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1. 发明专利

TW201418904A 用於使用成形光束微影術改善臨界尺寸均一性之方法及系統审中-公开
简体标题：用于使用成形光束微影术改善临界尺寸均一性之方法及系统
公开(公告)号：TW201418904A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102139772
申请日：2013-11-01
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 派曼萊恩 , PEARMAN, RYAN , 阿達莫夫阿納托利 , AADAMOV, ANATOLY
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2059 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/20 , G03F7/2051 , G03F7/2065 , G03F7/70533 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776
摘要：本發明揭露了一種使用帶電粒子束微影術在一表面上形成一圖案的方法，其中在一輸入投射有序集中的該等投射在一子範圍中被修改，使得在該帶電粒子束寫入器進行曝光的過程中，可減少該表面上的一種溫度變化或一最高溫度。本發明還揭露一種用於裂解或遮罩資料處理的方法，其中投射的一個有序集會被產生，其將使用一成形光束帶電粒子束寫入器曝光一表面的至少一個子範圍，而且在該一個子範圍曝光過程中在該表面上所產生的一溫度或一種溫度變化會被計算。此外，本發明揭露了一種使用帶電粒子束微影術以一投射有序集在一表面上形成一圖案的方法，其中跟隨在一投射之後的一消隱週期被延長，以降低該表面的該最高溫度。
简体摘要：本发明揭露了一种使用带电粒子束微影术在一表面上形成一图案的方法，其中在一输入投射有序集中的该等投射在一子范围中被修改，使得在该带电粒子束写入器进行曝光的过程中，可减少该表面上的一种温度变化或一最高温度。本发明还揭露一种用于裂解或遮罩数据处理的方法，其中投射的一个有序集会被产生，其将使用一成形光束带电粒子束写入器曝光一表面的至少一个子范围，而且在该一个子范围曝光过程中在该表面上所产生的一温度或一种温度变化会被计算。此外，本发明揭露了一种使用带电粒子束微影术以一投射有序集在一表面上形成一图案的方法，其中跟随在一投射之后的一消隐周期被延长，以降低该表面的该最高温度。

2. 发明专利

TW201303515A 欲使用帶電粒子束微影術製造之表面的設計方法與系統审中-公开
简体标题：欲使用带电粒子束微影术制造之表面的设计方法与系统
公开(公告)号：TW201303515A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101105805
申请日：2012-02-22
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA
IPC分类号： G03F7/20
摘要：本發明揭露一種用於碎化或遮罩資料準備的方法及系統，其可使用粒子束微影術，藉由在接近圖案周邊提供高於圖案內部的波峰劑量，降低形成在光阻塗覆表面上之圖案的臨界尺寸變異。
简体摘要：本发明揭露一种用于碎化或遮罩数据准备的方法及系统，其可使用粒子束微影术，借由在接近图案周边提供高于图案内部的波峰剂量，降低形成在光阻涂覆表面上之图案的临界尺寸变异。

3. 发明专利

TWI592740B 用於分裂或遮罩資料準備之方法及用於遮罩製程校正之方法及系統有权
简体标题：用于分裂或遮罩数据准备之方法及用于遮罩制程校正之方法及系统
公开(公告)号：TWI592740B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102139773
申请日：2013-11-01
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 萩原和之 , HAGIWARA, KAZUYUKI , 帕克羅伯特C , PACK, ROBERT C. , 阿達莫夫阿納托利 , AADAMOV, ANATOLY
IPC分类号： G03F1/36 , G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F1/36 , G06F17/5009 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776

4. 发明专利

TWI507812B 用於利用二維劑量圖與帶電粒子束微影術設計及製造標線片之方法有权
简体标题：用于利用二维剂量图与带电粒子束微影术设计及制造标线片之方法
公开(公告)号：TWI507812B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098128359
申请日：2009-08-24
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 札伯哈洛德R , ZABLE, HAROLD ROBERT
IPC分类号： G03F1/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/68 , G03F1/78 , Y10S430/143

