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1. 发明专利

TW200728409A 色素及色素增感太陽電池 A PIGMENT AND A PIGMENT-SENSITIZED SOLAR BATTERY 审中-公开
简体标题：色素及色素增感太阳电池 A PIGMENT AND A PIGMENT-SENSITIZED SOLAR BATTERY
公开(公告)号：TW200728409A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095138579
申请日：2006-10-19
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：佐藤哲哉 SATOH, TETSUYA , 王勇 WANG, YONG , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： C09B , H01L , H01M
CPC分类号： C09B57/10 , H01G9/2059 , H01M14/005 , Y02E10/542
摘要：以下述式(1)所表示之色素,可發揮高發電效率之色素。【化1】ML^1L^2X^1X^2…(1)(上述式(1)中,M係長周期表上之8至10族之元素,L^1係以所定式所表示之雙配位基(bidentate ligand),L^2係以前述所定之式,或與前述所定式相異的式所表示之雙配位基,X^1及X^2係一價原子團或單配位基)。
095138579-p01.bmp
095138579-p02.bmp
095138579-p03.bmp
简体摘要：以下述式(1)所表示之色素,可发挥高发电效率之色素。【化1】ML^1L^2X^1X^2…(1)(上述式(1)中,M系长周期表上之8至10族之元素,L^1系以所定式所表示之双配位基(bidentate ligand),L^2系以前述所定之式,或与前述所定式相异的式所表示之双配位基,X^1及X^2系一价原子团或单配位基)。 095138579-p01.bmp 095138579-p02.bmp 095138579-p03.bmp

2. 发明专利

TWI225086B 薄膜成形用組成物、薄膜成形用方法及矽石基膜 COMPOSITION FOR FILM FORMATAION, METHOD OF FILM FORMATION, AND SILICA-BASED FILM 失效
简体标题：薄膜成形用组成物、薄膜成形用方法及硅石基膜 COMPOSITION FOR FILM FORMATAION, METHOD OF FILM FORMATION, AND SILICA-BASED FILM
公开(公告)号：TWI225086B
公开(公告)日：2004-12-11
申请号：TW090109119
申请日：2001-04-17
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：林英治 HAYASHI, EIJI , 西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： C09D , C08K
CPC分类号： H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C08G77/34 , C08G77/50 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/312 , H01L21/316
摘要：一種薄膜成形用組成物，其包括：
(A)經由水解及縮合選自包括下列之至少一化合物，而製得之水解及縮合之產物：(A-1)由以下化學式(1)所表示之化合物
RaSi(OR1)4-a (1)(A-2)由以下化學式(2)所表示之化合物
Si(OR2)4 (2)及(A-3)由以下化學式(3)所表示之化合物
R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (3)
(B)選自包括週期表之IA及IIA族中之金屬之化合物的至少一者；及
(C)有機溶劑。
亦揭示使用此組成物之薄膜成形之方法及利用此方法製得之矽石基膜。
简体摘要：一种薄膜成形用组成物，其包括： (A)经由水解及缩合选自包括下列之至少一化合物，而制得之水解及缩合之产物：(A-1)由以下化学式(1)所表示之化合物 RaSi(OR1)4-a (1)(A-2)由以下化学式(2)所表示之化合物 Si(OR2)4 (2)及(A-3)由以下化学式(3)所表示之化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c (3) (B)选自包括周期表之IA及IIA族中之金属之化合物的至少一者；及 (C)有机溶剂。亦揭示使用此组成物之薄膜成形之方法及利用此方法制得之硅石基膜。

