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2. 发明专利

TW201246613A 具靜電放電保護能力之光電半導體封裝結構 REFLEC+SUBMON 审中-公开
简体标题：具静电放电保护能力之光电半导体封装结构 REFLEC+SUBMON
公开(公告)号：TW201246613A
公开(公告)日：2012-11-16
申请号：TW100116081
申请日：2011-05-09
申请人：長庚大學
发明人：張連璧 , 顏宇鍵
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種具靜電放電保護能力之光電半導體散熱封裝結構,其封裝基底係為一半導體基板/金屬層/反射層/絕緣層/電路層結構,而部份之封裝基底結構更可在反射層與絕緣層之間增設一共晶層,其中,絕緣層是藉由半導體製程方式所製作,具有薄且平坦的特性,因此,可以提高光電半導體元件封裝製程中之良率,再者,絕緣層的厚度可以有效地予以控制,可提昇封裝基底之電容特性,使抗靜電的能力大幅改善,另外,利用低熔點合金作為共晶層與半導體基板蝕刻,來達到發光二極體散熱目的,由於封裝基底的絕緣層與電路層之間設有反射層,將有助於光電半導體元件之出光效率之提昇。
简体摘要：本发明揭露一种具静电放电保护能力之光电半导体散热封装结构,其封装基底系为一半导体基板/金属层/反射层/绝缘层/电路层结构,而部份之封装基底结构更可在反射层与绝缘层之间增设一共晶层,其中,绝缘层是借由半导体制程方式所制作,具有薄且平坦的特性,因此,可以提高光电半导体组件封装制程中之良率,再者,绝缘层的厚度可以有效地予以控制,可提升封装基底之电容特性,使抗静电的能力大幅改善,另外,利用低熔点合金作为共晶层与半导体基板蚀刻,来达到发光二极管散热目的,由于封装基底的绝缘层与电路层之间设有反射层,将有助于光电半导体组件之出光效率之提升。

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