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1. 发明专利

TW414784B 利用原位產生之氰化物使基質去污染的方法失效
简体标题：利用原位产生之氰化物使基质去污染的方法
公开(公告)号：TW414784B
公开(公告)日：2000-12-11
申请号：TW086109583
申请日：1997-07-08
申请人：資深科學實驗室股份有限公司
发明人：羅伯特W.茅克 , 愛倫F.海達克 , 亞伯特E.艾貝爾
IPC分类号： C02F , G21F
CPC分类号： C22B60/0247 , B09C1/02 , C22B7/008 , C22B17/04 , G21F9/30 , Y02P10/122 , Y02P10/234
摘要：含有放射性金屬或危險性非放射性金屬的固體及液體基質，例如土壤及溶劑，借助於原位產生的氰化物離子脫去污染，而與非期望的金屬污染物形成配位化合物。氰化物係經由將冷凍劑化合物，例如氫氯氟化碳引進污染土壤或其它固體或液體基質的含氨液漿液內而產生氰化銨，氰化銨又與危險性金屬污染物形成錯合物而與氨液分離。該方法也利用溶劑合電子而至少部份脫去全鹵化冷凍劑例如二氯二氟甲烷(R-12)之鹵化。該方法經由原位生成而避免暴露於可能有害的氰化物，同時摧毀非期望的冷凍劑其可能對大氣臭氧層有害。
简体摘要：含有放射性金属或危险性非放射性金属的固体及液体基质，例如土壤及溶剂，借助于原位产生的氰化物离子脱去污染，而与非期望的金属污染物形成配位化合物。氰化物系经由将冷冻剂化合物，例如氢氯氟化碳引进污染土壤或其它固体或液体基质的含氨液浆液内而产生氰化铵，氰化铵又与危险性金属污染物形成错合物而与氨液分离。该方法也利用溶剂合电子而至少部份脱去全卤化冷冻剂例如二氯二氟甲烷(R-12)之卤化。该方法经由原位生成而避免暴露于可能有害的氰化物，同时摧毁非期望的冷冻剂其可能对大气臭氧层有害。

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