3. 发明专利

TW583289B 疊層膜,絕緣膜及半導體用基板失效
简体标题：叠层膜,绝缘膜及半导体用基板
公开(公告)号：TW583289B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091122175
申请日：2002-09-26
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 關口學 SEKIGUCHI, MANABU , 馬賽厄斯帕齊 MATTHIAS PATZ , 鹽田淳 SHIOTA, ATSUSHI , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： C09D
CPC分类号： H01L21/02126 , C08G65/4068 , C09D183/14 , H01L21/312 , Y10T428/31533 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
摘要：揭示一種半導體用疊層膜其對例如於半導體裝置藉CVD方法製成之塗覆膜具優異黏著性，一種具有該疊層膜之絕緣膜以及一種使用該絕緣膜之半導體用基板。疊層膜包含(A)碳含量60%重量比或以上之有機化合物薄膜以及(B)一種經由加熱水解縮合產物製備之薄膜，該水解縮合產物係經由至少一種選自後述通式年(51)至(54)表示之特定化合物組成的組群之化合物水解與縮合獲得。
简体摘要：揭示一种半导体用叠层膜其对例如于半导体设备藉CVD方法制成之涂覆膜具优异黏着性，一种具有该叠层膜之绝缘膜以及一种使用该绝缘膜之半导体用基板。叠层膜包含(A)碳含量60%重量比或以上之有机化合物薄膜以及(B)一种经由加热水解缩合产物制备之薄膜，该水解缩合产物系经由至少一种选自后述通式年(51)至(54)表示之特定化合物组成的组群之化合物水解与缩合获得。

4. 发明专利

TWI275606B 用以形成絕緣膜的材料之製法 METHOD OF MANUFACTURING MATERIAL FOR FORMING INSULATING FILM 失效
简体标题：用以形成绝缘膜的材料之制法 METHOD OF MANUFACTURING MATERIAL FOR FORMING INSULATING FILM
公开(公告)号：TWI275606B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW090101057
申请日：2001-01-17
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：鈴木秀紀 SUZUKI, HIDEKI , 柿木克之 , 中瀨吉久 , 西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 岡田敬 TAKASHI OKADA , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： C08G , H01B
CPC分类号： C08G77/34 , H01B3/42 , H01B3/442 , H01B3/46
摘要：一種其中包含可固化組成物的用以形成絕緣膜的材料之製法，而此可固化組成物中包含(A)無機聚合物化合物或有機聚合物化合物及(B)有機溶劑，而此製法中包含用可產生瑞塔(zeta)電位的濾膜材料處理此可固化組成物。因為可固化組成物帶有非常小含量的鹼金屬及重金屬，此組成物適於用於生產用以形成絕緣膜的材料而彼係在電子領域中具有各種用途。
简体摘要：一种其中包含可固化组成物的用以形成绝缘膜的材料之制法，而此可固化组成物中包含(A)无机聚合物化合物或有机聚合物化合物及(B)有机溶剂，而此制法中包含用可产生瑞塔(zeta)电位的滤膜材料处理此可固化组成物。因为可固化组成物带有非常小含量的碱金属及重金属，此组成物适于用于生产用以形成绝缘膜的材料而彼系在电子领域中具有各种用途。

5. 发明专利

TWI238908B 液晶顯示元件用層間絕緣膜及使用其之液晶顯示元件 LAYER INSULATION FILM FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND LIQUID DISPLAY ELEMENT USING THE SAME 有权
简体标题：液晶显示组件用层间绝缘膜及使用其之液晶显示组件 LAYER INSULATION FILM FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND LIQUID DISPLAY ELEMENT USING THE SAME
公开(公告)号：TWI238908B
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW090119382
申请日：2001-08-08
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： G02F
摘要：一種液晶顯示元件用層間絕緣膜，其特徵在於：在觸媒存在下藉由加熱由
(A)(A-1)表示下述一般式(1)之化合物
RaSi(OR1)4-a‥‥‥(1)
(式中，R表示氫原子、氟原子或1價之有機基，R1表示烷基、芳香基、烯丙基或環氧丙基，a表示1~2之整數)、
(A-2)表示下述一般式(2)之化合物及
Si(OR2)4‥‥‥(2)
(式中R2表示烷基、芳香基、烯丙基或環氧丙基)及
(A-3)表示下述一般式(3)之化合物
R3b(R4O)3-b-Si-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c‥‥‥(3)
〔式中，R3~R6表示同一或不同，各為烷基、芳香基、烯丙基或環氧丙基，b~c表示同一或不同，0~2之整數，R7表示氧原子、伸苯基或-(CH2)a-基(此處n係1~6之整數)，d表示0或1〕之群體選出的至少1種之化合物，予以水解縮合而成的水解縮合物經加熱所得者。
简体摘要：一种液晶显示组件用层间绝缘膜，其特征在于：在触媒存在下借由加热由 (A)(A-1)表示下述一般式(1)之化合物 RaSi(OR1)4-a‥‥‥(1) (式中，R表示氢原子、氟原子或1价之有机基，R1表示烷基、芳香基、烯丙基或环氧丙基，a表示1~2之整数)、 (A-2)表示下述一般式(2)之化合物及 Si(OR2)4‥‥‥(2) (式中R2表示烷基、芳香基、烯丙基或环氧丙基)及 (A-3)表示下述一般式(3)之化合物 R3b(R4O)3-b-Si-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c‥‥‥(3) 〔式中，R3~R6表示同一或不同，各为烷基、芳香基、烯丙基或环氧丙基，b~c表示同一或不同，0~2之整数，R7表示氧原子、伸苯基或-(CH2)a-基(此处n系1~6之整数)，d表示0或1〕之群体选出的至少1种之化合物，予以水解缩合而成的水解缩合物经加热所得者。

