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1. 发明专利

TWI521018B 聚矽氧烷組成物及圖型形成方法有权
简体标题：聚硅氧烷组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI521018B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100124982
申请日：2011-07-14
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：庵野祐亮 , ANNO, YUSUKE , 森隆 , MORI, TAKASHI , 出井慧 , DEI, SATOSHI , 高梨和憲 , TAKANASHI, KAZUNORI , 松村裕史 , MATSUMURA, YUSHI , 峯岸信也 , MINEGISHI, SHIN-YA
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0757 , C08K5/34 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , C08L83/04

2. 发明专利

TWI596159B 反轉圖型形成方法及聚矽氧烷樹脂組成物有权
简体标题：反转图型形成方法及聚硅氧烷树脂组成物
公开(公告)号：TWI596159B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW099137239
申请日：2010-10-29
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：出井慧 , DEI, SATOSHI , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU , 長谷川公一 , HASEGAWA, KOICHI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/05 , C08K5/06 , H01L21/027
CPC分类号： C08K5/06 , C08K5/05 , G03F7/40 , H01L21/0331 , C08L83/04

3. 发明专利

TW201213444A 聚矽氧烷組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：聚硅氧烷组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201213444A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100124982
申请日：2011-07-14
申请人： JSR股份有限公司
发明人：庵野祐亮 , 森隆 , 出井慧 , 高梨和憲 , 松村裕史 , 峯岸信也
IPC分类号： C08L , C08K , H01L
CPC分类号： G03F7/0757 , C08K5/34 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/20 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , C08L83/04
摘要：本發明為含有〔A〕聚矽氧烷、以及〔B〕具含氮雜環構造、與由極性基及酯基所成群中選出的至少1種之基的含氮化合物之聚矽氧烷組成物。以更含有〔C〕經紫外線之照射及加熱中至少一種而產生酸的化合物為佳。〔B〕化合物以具有極性基及酯基之化合物為佳。〔B〕化合物以作為極性基含有由羥基及羧基所成群中選出的至少1種之基為佳。
简体摘要：本发明为含有〔A〕聚硅氧烷、以及〔B〕具含氮杂环构造、与由极性基及酯基所成群中选出的至少1种之基的含氮化合物之聚硅氧烷组成物。以更含有〔C〕经紫外线之照射及加热中至少一种而产生酸的化合物为佳。〔B〕化合物以具有极性基及酯基之化合物为佳。〔B〕化合物以作为极性基含有由羟基及羧基所成群中选出的至少1种之基为佳。

4. 发明专利

TW201602247A 光阻下層膜形成用聚矽氧烷組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：光阻下层膜形成用聚硅氧烷组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201602247A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104114128
申请日：2015-05-04
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 笠原一樹 , KASAHARA, KAZUKI , 芹澤龍一 , SERIZAWA, RYUUICHI , 出井慧 , DEI, SATOSHI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/375 , C08K5/45 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明之目的係提供在多層光阻製程中，可抑制光阻下層膜中之缺陷產生之光阻下層膜形成用聚矽氧烷組成物及使用該光阻下層膜形成用聚矽氧烷組成物之圖型形成方法。本發明係含有聚矽氧烷及酸產生劑之光阻下層膜形成用聚矽氧烷組成物，其特徵為上述酸產生劑包含鎓陽離子及酸陰離子，上述鎓陽離子包含脂環構造、脂肪族雜環構造、具有鏈狀取代基之芳香環構造或該等之組合。上述鎓陽離子較好包含脂環構造、脂肪族雜環構造或該等之組合。構成上述酸陰離子之原子之原子量之和較好為350以下。
简体摘要：本发明之目的系提供在多层光阻制程中，可抑制光阻下层膜中之缺陷产生之光阻下层膜形成用聚硅氧烷组成物及使用该光阻下层膜形成用聚硅氧烷组成物之图型形成方法。本发明系含有聚硅氧烷及酸产生剂之光阻下层膜形成用聚硅氧烷组成物，其特征为上述酸产生剂包含鎓阳离子及酸阴离子，上述鎓阳离子包含脂环构造、脂肪族杂环构造、具有链状取代基之芳香环构造或该等之组合。上述鎓阳离子较好包含脂环构造、脂肪族杂环构造或该等之组合。构成上述酸阴离子之原子之原子量之和较好为350以下。

