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1. 发明专利

TWI540753B 發光二極體結構有权
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TWI540753B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW102127278
申请日：2013-07-30
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳柏羽 , CHEN, BO YU , 鄒博閎 , TSOU, PO HUNG , 周子弘 , CHOU, TZU HUNG
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42

2. 发明专利

TW201601340A 發光半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：发光半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201601340A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103120708
申请日：2014-06-16
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄒博閎 , TSOU, POHUNG
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/36
摘要：一種發光半導體結構包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層、第一電極與第二電極。第一型半導體層包括厚區與薄區，且厚區的厚度大於薄區的厚度。發光層覆蓋至少部分之第一型半導體層。第二型半導體層形成於發光層上。第一電極覆蓋至少部分之厚區與薄區。厚區毗鄰第一電極之表面具有厚區載子濃度。薄區毗鄰第一電極之表面具有薄區載子濃度。厚區載子濃度與薄區載子濃度相異。第二電極形成於第二型半導體層上。
简体摘要：一种发光半导体结构包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极与第二电极。第一型半导体层包括厚区与薄区，且厚区的厚度大于薄区的厚度。发光层覆盖至少部分之第一型半导体层。第二型半导体层形成于发光层上。第一电极覆盖至少部分之厚区与薄区。厚区毗邻第一电极之表面具有厚区载子浓度。薄区毗邻第一电极之表面具有薄区载子浓度。厚区载子浓度与薄区载子浓度相异。第二电极形成于第二型半导体层上。

3. 发明专利

TW201505203A 發光二極體結構审中-公开
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TW201505203A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127278
申请日：2013-07-30
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳柏羽 , CHEN, BO YU , 鄒博閎 , TSOU, PO HUNG , 周子弘 , CHOU, TZU HUNG
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42
摘要：一種發光二極體結構，包括一基板、一發光多層結構、一第一電流阻擋層、一第一電流擴散層、一第二電流阻擋層以及一第二電流擴散層。發光多層結構堆疊形成於基板上。第一電流阻擋層形成於部分發光多層結構上。第一電流擴散層覆蓋第一電流阻擋層及發光多層結構。第二電流阻擋層形成於部分第一電流擴散層上。第二電流阻擋層之垂直投影係落在第一電流阻擋層之垂直投影內。第二電流擴散層覆蓋第二電流阻擋層及第一電流擴散層。
简体摘要：一种发光二极管结构，包括一基板、一发光多层结构、一第一电流阻挡层、一第一电流扩散层、一第二电流阻挡层以及一第二电流扩散层。发光多层结构堆栈形成于基板上。第一电流阻挡层形成于部分发光多层结构上。第一电流扩散层覆盖第一电流阻挡层及发光多层结构。第二电流阻挡层形成于部分第一电流扩散层上。第二电流阻挡层之垂直投影系落在第一电流阻挡层之垂直投影内。第二电流扩散层覆盖第二电流阻挡层及第一电流扩散层。

4. 发明专利

TW201530815A 半導體發光結構审中-公开
简体标题：半导体发光结构
公开(公告)号：TW201530815A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103102452
申请日：2014-01-23
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄒博閎 , TSOU, PO HUNG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/42
摘要：一種半導體發光結構，包括一基板、一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層。第一半導體層形成於基板上。主動層形成於部分第一半導體層上，並且裸露部分第一半導體層作為第一電極預定區。第二半導體層形成於主動層上，第二半導體層表面具有一第二電極預定區及一微結構預定區，其中微結構預定區包括有複數個凹槽及複數個突出部，且各等突出部是對應地位於各等凹槽中。
简体摘要：一种半导体发光结构，包括一基板、一第一半导体层、一主动层以及一第二半导体层。第一半导体层形成于基板上。主动层形成于部分第一半导体层上，并且裸露部分第一半导体层作为第一电极预定区。第二半导体层形成于主动层上，第二半导体层表面具有一第二电极预定区及一微结构预定区，其中微结构预定区包括有复数个凹槽及复数个突出部，且各等突出部是对应地位于各等凹槽中。