6. 发明专利

TW587294B 矽石薄膜形成之方法,矽石薄膜,絕緣薄膜及半導體裝置失效
简体标题：硅石薄膜形成之方法,硅石薄膜,绝缘薄膜及半导体设备
公开(公告)号：TW587294B
公开(公告)日：2004-05-11
申请号：TW091112539
申请日：2002-06-10
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：林英治 HAYASHI, EIJI , 鹽田淳 SHIOTA, ATSUSHI , 西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： H01L , C01B
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02343 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y02P20/544 , Y10T428/31663
摘要：一種矽石薄膜形成之方法，其包含在超臨界介質中處理薄膜；此薄膜含有：(A)矽氧烷化合物，以及(B)至少一個選自(B-1)與成分(A)相容或可分散於成分(A)中且具有150至500℃之沸點或分解溫度之化合物，和(B-2)界面活性劑所組成族群之元件。此矽石薄膜具有優良的機械強度，通常顯示2.2或更低之介電常數，並且因此可用於半導體裝置之類中作為介電薄膜。
简体摘要：一种硅石薄膜形成之方法，其包含在超临界介质中处理薄膜；此薄膜含有：(A)硅氧烷化合物，以及(B)至少一个选自(B-1)与成分(A)兼容或可分散于成分(A)中且具有150至500℃之沸点或分解温度之化合物，和(B-2)界面活性剂所组成族群之组件。此硅石薄膜具有优良的机械强度，通常显示2.2或更低之介电常数，并且因此可用于半导体设备之类中作为介电薄膜。

7. 发明专利

TW583212B 聚合物,其製法,含該聚合物之薄膜形成用組成物,薄膜形成之方法及絕緣膜有权
简体标题：聚合物,其制法,含该聚合物之薄膜形成用组成物,薄膜形成之方法及绝缘膜
公开(公告)号：TW583212B
公开(公告)日：2004-04-11
申请号：TW091108550
申请日：2002-04-25
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：岡田敬 TAKASHI OKADA , 篠原宣康 NORIYASU SINOHARA , 白土香織 KAORI SHIRATO , 海老澤政彥 MASAHIKO EBISAWA , 西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： C08G , C08F
CPC分类号： C08G61/02 , C08G61/12 , Y10T428/31855
摘要：一種薄膜形成用組成物，其可於短時間內硬化，而獲得一種具有低介電常數以及絕佳耐熱性、黏著性及耐裂性的薄膜，一種用於該組成之聚合物，以及一種製造該聚合物之方法。經由溶解具有特定重複單位之聚合物於溶劑中而製備之組成物具有絕佳薄膜形成性質。該聚合物具有如下通式(1)表示之重複單位：其中Z及Y定義如文。
简体摘要：一种薄膜形成用组成物，其可于短时间内硬化，而获得一种具有低介电常数以及绝佳耐热性、黏着性及耐裂性的薄膜，一种用于该组成之聚合物，以及一种制造该聚合物之方法。经由溶解具有特定重复单位之聚合物于溶剂中而制备之组成物具有绝佳薄膜形成性质。该聚合物具有如下通式(1)表示之重复单位：其中Z及Y定义如文。

