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2. 发明专利

TW201030969A 抗重複突崩崩潰之電晶體電源切換裝置 TRANSISTOR POWER SWITCH DEVICE RESISTANT AGAINST REPETITIVE AVALANCHE BREAKDOWN 审中-公开
简体标题：抗重复突崩崩溃之晶体管电源切换设备 TRANSISTOR POWER SWITCH DEVICE RESISTANT AGAINST REPETITIVE AVALANCHE BREAKDOWN
公开(公告)号：TW201030969A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098140693
申请日：2009-11-27
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：漢斯尚米歇爾 , 伯納克斯碧翠斯 , 艾斯高佛韓恩 , 喬波德皮耶 , 德蘭伊凡納
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7808 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/7802 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05556 , H01L2224/4813 , H01L2224/4847 , H01L2224/49171 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00015 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種電晶體電源切換裝置(400、700),其包括呈現相對之第一及第二面(104、106)之一半導體本體(101),該切換裝置包括用於在該第一及該第二面(104、106)之間攜載電流之立式場效應電晶體元件(108)之一陣列,該電晶體元件(108)之陣列包括:在第一面(104)處具有第一半導體類型之源極區域(114)之一陣列;至少一個插入於源極區域(114)與第二面(106)之間之具有與第一類型相反之一第二半導體類型的本體區域(122、124、126);及至少一個用於可切換地控制電流流經第二電晶體區域(122、124、126)的控制電極(116);以及接觸源極區域(114)並藉由至少一個絕緣層(120、121)而與控制電極(116)絕緣之一導電層(110)。與導電層(110)接觸之該等立式電晶體元件(108)之各者的源極區域(114)包括:複數個在第一面(104)處朝該陣列之一鄰近立式電晶體元件(108)之一源極區域(114)之一臂徑向延伸的臂;至少一個本體區域(122、124、126),其在源極區域(114)之臂的周圍及下方延伸,且在源極區域之各者內向上延伸,以在鄰近該等源極區域(114)之臂之各者之一末端之一接觸位置(402)處接觸在第一面(104)處之導電層(110)。
简体摘要：本发明揭示一种晶体管电源切换设备(400、700),其包括呈现相对之第一及第二面(104、106)之一半导体本体(101),该切换设备包括用于在该第一及该第二面(104、106)之间携载电流之立式场效应晶体管组件(108)之一数组,该晶体管组件(108)之数组包括:在第一面(104)处具有第一半导体类型之源极区域(114)之一数组;至少一个插入于源极区域(114)与第二面(106)之间之具有与第一类型相反之一第二半导体类型的本体区域(122、124、126);及至少一个用于可切换地控制电流流经第二晶体管区域(122、124、126)的控制电极(116);以及接触源极区域(114)并借由至少一个绝缘层(120、121)而与控制电极(116)绝缘之一导电层(110)。与导电层(110)接触之该等立式晶体管组件(108)之各者的源极区域(114)包括:复数个在第一面(104)处朝该数组之一邻近立式晶体管组件(108)之一源极区域(114)之一臂径向延伸的臂;至少一个本体区域(122、124、126),其在源极区域(114)之臂的周围及下方延伸,且在源极区域之各者内向上延伸,以在邻近该等源极区域(114)之臂之各者之一末端之一接触位置(402)处接触在第一面(104)处之导电层(110)。

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