5. 发明专利

TWI536608B 發光二極體結構有权
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TWI536608B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102140910
申请日：2013-11-11
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊侍蒲 , YANG, SHIHPU , 鄒博閎 , TSOU, POHUNG
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/156

6. 发明专利

TWI505502B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI505502B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102129509
申请日：2013-08-16
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄒博閎 , TSOU, POHUNG , 周子弘 , CHOU, TZUHUNG
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/42

7. 发明专利

TW201530816A 發光二極體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201530816A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103390
申请日：2014-01-29
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄒博閎 , TSOU, PO HUNG
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一種發光二極體結構，包括一發光多層結構、一第一透明導電層以及一第二透明導電層。發光多層結構包括一第一導電型半導體層、一主動層及一第二導電型半導體層。主動層形成於部分第一導電型半導體層上，並且裸露部分第一導電型半導體層。第二導電型半導體層形成於主動層上。第一透明導電層設置於部分第二導電型半導體層上。第二透明導電層覆蓋第一透明導電層以及表面無第一透明導電層的第二導電型半導體層上。第一透明導電層之電阻小於第二透明導電層之電阻。
简体摘要：一种发光二极管结构，包括一发光多层结构、一第一透明导电层以及一第二透明导电层。发光多层结构包括一第一导电型半导体层、一主动层及一第二导电型半导体层。主动层形成于部分第一导电型半导体层上，并且裸露部分第一导电型半导体层。第二导电型半导体层形成于主动层上。第一透明导电层设置于部分第二导电型半导体层上。第二透明导电层覆盖第一透明导电层以及表面无第一透明导电层的第二导电型半导体层上。第一透明导电层之电阻小于第二透明导电层之电阻。

8. 发明专利

TW201519474A 發光二極體結構审中-公开
简体标题：发光二极管结构
公开(公告)号：TW201519474A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102140910
申请日：2013-11-11
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊侍蒲 , YANG, SHIHPU , 鄒博閎 , TSOU, POHUNG
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/156
摘要：一發光二極體結構包括一圖案化基板，一發光二極體晶粒，以及一第一反射鏡。發光二極體晶粒設置於圖案化基板上且發出具有波長為λ的光線。第一反射鏡，形成於發光二極體晶粒之外的圖案化基板上，以反射自發光二極體晶粒射出之光線。並可串聯複數個發光二極體晶粒以形成高壓發光二極體結構。
简体摘要：一发光二极管结构包括一图案化基板，一发光二极管晶粒，以及一第一反射镜。发光二极管晶粒设置于图案化基板上且发出具有波长为λ的光线。第一反射镜，形成于发光二极管晶粒之外的图案化基板上，以反射自发光二极管晶粒射出之光线。并可串联复数个发光二极管晶粒以形成高压发光二极管结构。

9. 发明专利

TW201508943A 發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201508943A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102129509
申请日：2013-08-16
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄒博閎 , TSOU, POHUNG , 周子弘 , CHOU, TZUHUNG
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/42
摘要：本發明提供一種發光二極體及其製造方法。上述發光二極體包含第一型半導體層、發光層、第二型半導體層、第一電流擴散層、含有複數個氮空缺的電流阻障層以及第二電流擴散層，其中第二型半導體層包含電流擴散區及電流阻障區。上述電流阻障層係利用高功率濺鍍法，在第二型半導體層的電流阻障區形成氮空缺，使得電流阻障層的電阻值增加，產生電流阻障的功效。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法。上述发光二极管包含第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电流扩散层、含有复数个氮空缺的电流阻障层以及第二电流扩散层，其中第二型半导体层包含电流扩散区及电流阻障区。上述电流阻障层系利用高功率溅镀法，在第二型半导体层的电流阻障区形成氮空缺，使得电流阻障层的电阻值增加，产生电流阻障的功效。

10. 发明专利

TWI578565B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI578565B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102133587
申请日：2013-09-17
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：鄒博閎 , TSOU, PO HUNG
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L2933/0016

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