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1. 发明专利

TWI474516B 覆晶式發光二極體結構及其製造方法有权
简体标题：覆晶式发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI474516B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101131523
申请日：2012-08-30
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 陳彥豪 , CHEN, YAN HAO
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/382 , H01L2224/16

2. 发明专利

TW201442559A 發光二極體顯示器及其製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管显示器及其制造方法
公开(公告)号：TW201442559A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102113992
申请日：2013-04-19
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 侯佳宏 , HOU, CHIA HUNG
IPC分类号： H05B33/10 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/502 , H01L21/6835 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種發光二極體顯示器的製造方法。包括提供具有一第一黏著層以及複數個固定於第一黏著層上之第一、第二及第三發光二極體晶片的一暫時基板，以及提供表面包括有複數個畫素單元的一第一透光基板，其中每一個畫素單元包括一第一子畫素、一第二子畫素及一第三子畫素，且第一、第二及第三子畫素之四周分別被一遮光結構所環繞。接著將暫時基板與第一透光基板結合，使得各個第一、第二及第三發光二極體晶片分別對應並固定於每一個第一、第二及第三子畫素內。之後移除暫時基板。本發明亦提供以此種方法製造而成的發光二極體顯示器。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管显示器的制造方法。包括提供具有一第一黏着层以及复数个固定于第一黏着层上之第一、第二及第三发光二极管芯片的一暂时基板，以及提供表面包括有复数个像素单元的一第一透光基板，其中每一个像素单元包括一第一子像素、一第二子像素及一第三子像素，且第一、第二及第三子像素之四周分别被一遮光结构所环绕。接着将暂时基板与第一透光基板结合，使得各个第一、第二及第三发光二极管芯片分别对应并固定于每一个第一、第二及第三子像素内。之后移除暂时基板。本发明亦提供以此种方法制造而成的发光二极管显示器。

3. 发明专利

TW201409754A 覆晶式發光二極體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：覆晶式发光二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201409754A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101131523
申请日：2012-08-30
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 陳彥豪 , CHEN, YAN HAO
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/382 , H01L2224/16
摘要：覆晶式發光二極體結構包括承載基板、發光晶粒結構、反射層、開口、介電層、第一接合層及第二接合層。發光晶粒結構位於承載基板上且包括第一型半導體磊晶層、第二型半導體磊晶層及發光層。發光層形成於第一型半導體磊晶層與第二型半導體磊晶層之間。反射層位在第一型半導體磊晶層上。開口貫穿發光晶粒結構。介電層覆蓋開口之內壁且延伸至部分反射層表面上。第一接合層設置在無介電層覆蓋之反射層上。第二接合層設置在部分介電層上，且溝填開口，且經由開口電性連接第二型半導體磊晶層。
简体摘要：覆晶式发光二极管结构包括承载基板、发光晶粒结构、反射层、开口、介电层、第一接合层及第二接合层。发光晶粒结构位于承载基板上且包括第一型半导体磊晶层、第二型半导体磊晶层及发光层。发光层形成于第一型半导体磊晶层与第二型半导体磊晶层之间。反射层位在第一型半导体磊晶层上。开口贯穿发光晶粒结构。介电层覆盖开口之内壁且延伸至部分反射层表面上。第一接合层设置在无介电层覆盖之反射层上。第二接合层设置在部分介电层上，且沟填开口，且经由开口电性连接第二型半导体磊晶层。

4. 发明专利

TWI594661B 發光二極體顯示器及其製造方法有权
简体标题：发光二极管显示器及其制造方法
公开(公告)号：TWI594661B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102113992
申请日：2013-04-19
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 侯佳宏 , HOU, CHIA HUNG
IPC分类号： H05B33/10 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/502 , H01L21/6835 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/504 , H01L33/56 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201434179A 發光裝置及其發光二極體的固晶方法审中-公开
简体标题：发光设备及其发光二极管的固晶方法
公开(公告)号：TW201434179A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102106708
申请日：2013-02-26
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIAEN , 郭政達 , KUO, CHENGTA , 夏德玲 , HSAI, TELING
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光二極體的固晶方法包含以下步驟。提供一具有複數個發光二極體裸晶片的共同基底，其中每一發光二極體裸晶片各具有一P型電極與一N型電極。以至少二個發光二極體裸晶片為一最小發光單位切割共同基底。將最小發光單位以覆晶方式固晶於一轉置基材的導電層上，導電層電性連接最小發光單元上之該些P型電極與該些N型電極。
简体摘要：一种发光二极管的固晶方法包含以下步骤。提供一具有复数个发光二极管裸芯片的共同基底，其中每一发光二极管裸芯片各具有一P型电极与一N型电极。以至少二个发光二极管裸芯片为一最小发光单位切割共同基底。将最小发光单位以覆晶方式固晶于一转置基材的导电层上，导电层电性连接最小发光单元上之该些P型电极与该些N型电极。

