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1. 发明专利

TW201106425A 透明導電奈米線及其陣列之製造方法审中-公开
简体标题：透明导电奈米线及其数组之制造方法
公开(公告)号：TW201106425A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：TW098127178
申请日：2009-08-12
申请人：逢甲大學
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： H01L
摘要：一種透明導電奈米線及其陣列之製造方法,係可利用電化學沉積(Electrodeposition)、化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD)、物理氣相沉積(Physical vapor deposition,PVD)等方法沉積多數個金屬元素結合氧氣以形成一透明導電奈米線及其陣列,藉此,因上述之製造方法較為簡易且其成本低,故應用於場發射顯示器、太陽能電池及氣體感測器時可減低所需之成本及簡化製程,同時,應用於太陽能電池之電極時,其具有較快速的電子移動率與直接的電子傳輸路徑,故可得到更佳的轉換效率,而應用於氣體感測器時,不僅可增加對氣體感測的反應表面積,更可提高氣體感測器對氣體之敏感度及反應時間。
简体摘要：一种透明导电奈米线及其数组之制造方法,系可利用电化学沉积(Electrodeposition)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)、物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD)等方法沉积多数个金属元素结合氧气以形成一透明导电奈米线及其数组,借此,因上述之制造方法较为简易且其成本低,故应用于场发射显示器、太阳能电池及气体传感器时可减低所需之成本及简化制程,同时,应用于太阳能电池之电极时,其具有较快速的电子移动率与直接的电子传输路径,故可得到更佳的转换效率,而应用于气体传感器时,不仅可增加对气体传感的反应表面积,更可提高气体传感器对气体之敏感度及反应时间。

2. 发明专利

TWI447810B 透明導電奈米線及其陣列之製造方法有权
简体标题：透明导电奈米线及其数组之制造方法
公开(公告)号：TWI447810B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW098127178
申请日：2009-08-12
申请人：逢甲大學 , FENG CHIA UNIVERSITY
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/4763 , H01L31/0224

3. 发明专利

TW201133713A 氣體感測器之製造方法與其結構（一）审中-公开
简体标题：气体传感器之制造方法与其结构（一）
公开(公告)号：TW201133713A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099108733
申请日：2010-03-24
申请人：逢甲大學
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： H01L , B82B , G01N
摘要：一種氣體感測器之製造方法與其結構(一),其主要係於一基板上成長一氣體感測單元,且該氣體感測單元係包含有多數個氧化或硫化物奈米線、一正導電電極及一負導電電極,而該正、負導電電極係成長於該等氧化或硫化物奈米線之上方或下方,同時,更可藉由該等氧化或硫化物奈米線結合奈米粒子,以有效提高氣體反應表面積及氣體吸附能力,且使其具有提高氣體感測之敏感度及減少反應時間之優點。
简体摘要：一种气体传感器之制造方法与其结构(一),其主要系于一基板上成长一气体传感单元,且该气体传感单元系包含有多数个氧化或硫化物奈米线、一正导电电极及一负导电电极,而该正、负导电电极系成长于该等氧化或硫化物奈米线之上方或下方,同时,更可借由该等氧化或硫化物奈米线结合奈米粒子,以有效提高气体反应表面积及气体吸附能力,且使其具有提高气体传感之敏感度及减少反应时间之优点。

4. 发明专利

TW201132973A 氣體感測器之製造方法與其結構（二）审中-公开
简体标题：气体传感器之制造方法与其结构（二）
公开(公告)号：TW201132973A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099108738
申请日：2010-03-24
申请人：逢甲大學
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： G01N
摘要：一種氣體感測器之製造方法與其結構(二)，其主要係於一基板上先長成一下導電電極，並於該下導電電極上成長氧化鋁模板(Anodic Aluminum Oxide Template; AAO Template)再以電化學沉積(Electrodeposition)方式沉積至少一金屬元素並形成奈米線，而多數個奈米線更構成一奈米線陣列，而該奈米線陣列上係再成長一上導電電極，藉此，以整體形成該氣體感測器，且該氣體感測器可藉由奈米線陣列結合奈米粒子，以有效提高氣體反應表面積及氣體吸附能力，且使其具有提高氣體感測之敏感度及減少反應時間之優點。
简体摘要：一种气体传感器之制造方法与其结构(二)，其主要系于一基板上先长成一下导电电极，并于该下导电电极上成长氧化铝模板(Anodic Aluminum Oxide Template; AAO Template)再以电化学沉积(Electrodeposition)方式沉积至少一金属元素并形成奈米线，而多数个奈米线更构成一奈米线数组，而该奈米线数组上系再成长一上导电电极，借此，以整体形成该气体传感器，且该气体传感器可借由奈米线数组结合奈米粒子，以有效提高气体反应表面积及气体吸附能力，且使其具有提高气体传感之敏感度及减少反应时间之优点。

5. 发明专利

TW201107518A 硫化金屬奈米線及其陣列之製造方法审中-公开
简体标题：硫化金属奈米线及其数组之制造方法
公开(公告)号：TW201107518A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW098128428
申请日：2009-08-24
申请人：逢甲大學
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： C23C
摘要：一種硫化金屬奈米線及其陣列之製造方法，係可利用電化學沉積(Electrodeposition)、化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，CVD)、物理氣相沉積(Physical vapor deposition，PVD)等方法沉積一金屬結合硫元素以形成一硫化金屬奈米線陣列，藉此，使可利用該硫化金屬奈米線陣列以製備成感測器，並因該硫化金屬奈米線陣列易與待測物質產生連結，故可使其作為通道，且亦因該硫化金屬奈米線陣列其線徑極為細微，對氣體感測具有極大的反應表面積，而可有效提高對待測物質及氣體感測之靈敏度及反應時間，另，因其製造簡單且成本低廉，故可大幅降低製造所需之成本及工時。
简体摘要：一种硫化金属奈米线及其数组之制造方法，系可利用电化学沉积(Electrodeposition)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD)、物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD)等方法沉积一金属结合硫元素以形成一硫化金属奈米线数组，借此，使可利用该硫化金属奈米线数组以制备成传感器，并因该硫化金属奈米线数组易与待测物质产生链接，故可使其作为信道，且亦因该硫化金属奈米线数组其线径极为细微，对气体传感具有极大的反应表面积，而可有效提高对待测物质及气体传感之灵敏度及反应时间，另，因其制造简单且成本低廉，故可大幅降低制造所需之成本及工时。

6. 发明专利

TWI433270B 氣體感測器之製造方法與其結構（一）有权
简体标题：气体传感器之制造方法与其结构（一）
公开(公告)号：TWI433270B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099108733
申请日：2010-03-24
申请人：逢甲大學 , FENG CHIA UNIVERSITY
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： H01L21/77 , B82B3/00 , G01N27/04

7. 发明专利

TWI399452B 硫化金屬奈米線及其陣列之製造方法有权
简体标题：硫化金属奈米线及其数组之制造方法
公开(公告)号：TWI399452B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW098128428
申请日：2009-08-24
申请人：逢甲大學 , FENG CHIA UNIVERSITY
发明人：施仁斌 , 林雅婷
IPC分类号： C23C16/26 , C23C14/00

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