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1. 发明专利

TWI376036B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI376036B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW096144380
申请日：2007-11-23
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心
发明人：連培榮 , 鄧育庭 , 林堅楊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種太陽能電池及其製造方法。該製造方法包括以下步驟：(a)形成一鋁金屬層於一金屬基材上；(b)進行陽極氧化處理，使該鋁金屬層形成一陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板，該陽極氧化鋁模板具有複數個孔洞；(c)進行超臨界電鑄製程，以將一導電金屬填滿該等孔洞而形成複數個柱體；(d)依序移除該金屬基材及該陽極氧化鋁模板；(e)依序形成一p－Si層、一n－Si層及一電極層。藉此，可於該陽極氧化鋁模板上有效製造高深寬比達100以上的奈米孔洞，以製造出高深寬比奈米柱體。
简体摘要：本发明系关于一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：(a)形成一铝金属层于一金属基材上；(b)进行阳极氧化处理，使该铝金属层形成一阳极氧化铝(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板，该阳极氧化铝模板具有复数个孔洞；(c)进行超临界电铸制程，以将一导电金属填满该等孔洞而形成复数个柱体；(d)依序移除该金属基材及该阳极氧化铝模板；(e)依序形成一p－Si层、一n－Si层及一电极层。借此，可于该阳极氧化铝模板上有效制造高深宽比达100以上的奈米孔洞，以制造出高深宽比奈米柱体。

2. 发明专利

TW201119692A 鈦人工植體之表面處理方法 SURFACE TREATING METHOD FOR TITANIUM ARTIFICIAL IMPLANT 审中-公开
简体标题：钛人工植体之表面处理方法 SURFACE TREATING METHOD FOR TITANIUM ARTIFICIAL IMPLANT
公开(公告)号：TW201119692A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141006
申请日：2009-12-01
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心
发明人：連培榮 , 楊勝仲 , 鄧育庭 , 林堅楊 , 高崑維 , 陳廷嘉
IPC分类号： A61L , C25D , B08B
摘要：一種鈦人工植體之表面處理方法,係包含:以清潔溶劑清潔該鈦人工植體之表面;將該鈦人工植體及一陰極電極置入一陽極氧化反應電解液中,該鈦人工植體與一陽極電極相連接;將電荷導入該陰極電極及陽極電極,使該鈦人工植體之表面進行陽極氧化反應,進而形成二氧化鈦氧化層;以及用清洗溶劑清洗該反應後之鈦人工植體。
简体摘要：一种钛人工植体之表面处理方法,系包含:以清洁溶剂清洁该钛人工植体之表面;将该钛人工植体及一阴极电极置入一阳极氧化反应电解液中,该钛人工植体与一阳极电极相连接;将电荷导入该阴极电极及阳极电极,使该钛人工植体之表面进行阳极氧化反应,进而形成二氧化钛氧化层;以及用清洗溶剂清洗该反应后之钛人工植体。

3. 发明专利

TW201025694A 染料敏化太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：染料敏化太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201025694A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：TW097149161
申请日：2008-12-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心
发明人：連培榮 , 鄧育庭 , 林堅楊
IPC分类号： H01L , H01M
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種染料敏化太陽能電池及其製造方法,該染料敏化太陽能電池包括一基材、複數個半導體顆粒、一染料、一電解液及一導電層。該基材具有一底層及複數個金屬柱體,該等金屬柱體係排列於該底層上。該等半導體顆粒係位於該等金屬柱體之外圍表面上。該染料係充滿於該等金屬柱體之間。該電解液係充滿於該等金屬柱體之間。該導電層係位於該基材上。藉此,電流可以經由該等金屬柱體傳遞,因此,本發明之太陽能電池中之電流傳輸速率可大大提高,同時該太陽能電池的光電轉換效率因而得以增加。
简体摘要：本发明系关于一种染料敏化太阳能电池及其制造方法,该染料敏化太阳能电池包括一基材、复数个半导体颗粒、一染料、一电解液及一导电层。该基材具有一底层及复数个金属柱体,该等金属柱体系排列于该底层上。该等半导体颗粒系位于该等金属柱体之外围表面上。该染料系充满于该等金属柱体之间。该电解液系充满于该等金属柱体之间。该导电层系位于该基材上。借此,电流可以经由该等金属柱体传递,因此,本发明之太阳能电池中之电流传输速率可大大提高,同时该太阳能电池的光电转换效率因而得以增加。

4. 发明专利

TWI385004B 鈦人工植體之表面處理方法有权
简体标题：钛人工植体之表面处理方法
公开(公告)号：TWI385004B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098141006
申请日：2009-12-01
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTER
发明人：連培榮 , LIEN, PEI JUNG , 楊勝仲 , YANG, SHENG CHUNG , 鄧育庭 , DENG, YU TING , 林堅楊 , LIN, JIAN YANG , 高崑維 , KAO, KUN WEI , 陳廷嘉 , CHEN, TING JIA
IPC分类号： A61L27/06 , C25D11/26 , B08B3/12

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