5. 发明专利

TW201319754A 圖型形成方法及聚矽氧烷組成物审中-公开
简体标题：图型形成方法及聚硅氧烷组成物
公开(公告)号：TW201319754A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101135541
申请日：2012-09-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：出井慧 , DEI, SATOSHI , 森隆 , MORI, TAKASHI , 高梨和憲 , TAKANASHI, KAZUNORI
IPC分类号： G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： B81C1/00396 , B81C1/00388 , B81C2201/0198 , C08G77/14 , C08G77/24 , C08G77/388 , C09D183/08 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/11 , H05K3/061 , H05K2203/05
摘要：本發明之目的係提供一種多層光阻製程中，可同時提高含矽膜對於氟系氣體蝕刻之加工性及對於氧系氣體蝕刻之耐性而形成微細圖型之圖型形成方法。本發明為一種圖型形成方法，該方法具有：(1)使用聚矽氧烷組成物，於被加工基板之上面側形成含矽膜之步驟，(2)於上述含矽膜上形成光阻圖型之步驟，(3)以上述光阻圖型作為遮罩，乾蝕刻上述含矽膜，形成含矽圖型之步驟，以及(4)以上述含矽圖型作為遮罩，乾蝕刻上述被加工基板，於被加工基板上形成圖型之步驟，且上述聚矽氧烷組成物含有[A]含氟原子之聚矽氧烷，及[B]交聯促進劑。
简体摘要：本发明之目的系提供一种多层光阻制程中，可同时提高含硅膜对于氟系气体蚀刻之加工性及对于氧系气体蚀刻之耐性而形成微细图型之图型形成方法。本发明为一种图型形成方法，该方法具有：(1)使用聚硅氧烷组成物，于被加工基板之上面侧形成含硅膜之步骤，(2)于上述含硅膜上形成光阻图型之步骤，(3)以上述光阻图型作为遮罩，干蚀刻上述含硅膜，形成含硅图型之步骤，以及(4)以上述含硅图型作为遮罩，干蚀刻上述被加工基板，于被加工基板上形成图型之步骤，且上述聚硅氧烷组成物含有[A]含氟原子之聚硅氧烷，及[B]交联促进剂。

6. 发明专利

TW201209884A 絕緣圖型之形成方法及鑲嵌製程用絕緣圖型之形成材料审中-公开
简体标题：绝缘图型之形成方法及镶嵌制程用绝缘图型之形成材料
公开(公告)号：TW201209884A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100118645
申请日：2011-05-27
申请人： JSR股份有限公司
发明人：出井慧 , 生井準人 , 保田慶友 , 長谷川公一
IPC分类号： H01L , G03F , C08G
CPC分类号： B05D1/322 , C09D183/06 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/38 , G03F7/405 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/0337 , H01L21/311 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807
摘要：本發明之目的係提供一種不施予繁瑣之蝕刻步驟等而可以簡便地形成多層構造之絕緣圖型形成方法及鑲嵌製程用絕緣圖型之形成材料。本發明之絕緣圖型形成方法之特徵為具有下列步驟:[I]於基板上形成有機圖型之步驟,[II]在有機圖型之圖型間埋入絕緣材料之步驟,[III]去除有機圖型,獲得由絕緣材料所成之反轉圖型之步驟,及[IV]使所得反轉圖型硬化之步驟。
简体摘要：本发明之目的系提供一种不施予繁琐之蚀刻步骤等而可以简便地形成多层构造之绝缘图型形成方法及镶嵌制程用绝缘图型之形成材料。本发明之绝缘图型形成方法之特征为具有下列步骤:[I]于基板上形成有机图型之步骤,[II]在有机图型之图型间埋入绝缘材料之步骤,[III]去除有机图型,获得由绝缘材料所成之反转图型之步骤,及[IV]使所得反转图型硬化之步骤。

