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1. 发明专利

TWI253117B 形成二氧化矽構成層之原子層沈積之方法 ATOMIC LAYER DEPOSITION METHODS OF FORMING SILICON DIOXIDE COMPRISING LAYERS 有权
简体标题：形成二氧化硅构成层之原子层沉积之方法 ATOMIC LAYER DEPOSITION METHODS OF FORMING SILICON DIOXIDE COMPRISING LAYERS
公开(公告)号：TWI253117B
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：TW093127330
申请日：2004-09-09
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：李立 LI, LI , 李衛民 LI, WEIMIN , 古堤S 沙胡 SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/402
摘要：本發明係關於將一基板定位於一沈積腔內。在有效使用化學方法吸附含矽之一第一物質單層至該基板上之條件下，使三甲基矽烷流入該腔室，且使一第一惰性氣體流入該腔室。該第一惰性氣體以一第一速率流動。在形成該第一物質單層之後，在使一氧化劑與使用化學方法吸附之該等第一物質有效反應且在該基板上形成一含二氧化矽之單層的條件下，使一氧化劑流入該腔室，且使一第二惰性氣體流入該腔室。該第二惰性氣體以一低於該第一速率之第二速率流動。該a)三甲基矽烷及第一惰性氣體流動及該b)氧化劑及第二惰性氣體流動係連續重複的，以在該基板上有效形成二氧化矽構成層。涵蓋其它實施例及態樣。
简体摘要：本发明系关于将一基板定位于一沉积腔内。在有效使用化学方法吸附含硅之一第一物质单层至该基板上之条件下，使三甲基硅烷流入该腔室，且使一第一惰性气体流入该腔室。该第一惰性气体以一第一速率流动。在形成该第一物质单层之后，在使一氧化剂与使用化学方法吸附之该等第一物质有效反应且在该基板上形成一含二氧化硅之单层的条件下，使一氧化剂流入该腔室，且使一第二惰性气体流入该腔室。该第二惰性气体以一低于该第一速率之第二速率流动。该a)三甲基硅烷及第一惰性气体流动及该b)氧化剂及第二惰性气体流动系连续重复的，以在该基板上有效形成二氧化硅构成层。涵盖其它实施例及态样。

2. 发明专利

TW200502428A 用以移除可流動氧化物薄膜中之碳的臭氧後沉積處理 OZONE POST-DEPOSITION TREATMENT TO REMOVE CARBON IN A FLOWABLE OXIDE FILM 审中-公开
简体标题：用以移除可流动氧化物薄膜中之碳的臭氧后沉积处理 OZONE POST-DEPOSITION TREATMENT TO REMOVE CARBON IN A FLOWABLE OXIDE FILM
公开(公告)号：TW200502428A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093112473
申请日：2004-05-04
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哥塔S 山虎 SANDHU, GURTEJ S. , 李立 LI, LI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/31633
摘要：一種從一可流動絕緣材料上來移除殘餘碳沉積物的方法。該可流動絕緣材料包括了矽、碳、以及氫，並且是一種可流動氧化物材料、或者是旋壓、可流動氧化物材料。該殘餘碳沉積物係藉由將該材料暴露於臭氧之中，而從該可流動絕緣材料上移除。利用該可流動絕緣材料在於一半導體基板上之溝槽中形成一層絕緣層。
简体摘要：一种从一可流动绝缘材料上来移除残余碳沉积物的方法。该可流动绝缘材料包括了硅、碳、以及氢，并且是一种可流动氧化物材料、或者是旋压、可流动氧化物材料。该残余碳沉积物系借由将该材料暴露于臭氧之中，而从该可流动绝缘材料上移除。利用该可流动绝缘材料在于一半导体基板上之沟槽中形成一层绝缘层。

3. 发明专利

TW200518225A 形成二氧化矽構成層之原子層沈積之方法 ATOMIC LAYER DEPOSITION METHODS OF FORMING SILICON DIOXIDE COMPRISING LAYERS 审中-公开
简体标题：形成二氧化硅构成层之原子层沉积之方法 ATOMIC LAYER DEPOSITION METHODS OF FORMING SILICON DIOXIDE COMPRISING LAYERS
公开(公告)号：TW200518225A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093127330
申请日：2004-09-09
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：李立 LI, LI , 李衛民 LI, WEIMIN , 古堤S 沙胡 SANDHU, GURTEJ S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/402
摘要：本發明係關於將一基板定位於一沈積腔內。在有效使用化學方法吸附含矽之一第一物質單層至該基板上之條件下，使三甲基矽烷流入該腔室，且使一第一惰性氣體流入該腔室。該第一惰性氣體以一第一速率流動。在形成該第一物質單層之後，在使一氧化劑與使用化學方法吸附之該等第一物質有效反應且在該基板上形成一含二氧化矽之單層的條件下，使一氧化劑流入該腔室，且使一第二惰性氣體流入該腔室。該第二惰性氣體以一低於該第一速率之第二速率流動。該a)三甲基矽烷及第一惰性氣體流動及該b)氧化劑及第二惰性氣體流動係連續重複的，以在該基板上有效形成二氧化矽構成層。涵蓋其它實施例及態樣。
简体摘要：本发明系关于将一基板定位于一沉积腔内。在有效使用化学方法吸附含硅之一第一物质单层至该基板上之条件下，使三甲基硅烷流入该腔室，且使一第一惰性气体流入该腔室。该第一惰性气体以一第一速率流动。在形成该第一物质单层之后，在使一氧化剂与使用化学方法吸附之该等第一物质有效反应且在该基板上形成一含二氧化硅之单层的条件下，使一氧化剂流入该腔室，且使一第二惰性气体流入该腔室。该第二惰性气体以一低于该第一速率之第二速率流动。该a)三甲基硅烷及第一惰性气体流动及该b)氧化剂及第二惰性气体流动系连续重复的，以在该基板上有效形成二氧化硅构成层。涵盖其它实施例及态样。

4. 发明专利

TWI300810B 用以移除可流動氧化物薄膜中之碳的臭氧後沉積處理 OZONE POST-DEPOSITION TREATMENT TO REMOVE CARBON IN A FLOWABLE OXIDE FILM 有权
简体标题：用以移除可流动氧化物薄膜中之碳的臭氧后沉积处理 OZONE POST-DEPOSITION TREATMENT TO REMOVE CARBON IN A FLOWABLE OXIDE FILM
公开(公告)号：TWI300810B
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：TW093112473
申请日：2004-05-04
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：哥塔S 山虎 SANDHU, GURTEJ S. , 李立 LI, LI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3121 , H01L21/31633
摘要：一種從可流動絕緣材料上來移除殘餘碳沉積物的方
法。該可流動絕緣材料包括了矽、碳、以及氫,並且是一
種可流動氧化物材料、或者是旋壓、可流動氧化物材料。
該殘餘碳沉積物係藉由將該材料暴露於臭氧之中,而從該
可流動絕緣材料上移除。利用該可流動絕緣材料在於半導
體基板上之溝槽中形成一層絕緣層。
简体摘要：一种从可流动绝缘材料上来移除残余碳沉积物的方法。该可流动绝缘材料包括了硅、碳、以及氢,并且是一种可流动氧化物材料、或者是旋压、可流动氧化物材料。该残余碳沉积物系借由将该材料暴露于臭氧之中,而从该可流动绝缘材料上移除。利用该可流动绝缘材料在于半导体基板上之沟槽中形成一层绝缘层。

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