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1. 发明专利

TWI539632B 發光二極體結構有权
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TWI539632B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102139967
申请日：2013-11-04
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：許文杰 , HSU, WENCHIEH , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/44

2. 发明专利

TW201517309A 發光二極體結構审中-公开
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TW201517309A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138494
申请日：2013-10-24
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：許乃偉 , HSU, NAIWEI , 王德忠 , WANG, TECHUNG , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/40
摘要：一種發光二極體結構包含基板、N型半導體層、發光層、P型半導體層、複合導電層、第一電極與第二電極。N型半導體層位於基板上。發光層位於部分N型半導體層上。P型半導體層位於發光層上。複合導電層具有依序堆疊的第一導電層、第二導電層與第三導電層，其中第一導電層接合於P型半導體層上，且第一導電層的阻值大於第三導電層的阻值。第一電極位於第三導電層上。第二電極位於未被發光層覆蓋的N型半導體層上。
简体摘要：一种发光二极管结构包含基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、复合导电层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于基板上。发光层位于部分N型半导体层上。P型半导体层位于发光层上。复合导电层具有依序堆栈的第一导电层、第二导电层与第三导电层，其中第一导电层接合于P型半导体层上，且第一导电层的阻值大于第三导电层的阻值。第一电极位于第三导电层上。第二电极位于未被发光层覆盖的N型半导体层上。

3. 发明专利

TWI598665B 發光元件、長條狀發光元件及其應用有权
简体标题：发光组件、长条状发光组件及其应用
公开(公告)号：TWI598665B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102109265
申请日：2013-03-15
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊光能 , YANG, KUANGNENG , 吳坤樺 , WU, KUNHUA , 陳若翔 , CHEN, JOHSIANG , 林志豪 , LIN, CHIHHAO , 許哲瑋 , HSU, CHEWEI , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： G02F1/13357 , H05K13/00
CPC分类号： H01L25/0753 , G02B6/0083 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201517308A 電極結構與具有電極結構的發光二極體結構审中-公开
简体标题：电极结构与具有电极结构的发光二极管结构
公开(公告)号：TW201517308A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102138493
申请日：2013-10-24
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊宗育 , YANG, TSUNGYU , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要：一種電極結構包括至少一反射層、阻障層與焊墊。其中，阻障層包括一第一阻障層及一第二阻障層。第一阻障層與第二阻障層依序堆疊於反射層上，且第一、第二阻障層係由不同材料所構成。焊墊位於阻障層上。
简体摘要：一种电极结构包括至少一反射层、阻障层与焊垫。其中，阻障层包括一第一阻障层及一第二阻障层。第一阻障层与第二阻障层依序堆栈于反射层上，且第一、第二阻障层系由不同材料所构成。焊垫位于阻障层上。

5. 发明专利

TWI581467B 覆晶式發光二極體封裝體及其製作方法有权
简体标题：覆晶式发光二极管封装体及其制作方法
公开(公告)号：TWI581467B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW103113249
申请日：2014-04-10
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：盧昱昕 , LU, YUHSIN , 郭政達 , KUO, CHENGTA , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/60 , H01L33/48

6. 发明专利

TW201644068A 發光結構、燈具及背光模組审中-公开
简体标题：发光结构、灯具及背光模块
公开(公告)号：TW201644068A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104118794
申请日：2015-06-10
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳靜儀 , CHEN, CHINGYI , 童鴻鈞 , TONG, HUNGCHUN , 楊立誠 , YANG, LICHENG , 戴文婉 , TAI, WENWAN , 李育群 , LEE, YUCHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/08 , C09K11/06 , F21S2/00 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/504 , G02B6/0003 , G02B6/0035 , G02B6/0073
摘要：本發明係提供一種發光結構。此發光結構包含藍光光源、第一螢光材料層及第二螢光材料層。藍光光源具有出光面。第一螢光材料層覆蓋藍光光源之出光面。第一螢光材料層係由第一螢光材料所組成，且第一螢光材料之激發波段為藍光波段，其放光波段為綠光波段。第二螢光材料層覆蓋於第一螢光材料層上。第二螢光材料層係由第二螢光材料所組成，且第二螢光材料之激發波段為綠光波段，其放光波長為紅光波段。一種具有發光結構的燈具及背光模組亦在此公開。
简体摘要：本发明系提供一种发光结构。此发光结构包含蓝光光源、第一萤光材料层及第二萤光材料层。蓝光光源具有出光面。第一萤光材料层覆盖蓝光光源之出光面。第一萤光材料层系由第一萤光材料所组成，且第一萤光材料之激发波段为蓝光波段，其放光波段为绿光波段。第二萤光材料层覆盖于第一萤光材料层上。第二萤光材料层系由第二萤光材料所组成，且第二萤光材料之激发波段为绿光波段，其放光波长为红光波段。一种具有发光结构的灯具及背光模块亦在此公开。

7. 发明专利

TWI514628B 電極結構與具有電極結構的發光二極體結構有权
简体标题：电极结构与具有电极结构的发光二极管结构
公开(公告)号：TWI514628B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW102138493
申请日：2013-10-24
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊宗育 , YANG, TSUNGYU , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/36 , H01L33/42 , H01L33/46

8. 发明专利

TWI635622B 發光結構、燈具及背光模組有权
简体标题：发光结构、灯具及背光模块
公开(公告)号：TWI635622B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104118794
申请日：2015-06-10
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳靜儀 , CHEN, CHINGYI , 童鴻鈞 , TONG, HUNGCHUN , 楊立誠 , YANG, LICHENG , 戴文婉 , TAI, WENWAN , 李育群 , LEE, YUCHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/08 , C09K11/06 , F21S2/00 , G02F1/13357

9. 发明专利

TWI509836B 發光二極體結構有权
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TWI509836B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102138494
申请日：2013-10-24
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：許乃偉 , HSU, NAIWEI , 王德忠 , WANG, TECHUNG , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/40

10. 发明专利

TW201519481A 發光二極體結構审中-公开
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TW201519481A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102139967
申请日：2013-11-04
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：許文杰 , HSU, WENCHIEH , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/58
CPC分类号： H01L33/44
摘要：一種發光二極體結構包含一第一型半導體層、一發光層、一第二型半導體層、複數第一取光提升結構以及一透明導電層。發光層係設置於部分第一型半導體層上。第二型半導體層係設置於發光層上，其折射率為n1。第一取光提升結構係設置於第二型半導體層上，其折射率為n2。每一第一取光提升結構彼此互相間隔，且均具有至少一相對第二型半導體層上表面傾斜之出光斜面。透明導電層適順性地(conformably)覆蓋第一取光提升結構及第二型半導體層，且其折射率為n3，其中n2>n3。
简体摘要：一种发光二极管结构包含一第一型半导体层、一发光层、一第二型半导体层、复数第一取光提升结构以及一透明导电层。发光层系设置于部分第一型半导体层上。第二型半导体层系设置于发光层上，其折射率为n1。第一取光提升结构系设置于第二型半导体层上，其折射率为n2。每一第一取光提升结构彼此互相间隔，且均具有至少一相对第二型半导体层上表面倾斜之出光斜面。透明导电层适顺性地(conformably)覆盖第一取光提升结构及第二型半导体层，且其折射率为n3，其中n2>n3。

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