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1. 发明专利

TW201109276A 組成物及含有碳奈米管之膜审中-公开
简体标题：组成物及含有碳奈米管之膜
公开(公告)号：TW201109276A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099126724
申请日：2010-08-11
申请人： JSR股份有限公司
发明人：安藤民智明 , 篠田智隆 , 青木修
IPC分类号： C01B , B32B
CPC分类号： B82Y30/00 , C08K7/24
摘要：本發明之組成物之一態樣含有:(A)碳奈米管;(B1)平均一次粒徑為5nm以上100nm以下,且凝聚度為1-3之二氧化矽粒子;及(C)分散介質。本發明之組成物之一態樣含有:(A)碳奈米管;(B2)使用BET法測定之比表面積及藉由滴定而測定之矽烷醇基量所算出的矽烷醇基密度為1-8個/nm2之二氧化矽粒子;及(C)分散介質。
简体摘要：本发明之组成物之一态样含有:(A)碳奈米管;(B1)平均一次粒径为5nm以上100nm以下,且凝聚度为1-3之二氧化硅粒子;及(C)分散介质。本发明之组成物之一态样含有:(A)碳奈米管;(B2)使用BET法测定之比表面积及借由滴定而测定之硅烷醇基量所算出的硅烷醇基密度为1-8个/nm2之二氧化硅粒子;及(C)分散介质。

2. 发明专利

TW201131745A 記憶格及記憶格的製造方法审中-公开
简体标题：记忆格及记忆格的制造方法
公开(公告)号：TW201131745A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099144976
申请日：2010-12-21
申请人： JSR股份有限公司
发明人：稗田克彥 , 青木修
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/025 , H01L27/2436 , H01L27/283 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0591
摘要：本發明的課題是在於提供一種可利用印刷技術來容易製造的記憶格及記憶格的製造方法。其解決手段係包含形成於基材(10)上的電晶體(T1)及電阻變化元件(RC1),電晶體(T1)係含:閘極電極(20)、源極電極(50)及汲極電極(60);通道部(70),其係含奈米碳管,與源極電極(50)及汲極電極(60)接觸;及絕緣部(40),介於閘極電極(20)與通道部(70)之間,電阻變化元件(RC1)係含:第1電極(30)及第2電極,其係間隔開形成;及電阻部(80),其係含奈米碳管,與第1電極(30)及第2電極接觸,第1電極(30)及第2電極的其中任一方係與源極電極(50)及汲極電極(60)的其中任一方共通。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种可利用印刷技术来容易制造的记忆格及记忆格的制造方法。其解决手段系包含形成于基材(10)上的晶体管(T1)及电阻变化组件(RC1),晶体管(T1)系含:闸极电极(20)、源极电极(50)及汲极电极(60);信道部(70),其系含奈米碳管,与源极电极(50)及汲极电极(60)接触;及绝缘部(40),介于闸极电极(20)与信道部(70)之间,电阻变化组件(RC1)系含:第1电极(30)及第2电极,其系间隔开形成;及电阻部(80),其系含奈米碳管,与第1电极(30)及第2电极接触,第1电极(30)及第2电极的其中任一方系与源极电极(50)及汲极电极(60)的其中任一方共通。

3. 发明专利

TW201129976A 記憶體電路、積體電路裝置及電子機器审中-公开
简体标题：内存电路、集成电路设备及电子机器
公开(公告)号：TW201129976A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099134042
申请日：2010-10-06
申请人： JSR股份有限公司
发明人：稗田克彥 , 青木修
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/75 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/149 , H01L45/1675
摘要： [課題]提供一種雖為非揮發性，但是可按每個位元作隨機存取，亦可進行按每個區塊的資料消去而寫入該區塊的每個位元，可提高電路之集積度的記憶體電路、積體電路裝置及電子機器。[解決手段]包含記憶體區塊(10)，其包含構成具備有電晶體與電阻變化元件的記憶體單元，且依序作串聯連接的N個記憶體單元，第1電晶體(T1)的一端係與位元線(BL1)相連接，電阻變化元件(RC1～RC4)係包含存在於2個電極間的複數碳奈米管，採取相對為低電阻的低電阻狀態與相對為高電阻的高電阻狀態的任一狀態，在2個電極間未被施加有電壓及電流時，則保持低電阻狀態或高電阻狀態。
简体摘要： [课题]提供一种虽为非挥发性，但是可按每个比特作随机存取，亦可进行按每个区块的数据消去而写入该区块的每个比特，可提高电路之集积度的内存电路、集成电路设备及电子机器。[解决手段]包含内存区块(10)，其包含构成具备有晶体管与电阻变化组件的内存单元，且依序作串联连接的N个内存单元，第1晶体管(T1)的一端系与比特线(BL1)相连接，电阻变化组件(RC1～RC4)系包含存在于2个电极间的复数碳奈米管，采取相对为低电阻的低电阻状态与相对为高电阻的高电阻状态的任一状态，在2个电极间未被施加有电压及电流时，则保持低电阻状态或高电阻状态。

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