
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： C08G , C08L , C09D , H01B , H01L
CPC分类号： C08G77/42 , C08G77/48 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/3122 , H01L21/31633
摘要：本發明提供一種製造聚合物之方法，該聚合物具低介質常數，且藥液耐性等亦優異，可合適使用於半導體元件等。本發明之聚合物之製造方法包括使(A)聚矽氧烷化合物與(B)聚碳矽烷化合物在觸媒、水以及有機溶媒之存在下混合並予以加熱。094105225-p01.bmp
简体摘要：本发明提供一种制造聚合物之方法，该聚合物具低介质常数，且药液耐性等亦优异，可合适使用于半导体组件等。本发明之聚合物之制造方法包括使(A)聚硅氧烷化合物与(B)聚碳硅烷化合物在触媒、水以及有机溶媒之存在下混合并予以加热。094105225-p01.bmp

10. 发明专利

TWI292349B 聚合物之製造方法,聚合物,絕緣膜形成用組成物,絕緣膜之製造方法,及絕緣膜有权
简体标题：聚合物之制造方法,聚合物,绝缘膜形成用组成物,绝缘膜之制造方法,及绝缘膜
公开(公告)号：TWI292349B
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：TW094101151
申请日：2005-01-14
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 HISASHI NAKAGAWA , 秋山將宏 MASAHIRO AKIYAMA , 黑澤孝彥 TAKAHIKO KUROSAWA , 鹽田淳 ATSUSHI SHIOTA
IPC分类号： B05D
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122
摘要：本發明係提供可形成能適用為如半導體元件等的層間絕緣膜，且介電常數小，機械強度與密接性均優越，並具有均勻膜質之膜的聚合物之製造方法、聚合物、絕緣膜形成用組成物、絕緣膜之製造方法及絕緣膜。本發明的聚合物之製造方法，係包含有：在1種以上的(A)聚碳矽烷存在下，使(B)含水解性基矽烷單體進行水解縮合；其中，上述(A)聚碳矽烷中至少1種係下述聚碳矽烷(I)。使(I)下述一般式(1)所示化合物，在鹼金屬與鹼土族金屬中至少其中一者存在下進行反應而獲得的重量平均分子量500以上之聚碳矽烷(I)： R1mY3-mSiCR2nX3-n … … (1)(式中，R1、R2係指相同或互異且分別為1價有機基或氫原子；X係指鹵原子；Y係指鹵原子或烷氧基；k係指0~3整數，m與n係指相同或互異的0~2整數。)
简体摘要：本发明系提供可形成能适用为如半导体组件等的层间绝缘膜，且介电常数小，机械强度与密接性均优越，并具有均匀膜质之膜的聚合物之制造方法、聚合物、绝缘膜形成用组成物、绝缘膜之制造方法及绝缘膜。本发明的聚合物之制造方法，系包含有：在1种以上的(A)聚碳硅烷存在下，使(B)含水解性基硅烷单体进行水解缩合；其中，上述(A)聚碳硅烷中至少1种系下述聚碳硅烷(I)。使(I)下述一般式(1)所示化合物，在碱金属与碱土族金属中至少其中一者存在下进行反应而获得的重量平均分子量500以上之聚碳硅烷(I)： R1mY3-mSiCR2nX3-n … … (1)(式中，R1、R2系指相同或互异且分别为1价有机基或氢原子；X系指卤原子；Y系指卤原子或烷氧基；k系指0~3整数，m与n系指相同或互异的0~2整数。)

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