8. 发明专利

TWI249081B 形成抗蝕底層膜之組成物及彼之製法 COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：形成抗蚀底层膜之组成物及彼之制法 COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI249081B
公开(公告)日：2006-02-11
申请号：TW089106719
申请日：2000-04-11
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：杉田光 SUGITA, HIKARU , 齊藤明夫 , 山田欣司 YAMADA, KINJI , 西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 大田芳久 OHTA, YOSHIHISA , 勇元喜次 YUUMOTO, YOSHIJI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0751 , G03F7/09 , Y10S430/106 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要：在此揭於一種抗蝕底層膜之組成物其抗蝕圖樣具卓越的重現性，對光阻具卓越的黏著，對於在光阻曝光之後使用的顯影溶液具卓越的抗性，及在光阻氧灰化中薄膜的損失將減低；及彼之製法，此組成物中包括：
組成物(A)之水解產物與縮合物其兩者或其中之一，其中組成物(A)為至少一種化合物，其係選自一類群，該類群中包括：由以下通式(1)代表之化合物(A-1)及由以下通式(2)代表之化合物(A-2)：
R1aSi(OR2)4-a (1)
其中R1為氫原子，氟原子或單價有機基團，R2為單價有機基團，且a為0至2之整數，
R3b(R4O)3-dSi-(R7)d-Si(OR5)3-CR6c(2)
其中R3、R4、R5及R6可相同或不同，各自代表單價有機基團，b與c可相同或不同，各自代表0至2之整數，R7為氧原子或-(CH2)n-，d代表0或1，且 n為1至6之整數；及
(B)一種經由紫外線照射及/或加熱而產生酸之化合物。
简体摘要：在此揭于一种抗蚀底层膜之组成物其抗蚀图样具卓越的重现性，对光阻具卓越的黏着，对于在光阻曝光之后使用的显影溶液具卓越的抗性，及在光阻氧灰化中薄膜的损失将减低；及彼之制法，此组成物中包括：组成物(A)之水解产物与缩合物其两者或其中之一，其中组成物(A)为至少一种化合物，其系选自一类群，该类群中包括：由以下通式(1)代表之化合物(A-1)及由以下通式(2)代表之化合物(A-2)： R1aSi(OR2)4-a (1) 其中R1为氢原子，氟原子或单价有机基团，R2为单价有机基团，且a为0至2之整数， R3b(R4O)3-dSi-(R7)d-Si(OR5)3-CR6c(2) 其中R3、R4、R5及R6可相同或不同，各自代表单价有机基团，b与c可相同或不同，各自代表0至2之整数，R7为氧原子或-(CH2)n-，d代表0或1，且 n为1至6之整数；及 (B)一种经由紫外线照射及/或加热而产生酸之化合物。

