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1. 发明专利

TW201013887A 至少一部分配置於非半導體基板中之高品質因數變壓器 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：至少一部分配置于非半导体基板中之高品质因子变压器 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201013887A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098126138
申请日：2009-08-03
申请人：高通公司
发明人：唐亦午 , 靳彰
IPC分类号： H01L , H04B
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/48 , H01L23/49534 , H01L23/50 , H01L2224/16 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
摘要：一種總成涉及一積體電路晶粒，其藉由複數個低電阻微凸塊接合，例如，覆晶接合至一非半導體基板。在一新穎態樣中，一新穎高頻變壓器之至少一部分配置於該非半導體基板中，其中該非半導體基板為一球狀柵格陣列(BGA)積體電路封裝之基板。該等低電阻微凸塊中之至少一者將該變壓器在該基板中之該部分連接至該積體電路晶粒中的一電路。在兩千兆赫下，該新穎變壓器具有一至少為0.4之耦合係數k且亦具有一至少為十之變壓器品質因數Q。該新穎變壓器結構用於將一混頻器之差分輸出耦合至一蜂巢式電話內之一RF收發器的一傳輸鏈中之一驅動放大器之一單端輸入。
简体摘要：一种总成涉及一集成电路晶粒，其借由复数个低电阻微凸块接合，例如，覆晶接合至一非半导体基板。在一新颖态样中，一新颖高频变压器之至少一部分配置于该非半导体基板中，其中该非半导体基板为一球状栅格数组(BGA)集成电路封装之基板。该等低电阻微凸块中之至少一者将该变压器在该基板中之该部分连接至该集成电路晶粒中的一电路。在两千兆赫下，该新颖变压器具有一至少为0.4之耦合系数k且亦具有一至少为十之变压器品质因子Q。该新颖变压器结构用于将一混频器之差分输出耦合至一蜂巢式电话内之一RF收发器的一传输链中之一驱动放大器之一单端输入。

2. 发明专利

TW201128929A 用於頻率產生之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR FREQUENCY GENERATION 审中-公开
简体标题：用于频率产生之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR FREQUENCY GENERATION
公开(公告)号：TW201128929A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099117987
申请日：2010-06-03
申请人：高通公司
发明人：雷恩加瑞真瑞迦格帕雷恩 , 米希瑞奇恩瑪亞 , 巴蓋特默林P , 靳彰
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H03B21/00 , H01L23/49816 , H01L23/645 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：一種寬頻帶頻率產生器具有用於不同頻帶的兩個或兩個以上振盪器,該等振盪器安置於一覆晶封裝內之同一晶粒上。該兩個振盪器之電感器之間的耦合可藉由將一電感器置放於該晶粒上且將另一電感器置放於該封裝上而使該等電感器之間間隔一焊料凸塊直徑而減小。該等鬆弛地耦合之電感器允許操縱該等振盪器中之一者的LC槽電路以增加另一振盪器之頻寬,且反之亦然。防止該等振盪器中之一者中的不合需要之振盪模式可藉由使另一振盪器之該LC槽電路負載一大電容,諸如另一振盪器之粗調組之整個電容,來達成。防止該不合需要之模式亦可藉由降低另一振盪器之LC槽的品質因數,且藉此增加該槽電路中之損耗來達成。
简体摘要：一种宽带带频率产生器具有用于不同频带的两个或两个以上振荡器,该等振荡器安置于一覆晶封装内之同一晶粒上。该两个振荡器之电感器之间的耦合可借由将一电感器置放于该晶粒上且将另一电感器置放于该封装上而使该等电感器之间间隔一焊料凸块直径而减小。该等松弛地耦合之电感器允许操纵该等振荡器中之一者的LC槽电路以增加另一振荡器之带宽,且反之亦然。防止该等振荡器中之一者中的不合需要之振荡模式可借由使另一振荡器之该LC槽电路负载一大电容,诸如另一振荡器之粗调组之整个电容,来达成。防止该不合需要之模式亦可借由降低另一振荡器之LC槽的品质因子,且借此增加该槽电路中之损耗来达成。

3. 发明专利

TW201135902A 具有整合之被動與主動元件之電感器的方法及裝置 METHODS AND APPARATUS FOR INDUCTORS WITH INTEGRATED PASSIVE AND ACTIVE ELEMENTS 审中-公开
简体标题：具有集成之被动与主动组件之电感器的方法及设备 METHODS AND APPARATUS FOR INDUCTORS WITH INTEGRATED PASSIVE AND ACTIVE ELEMENTS
公开(公告)号：TW201135902A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099141776
申请日：2010-12-01
申请人：高通公司
发明人：靳彰 , 哈傑克里斯托斯亞瑞斯托泰 , 李昂庫 , 嚴宏延 , 凱曼斯蓋 , 巴蓋特默林P , 麥爾斯湯瑪士 , 弗雷德瑞克諾曼L , 丁嘉森 , 塔席克亞歷山達 , 阿蘇里胡山S , 法拉森默汗米德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/16 , H01F17/0006 , H01F27/40 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明描述一種積體電路。該積體電路包括一電感器,該電感器在該電感器之中心中具有一大未佔用區域。該積體電路亦包括額外電路。該額外電路位於該電感器之該中心中之該大未佔用區域內。該額外電路可包括一電容器組、電晶體、靜電放電(ESD)保護電路,及其他雜項被動或主動電路。
简体摘要：本发明描述一种集成电路。该集成电路包括一电感器,该电感器在该电感器之中心中具有一大未占用区域。该集成电路亦包括额外电路。该额外电路位于该电感器之该中心中之该大未占用区域内。该额外电路可包括一电容器组、晶体管、静电放电(ESD)保护电路,及其他杂项被动或主动电路。

4. 发明专利

TW200947480A 具有圖案化接地平面之電感器 INDUCTOR WITH PATTERNED GROUND PLANE 审中-公开
简体标题：具有图案化接地平面之电感器 INDUCTOR WITH PATTERNED GROUND PLANE
公开(公告)号：TW200947480A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098111319
申请日：2009-04-03
申请人：高通公司
发明人：靳彰
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F2017/008 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：本發明描述一種具有圖案化接地平面之電感器。在一設計中，該電感器包括一形成於一第一層上之導體及一形成於一位於該導體下方之第二層上之圖案化接地平面。該圖案化接地平面具有一開放中心區域及一與該導體之形狀匹配的形狀。該圖案化接地平面包括多個屏蔽件，例如，用於一八邊形形狀導體之八個側面的八個屏蔽件。每一屏蔽件具有垂直於該導體而形成之多個狹槽。將該圖案化接地平面分割成單獨屏蔽件且在每一屏蔽件上形成狹槽有助於防止該圖案化接地平面上之渦電流之流動，此可改良該電感器之Q。多個互連件將該多個屏蔽件耦接至電路接地，該電路接地可位於該導體之中心處。
简体摘要：本发明描述一种具有图案化接地平面之电感器。在一设计中，该电感器包括一形成于一第一层上之导体及一形成于一位于该导体下方之第二层上之图案化接地平面。该图案化接地平面具有一开放中心区域及一与该导体之形状匹配的形状。该图案化接地平面包括多个屏蔽件，例如，用于一八边形形状导体之八个侧面的八个屏蔽件。每一屏蔽件具有垂直于该导体而形成之多个狭槽。将该图案化接地平面分割成单独屏蔽件且在每一屏蔽件上形成狭槽有助于防止该图案化接地平面上之涡电流之流动，此可改良该电感器之Q。多个互连件将该多个屏蔽件耦接至电路接地，该电路接地可位于该导体之中心处。

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