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1. 发明专利

TW201311556A 碳質薄膜之製造方法、及石墨薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：碳质薄膜之制造方法、及石墨薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201311556A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101129782
申请日：2012-08-16
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B31/04 , C01B32/20
摘要：本發明之課題在於，於利用高分子熱分解法之輥狀之碳質薄膜之製造中，抑制碳質薄膜之融著。於經由將高分子薄膜捲繞成輥狀之狀態進行熱處理之步驟而製造碳質薄膜之方法中，製成如下之輥狀高分子薄膜：於該高分子薄膜之熱分解開始溫度以上且相對於熱處理前之高分子薄膜之重量的重量減少率成為40%之溫度以下之溫度下，(2-1)具有針對輥狀高分子薄膜整體算出之由鄰接之該高分子薄膜間之間隙之厚度(Ts)除以該高分子薄膜之厚度(Tf)所得之值(Ts/Tf)滿足0.33以上1.50以下之關係的高分子薄膜間之間隙；及/或(2-2)於輥狀高分子薄膜之50%剖面圓內具有空間，且50%剖面圓內之空間佔據之面積相對於50%剖面圓之截面積為25%以上。
简体摘要：本发明之课题在于，于利用高分子热分解法之辊状之碳质薄膜之制造中，抑制碳质薄膜之融着。于经由将高分子薄膜卷绕成辊状之状态进行热处理之步骤而制造碳质薄膜之方法中，制成如下之辊状高分子薄膜：于该高分子薄膜之热分解开始温度以上且相对于热处理前之高分子薄膜之重量的重量减少率成为40%之温度以下之温度下，(2-1)具有针对辊状高分子薄膜整体算出之由邻接之该高分子薄膜间之间隙之厚度(Ts)除以该高分子薄膜之厚度(Tf)所得之值(Ts/Tf)满足0.33以上1.50以下之关系的高分子薄膜间之间隙；及/或(2-2)于辊状高分子薄膜之50%剖面圆内具有空间，且50%剖面圆内之空间占据之面积相对于50%剖面圆之截面积为25%以上。

2. 发明专利

TWI522315B 碳質薄膜之製造方法、及石墨薄膜之製造方法有权
简体标题：碳质薄膜之制造方法、及石墨薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI522315B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101129782
申请日：2012-08-16
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B31/04 , C01B32/20

3. 发明专利

TWI433813B 石墨膜及石墨膜之製造方法有权
简体标题：石墨膜及石墨膜之制造方法
公开(公告)号：TWI433813B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW100130359
申请日：2011-08-24
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04 , C08G73/10
CPC分类号： C01B31/04 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B35/62218 , C04B35/63444 , C08G69/26 , C08G69/28 , C08L77/06

4. 发明专利

TWI417239B 碳化膜之製造方法及石墨膜之製造方法有权
简体标题：碳化膜之制造方法及石墨膜之制造方法
公开(公告)号：TWI417239B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW100108154
申请日：2011-03-10
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI , 太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田卓 , INADA, TAKASHI
IPC分类号： C01B31/02 , C01B31/04
CPC分类号： B32B38/0036 , C01B32/20

5. 发明专利

TWI458679B 碳質膜之製造方法及石墨膜之製造方法、與捲筒狀高分子膜及捲筒狀碳質膜有权
简体标题：碳质膜之制造方法及石墨膜之制造方法、与卷筒状高分子膜及卷筒状碳质膜
公开(公告)号：TWI458679B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW101110915
申请日：2012-03-28
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04 , C08G73/10
CPC分类号： C01B31/02 , B32B18/00 , C01B32/05 , C01B32/20 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B2237/363 , C04B2237/704 , C04B2237/84 , C08G73/10

6. 发明专利

TWI430944B 改善石墨膜之平坦性之方法、以及石墨膜及其製造方法有权
简体标题：改善石墨膜之平坦性之方法、以及石墨膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI430944B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW100118372
申请日：2011-05-25
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 稻田卓 , INADA, TAKASHI , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B31/04 , C01B32/20

7. 发明专利

TWI529127B 石墨膜之製造方法及碳化膜之製造方法有权
简体标题：石墨膜之制造方法及碳化膜之制造方法
公开(公告)号：TWI529127B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101109197
申请日：2012-03-16
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04 , C01B31/02
CPC分类号： C01B31/04 , C04B35/522 , C04B35/524 , C04B35/62218 , H01L23/373 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI468342B 石墨膜之製造方法有权
简体标题：石墨膜之制造方法
公开(公告)号：TWI468342B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101110433
申请日：2012-03-26
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04 , C08J5/18
CPC分类号： B01J6/008 , C01B32/20 , C01P2006/60

9. 发明专利

TWI441777B 碳質膜之製造方法及石墨膜之製造方法、與捲筒狀高分子膜及捲筒狀碳質膜有权
简体标题：碳质膜之制造方法及石墨膜之制造方法、与卷筒状高分子膜及卷筒状碳质膜
公开(公告)号：TWI441777B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW101110914
申请日：2012-03-28
申请人：鐘化股份有限公司 , KANEKA CORPORATION
发明人：三代真琴 , MISHIRO, MAKOTO , 太田雄介 , OHTA, YUSUKE , 稻田敬 , INADA, TAKASHI , 西川泰司 , NISHIKAWA, YASUSHI
IPC分类号： C01B31/04 , C08G73/10
CPC分类号： B65D85/671 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/20 , C08G73/10 , Y10T428/24744

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