9. 发明专利

TW574735B 膜形成於半導體基板上之方法及藉以形成之絕緣膜失效
简体标题：膜形成于半导体基板上之方法及借以形成之绝缘膜
公开(公告)号：TW574735B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW091122001
申请日：2002-09-25
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：西川通則 NISHIKAWA, MICHINORI , 關口學 SEKIGUCHI, MANABU , 吉岡睦彥 YOSHIOKA, MUTSUHIKO , 鹽田淳 SHIOTA, ATSUSHI , 山田欣司 YAMADA, KINJI , 馬賽厄斯帕齊 MATTHIAS PATZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3122 , C23C18/04 , C23C18/1212 , C23C18/122 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/0234 , H01L21/02343 , H01L21/02348 , Y10T428/25 , Y10T428/259
摘要：提供一種半導體用絕緣膜，其對由CVD法所形成之膜具有優異的黏著性，且可用於做為半導體裝置和類似物的介電膜。絕緣膜係藉由包含以下步驟之方法所獲得：
(A)將一基板進行下列至少其一之處理步驟：
(A-1)至少一種選自包含紫外光照射處理、氧氣電漿處理、氮氣電漿處理、氦氣電漿處理、氬氣電漿處理、氫氣電漿處理和氨氣電漿處理之群組的處理；以及
(A-2)以至少一種具有反應性基團之烷氧矽烷化合物及其水解和縮合之產物的處理；以及
(B)塗布一拱形成膜之組成物至基板以及加熱所得之塗層的步驟，該組成物包含一有機溶劑和任一種或二種之選自包含以後文中所述之通式(1)至(4)所表示之化合物之群組之至少一種化合物，其藉由水解和縮合此至少一種化合物所得之水解/縮合產物。
简体摘要：提供一种半导体用绝缘膜，其对由CVD法所形成之膜具有优异的黏着性，且可用于做为半导体设备和类似物的介电膜。绝缘膜系借由包含以下步骤之方法所获得： (A)将一基板进行下列至少其一之处理步骤： (A-1)至少一种选自包含紫外光照射处理、氧气等离子处理、氮气等离子处理、氦气等离子处理、氩气等离子处理、氢气等离子处理和氨气等离子处理之群组的处理；以及 (A-2)以至少一种具有反应性基团之烷氧硅烷化合物及其水解和缩合之产物的处理；以及 (B)涂布一拱形成膜之组成物至基板以及加热所得之涂层的步骤，该组成物包含一有机溶剂和任一种或二种之选自包含以后文中所述之通式(1)至(4)所表示之化合物之群组之至少一种化合物，其借由水解和缩合此至少一种化合物所得之水解/缩合产物。

10. 发明专利

TW200643645A 液浸型曝光系統,液浸型曝光用液體的再利用方法及供給方法 LIQUID IMMERSION TYPE EXPOSURE SYSTEM, AND RECYCLING METHOD AND SUPPLYING METHOD OF LIQUID FOR LIQUID IMMERSION TYPE EXPOSURE 审中-公开
简体标题：液浸型曝光系统,液浸型曝光用液体的再利用方法及供给方法 LIQUID IMMERSION TYPE EXPOSURE SYSTEM, AND RECYCLING METHOD AND SUPPLYING METHOD OF LIQUID FOR LIQUID IMMERSION TYPE EXPOSURE
公开(公告)号：TW200643645A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW095102686
申请日：2006-01-24
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：古川泰一 FURUKAWA, TAIICHI , 稗田克彥 HIEDA, KATSUHIKO , 宮松隆 MIYAMATSU, TAKASHI , 王勇 WANG, YONG , 山田欣司 YAMADA, KINJI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/70341
摘要：一種經由填滿於投影光學手段121的光學元件與基板111之間的液體301進行曝光的液浸型曝光系統1。該液浸型曝光系統1係具有，供給液體301的液體供給部80；和由該液體供給部80所供給的液體301(301b)沿著特定方向連續被導入且一面將投影光學手段121的光學元件與基板111之間以液體301填滿一面進行曝光的曝光處理部110；和回收夾著該曝光處理部110的基板111之對稱位置被排出的液體301(301a)的液體回收部90；和在液體回收部90被回收的液體301(301c)進行再生的液體再利用部20。在應用液浸法的場合，能使液浸型曝光用液體的性質穩定，還能繼續進行良好的曝光，且能抑制週轉資金。
简体摘要：一种经由填满于投影光学手段121的光学组件与基板111之间的液体301进行曝光的液浸型曝光系统1。该液浸型曝光系统1系具有，供给液体301的液体供给部80；和由该液体供给部80所供给的液体301(301b)沿着特定方向连续被导入且一面将投影光学手段121的光学组件与基板111之间以液体301填满一面进行曝光的曝光处理部110；和回收夹着该曝光处理部110的基板111之对称位置被排出的液体301(301a)的液体回收部90；和在液体回收部90被回收的液体301(301c)进行再生的液体再利用部20。在应用液浸法的场合，能使液浸型曝光用液体的性质稳定，还能继续进行良好的曝光，且能抑制周转资金。

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