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1. 发明专利

TW200305778A 輻射敏感性樹脂組成物审中-公开
简体标题：辐射敏感性树脂组成物
公开(公告)号：TW200305778A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091137874
申请日：2002-12-30
申请人： JSR股份有限公司 JSR CORPORATION
发明人：岩永伸一郎 , 岩本聰 , 木村徹 KIMURA, TORU , 西村洋子 , 西川耕二
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/033 , G03F7/405
摘要：本發明之輻射敏感性樹脂組成物，其特徵為含有（A）對於由具有羧基之自由基聚合性化合物（a）所產生之構成單位含有1～40重量％，由具有苯酚性羥基之自由基聚合性化合物（b–1）或由具有在共聚物合成後，可轉變成苯酚性羥基之官能基之自由基聚合性化合物（b–2）所產生之苯酚性羥基之構成單位含有1～50重量％，剩餘部分為對於前述化合物（a）、（b–1）、（b–2）及下述化合物（d）以下之其他的聚合性化合物（c）所產生之構成單位之共聚物100重量份時，使具有環氧基之自由基聚合性化合物（d）01～20重量份產生反應所得之含不飽和基之鹼可溶性樹脂；（B）具有至少一個之乙烯性不飽和雙鍵之化合物；及（C）為輻射線自由基聚合引發劑；且可形成電鍍之高度以上之輻射敏感性樹脂組成物塗膜，具有高解像性之輻射敏感性樹脂組成物。
简体摘要：本发明之辐射敏感性树脂组成物，其特征为含有（A）对于由具有羧基之自由基聚合性化合物（a）所产生之构成单位含有1～40重量％，由具有苯酚性羟基之自由基聚合性化合物（b–1）或由具有在共聚物合成后，可转变成苯酚性羟基之官能基之自由基聚合性化合物（b–2）所产生之苯酚性羟基之构成单位含有1～50重量％，剩余部分为对于前述化合物（a）、（b–1）、（b–2）及下述化合物（d）以下之其他的聚合性化合物（c）所产生之构成单位之共聚物100重量份时，使具有环氧基之自由基聚合性化合物（d）01～20重量份产生反应所得之含不饱和基之碱可溶性树脂；（B）具有至少一个之乙烯性不饱和双键之化合物；及（C）为辐射线自由基聚合引发剂；且可形成电镀之高度以上之辐射敏感性树脂组成物涂膜，具有高解像性之辐射敏感性树脂组成物。

2. 发明专利

TWI425892B 鋁配線形成用轉印薄膜及鋁配線之形成方法有权
简体标题：铝配线形成用转印薄膜及铝配线之形成方法
公开(公告)号：TWI425892B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW098106826
申请日：2009-03-03
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：岩本聰 , IWAMOTO, SATOSHI , 川岸誠治 , KAWAGISHI, SEIJI , 桑田博昭 , KUWADA, HIROAKI
IPC分类号： H05K3/06

3. 发明专利

TW200948240A 鋁配線形成用轉印薄膜及鋁配線之形成方法审中-公开
简体标题：铝配线形成用转印薄膜及铝配线之形成方法
公开(公告)号：TW200948240A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098106826
申请日：2009-03-03
申请人： JSR股份有限公司
发明人：岩本聰 , 川岸誠治 , 桑田博昭
IPC分类号： H05K
摘要：本發明係關於一種由金屬箔所成鋁配線形成用轉印薄膜及鋁配線之形成方法，更詳言之，係關於可輕易地形成厚膜鋁配線，且可獲得在電特性或平滑性上優異之鋁配線之鋁配線形成用轉印薄膜。一種鋁配線形成用轉印薄膜，其特徵為在支撐薄膜上依序層合(A)光阻層、(B)鋁層及(C)黏著層。
简体摘要：本发明系关于一种由金属箔所成铝配线形成用转印薄膜及铝配线之形成方法，更详言之，系关于可轻易地形成厚膜铝配线，且可获得在电特性或平滑性上优异之铝配线之铝配线形成用转印薄膜。一种铝配线形成用转印薄膜，其特征为在支撑薄膜上依序层合(A)光阻层、(B)铝层及(C)黏着层。

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