6. 发明专利

TWI523263B 發光二極體及其製造方法有权
简体标题：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI523263B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW100103999
申请日：2011-02-01
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TWI506812B 具有側邊固晶結構之發光二極體元件及具有其之固定結構有权
简体标题：具有侧边固晶结构之发光二极管组件及具有其之固定结构
公开(公告)号：TWI506812B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW102114266
申请日：2013-04-22
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 陳政宏 , CHEN, CHENG HUNG , 林莉娟 , LIN, LI CHUAN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/13 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/13027 , H01L2224/13101 , H01L2224/13339 , H01L2224/16227 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201434177A 發光二極體的轉置基材與使用該轉置基材的發光裝置製造方法审中-公开
简体标题：发光二极管的转置基材与使用该转置基材的发光设备制造方法
公开(公告)号：TW201434177A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102105551
申请日：2013-02-18
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIAEN , 郭政達 , KUO, CHENGTA , 夏德玲 , HSAI, TELING
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L2224/13 , H01L2933/0066
摘要：一種發光二極體的轉置基材包含一基材本體以及複數第一導電層。基材本體具有一第一表面。第一導電層位於基材本體的第一表面上，其中每兩相鄰第一導電層之間的第一表面均具有一填膠凹槽。
简体摘要：一种发光二极管的转置基材包含一基材本体以及复数第一导电层。基材本体具有一第一表面。第一导电层位于基材本体的第一表面上，其中每两相邻第一导电层之间的第一表面均具有一填胶凹槽。

9. 发明专利

TWI483434B 發光二極體的轉置基材與使用該轉置基材的發光裝置製造方法有权
简体标题：发光二极管的转置基材与使用该转置基材的发光设备制造方法
公开(公告)号：TWI483434B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102105551
申请日：2013-02-18
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIAEN , 郭政達 , KUO, CHENGTA , 夏德玲 , HSAI, TELING
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L2224/13 , H01L2933/0066

10. 发明专利

TW201442273A 具有側邊固晶結構之發光二極體元件及具有其之固定結構审中-公开
简体标题：具有侧边固晶结构之发光二极管组件及具有其之固定结构
公开(公告)号：TW201442273A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114266
申请日：2013-04-22
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李佳恩 , LEE, CHIA EN , 陳政宏 , CHEN, CHENG HUNG , 林莉娟 , LIN, LI CHUAN
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/13 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/13027 , H01L2224/13101 , H01L2224/13339 , H01L2224/16227 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：一種具有側邊固晶結構之發光二極體元件包括基板、磊晶結構、第一導電凸塊、第二導電凸塊、第一延伸電極及第二延伸電極。基板具有上表面、第一側表面及銜接於其中的傾斜表面。磊晶結構設置於基板之上表面，包括N型半導體層、發光層、P型半導體層、透明導電層、P型電極及N型電極。第一延伸電極與第二延伸電極分別連接P型電極與N型電極，延伸經過傾斜表面，而分別與設於第一側表面的第一導電凸塊、第二導電凸塊電性相接。一種固定結構包括此種發光二極體元件、載板及將發光二極體元件固定至載板的連接件。
简体摘要：一种具有侧边固晶结构之发光二极管组件包括基板、磊晶结构、第一导电凸块、第二导电凸块、第一延伸电极及第二延伸电极。基板具有上表面、第一侧表面及衔接于其中的倾斜表面。磊晶结构设置于基板之上表面，包括N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层、P型电极及N型电极。第一延伸电极与第二延伸电极分别连接P型电极与N型电极，延伸经过倾斜表面，而分别与设于第一侧表面的第一导电凸块、第二导电凸块电性相接。一种固定结构包括此种发光二极管组件、载板及将发光二极管组件固定至载板的连接件。

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