5. 发明专利

TWI496182B 以可變束模糊技術使用帶電粒子束微影術製造表面之方法及系統有权
简体标题：以可变束模煳技术使用带电粒子束微影术制造表面之方法及系统
公开(公告)号：TWI496182B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW099127553
申请日：2010-08-18
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：萩原和之 , HAGIWARA, KAZUYUKI , 藤村明 , FUJIMURA, AKIRA
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/36 , G03F1/68

6. 发明专利

TWI526788B 以帶電粒子束微影術破壞及形成使用曲線符元之圖案之方法有权
简体标题：以带电粒子束微影术破坏及形成使用曲线符元之图案之方法
公开(公告)号：TWI526788B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW099127100
申请日：2010-08-13
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 圖克麥可 , TUCKER, MICHAEL
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/36 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F1/78 , G03F7/2061 , G06F17/5045 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , Y10S430/143

7. 发明专利

TWI514437B 用以利用帶電粒子束微影術以多個暴露回合使圖樣破碎的方法與系統有权
简体标题：用以利用带电粒子束微影术以多个暴露回合使图样破碎的方法与系统
公开(公告)号：TWI514437B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW099143461
申请日：2010-12-13
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：札伯哈洛德R , ZABLE, HAROLD ROBERT , 藤村明 , FUJIMURA, AKIRA
IPC分类号： H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00

8. 发明专利

TWI494684B 用於胞元投射粒子束微影術之模板、模板設計系統及方法失效
简体标题：用于胞元投射粒子束微影术之模板、模板设计系统及方法
公开(公告)号：TWI494684B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW098128035
申请日：2009-08-20
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 三橋隆 , MITSUHASHI, TAKASHI , 小室勝雄 , KOMURO, KATSUO
IPC分类号： G03F1/74 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , Y10S430/143

9. 发明专利

TWI456623B 用於粒子束寫入器改良劑量校正之方法、系統及電腦程式產品有权
简体标题：用于粒子束写入器改良剂量校正之方法、系统及电脑进程产品
公开(公告)号：TWI456623B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW097106324
申请日：2008-02-22
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村晶 , FUJIMURA, AKIRA , 三橋隆 , MITSUHASHI, TAKASHI , 原大介 , HARA, DAISUKE , 小室勝雄 , KOMURO, KATSUO
IPC分类号： H01J37/317 , G21K1/08 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70441 , G03F7/70558 , Y10S430/143

10. 发明专利

TW201305718A 用帶電粒子射束微影術形成圖案之方法及系統审中-公开
简体标题：用带电粒子射束微影术形成图案之方法及系统
公开(公告)号：TW201305718A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101122222
申请日：2012-06-21
申请人： D2S公司 , D2S, INC.
发明人：藤村明 , FUJIMURA, AKIRA , 波克因哥 , BORK, INGO
IPC分类号： G03F1/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2037 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776 , H01L21/027 , Y10S430/143
摘要：在一種用於針對帶電粒子射束微影術之斷裂或掩膜資料製備或掩膜程序校正之方法中，判定將在一表面上形成一圖案之複數次出射，其中判定出射以便減小所得圖案對射束模糊（βf）上之變化的敏感性。該複數次出射中至少一些出射與其它出射重疊。在一些實施例中，藉由在初始出射判定期間或在一後處理步驟中控制該複數次出射中之出射重疊量而減小βf。對βf減小之敏感性擴大帶電粒子射束微影程序之程序窗口。
简体摘要：在一种用于针对带电粒子射束微影术之断裂或掩膜数据制备或掩膜进程校正之方法中，判定将在一表面上形成一图案之复数次出射，其中判定出射以便减小所得图案对射束模煳（βf）上之变化的敏感性。该复数次出射中至少一些出射与其它出射重叠。在一些实施例中，借由在初始出射判定期间或在一后处理步骤中控制该复数次出射中之出射重叠量而减小βf。对βf减小之敏感性扩大带电粒子射束微影进程之进程窗口。

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