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1. 发明专利

TWI608642B 具有基於電阻之儲存元件之電阻式隨機存取記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有基于电阻之存储组件之电阻式随机存取内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI608642B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105123956
申请日：2016-07-28
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：呂育 , LU, YU , 李霞 , LI, XIA , 康承赫 , KANG, SEUNG HYUK
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1683

2. 发明专利

TW201721917A 磁阻性隨機存取記憶體及其製造方法审中-公开
简体标题：磁阻性随机存取内存及其制造方法
公开(公告)号：TW201721917A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105128668
申请日：2016-09-05
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：呂育 , LU, YU , 陳維川 , CHEN, WEI CHUAN , 康承赫 , KANG, SEUNG HYUK
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：本發明提供包括一磁阻性隨機存取記憶體(MRAM)之例示性電路及用於製造該等電路之方法。在一實例中，一電路包括一MRAM。該電路包括一底部互連級中之一底部互連件。該底部互連件經組態以路由超出一磁穿隧接面(MTJ)堆疊之範圍之一信號。該電路包括形成於至少部分地嵌入於該底部互連級中之一底部電極上之該MTJ堆疊。視情況，該電路亦包括囊封該MTJ堆疊之至少一部分的一囊封層。該囊封層亦為用於該底部互連級中之一第二底部互連件之一電遷移帽。該第二底部互連件不為該MTJ堆疊之一部分。視情況，該底部電極與該底部互連件自對準。
简体摘要：本发明提供包括一磁阻性随机存取内存(MRAM)之例示性电路及用于制造该等电路之方法。在一实例中，一电路包括一MRAM。该电路包括一底部互连级中之一底部互连件。该底部互连件经组态以路由超出一磁穿隧接面(MTJ)堆栈之范围之一信号。该电路包括形成于至少部分地嵌入于该底部互连级中之一底部电极上之该MTJ堆栈。视情况，该电路亦包括囊封该MTJ堆栈之至少一部分的一囊封层。该囊封层亦为用于该底部互连级中之一第二底部互连件之一电迁移帽。该第二底部互连件不为该MTJ堆栈之一部分。视情况，该底部电极与该底部互连件自对准。

3. 发明专利

TW201712911A 具有基於電阻之儲存元件之電阻式隨機存取記憶體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：具有基于电阻之存储组件之电阻式随机存取内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201712911A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123956
申请日：2016-07-28
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：呂育 , LU, YU , 李霞 , LI, XIA , 康承赫 , KANG, SEUNG HYUK
IPC分类号： H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要：本發明係關於一種製造一裝置之方法，其包括形成一第一電極及一第二電極。該方法進一步包括將一電阻式材料形成於該第一電極與該第二電極之間以形成一電阻式隨機存取記憶體(RRAM)裝置之一基於電阻之儲存元件。
简体摘要：本发明系关于一种制造一设备之方法，其包括形成一第一电极及一第二电极。该方法进一步包括将一电阻式材料形成于该第一电极与该第二电极之间以形成一电阻式随机存取内存(RRAM)设备之一基于电阻之存储组件。

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