7. 发明专利

TWI666265B 光阻下層膜形成用聚矽氧烷組成物及圖型形成方法有权
简体标题：光阻下层膜形成用聚硅氧烷组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI666265B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104114128
申请日：2015-05-04
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：瀬古智昭 , SEKO, TOMOAKI , 笠原一樹 , KASAHARA, KAZUKI , 芹澤龍一 , SERIZAWA, RYUUICHI , 出井慧 , DEI, SATOSHI
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/375 , C08K5/45 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027

8. 发明专利

TWI614582B 圖型形成方法及聚矽氧烷組成物有权
简体标题：图型形成方法及聚硅氧烷组成物
公开(公告)号：TWI614582B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW101135541
申请日：2012-09-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：出井慧 , DEI, SATOSHI , 森隆 , MORI, TAKASHI , 高梨和憲 , TAKANASHI, KAZUNORI
IPC分类号： G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： B81C1/00396 , B81C1/00388 , B81C2201/0198 , C08G77/14 , C08G77/24 , C08G77/388 , C09D183/08 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/11 , H05K3/061 , H05K2203/05

9. 发明专利

TWI450318B 絕緣圖型之形成方法及鑲嵌製程用絕緣圖型之形成材料有权
简体标题：绝缘图型之形成方法及镶嵌制程用绝缘图型之形成材料
公开(公告)号：TWI450318B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100118645
申请日：2011-05-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：出井慧 , DEI, SATOSHI , 生井準人 , NAMAI, HAYATO , 保田慶友 , YASUDA, KYOYU , 長谷川公一 , HASEGAWA, KOICHI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/306 , G03F7/075 , C08G77/385
CPC分类号： B05D1/322 , C09D183/06 , G03F7/0392 , G03F7/094 , G03F7/38 , G03F7/405 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/0337 , H01L21/311 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807

10. 发明专利

TW201132706A 反轉圖型形成方法及聚矽氧烷樹脂組成物审中-公开
简体标题：反转图型形成方法及聚硅氧烷树脂组成物
公开(公告)号：TW201132706A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099137239
申请日：2010-10-29
申请人： JSR股份有限公司
发明人：出井慧 , 保田慶友 , 長谷川公一
IPC分类号： C08L , C08K , H01L
CPC分类号： C08K5/06 , C08K5/05 , G03F7/40 , H01L21/0331 , C08L83/04
摘要：本發明之目的係提供一種不與被加工基板上形成之遮罩圖型混合，且可於該遮罩圖型之間隙中良好埋入，乾蝕刻耐性及儲存安定性優異之反轉圖型形成用之聚矽氧烷樹脂組成物，及使用其之反轉圖型形成方法。本發明提供一種反轉圖型形成方法，其係具有(1)於被加工基板上形成遮罩圖型之遮罩圖型形成步驟，(2)於上述遮罩圖型之間隙中埋入聚矽氧烷樹脂組成物之埋入步驟，及(3)去除上述遮罩圖型，形成反轉圖型之反轉圖型形成步驟之反轉圖型形成方法，其特徵為上述聚矽氧烷樹脂組成物含有具有特定構造之[A]聚矽氧烷及具有特定構造之[B]有機溶劑。
简体摘要：本发明之目的系提供一种不与被加工基板上形成之遮罩图型混合，且可于该遮罩图型之间隙中良好埋入，干蚀刻耐性及存储安定性优异之反转图型形成用之聚硅氧烷树脂组成物，及使用其之反转图型形成方法。本发明提供一种反转图型形成方法，其系具有(1)于被加工基板上形成遮罩图型之遮罩图型形成步骤，(2)于上述遮罩图型之间隙中埋入聚硅氧烷树脂组成物之埋入步骤，及(3)去除上述遮罩图型，形成反转图型之反转图型形成步骤之反转图型形成方法，其特征为上述聚硅氧烷树脂组成物含有具有特定构造之[A]聚硅氧烷及具有特定构造之[B]有机溶剂。

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