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    • 3. 发明专利
    • 影像感測器及其製造方法
    • 影像传感器及其制造方法
    • TW201735332A
    • 2017-10-01
    • TW105137886
    • 2016-11-18
    • 財團法人工業技術研究院INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
    • 嚴沛文YEN, PEI WEN林雁容LIN, YAN RUNG莊凱評CHUANG, KAI PING游勝閔YU, SHENG MIN
    • H01L27/146
    • 本揭露內容係提供一種影像感測器及其製造方法。影像感測器包括一畫素感測電路、一畫素電極以及一光電轉換層。畫素感測電路對應至少相鄰的一第一畫素區和一第二畫素區。畫素電極設置於畫素感測電路上,畫素電極對應第一畫素區和第二畫素區,畫素電極包括一第一電極和一第二電極且電性連接至畫素感測電路,其中第一電極與第二電極係為共平面,第一電極與第二電極具有不同極性,且位於第一畫素區中的第一電極或第二電極相鄰於位於第二畫素區中具有相同極性的第一電極或第二電極。光電轉換層設置於畫素感測電路及畫素電極上,其中光電轉換層包括一感光層及一載子傳輸層,感光層位於載子傳輸層上,載子傳輸層位於畫素電極及感光層之間。
    • 本揭露内容系提供一种影像传感器及其制造方法。影像传感器包括一像素传感电路、一像素电极以及一光电转换层。像素传感电路对应至少相邻的一第一像素区和一第二像素区。像素电极设置于像素传感电路上,像素电极对应第一像素区和第二像素区,像素电极包括一第一电极和一第二电极且电性连接至像素传感电路,其中第一电极与第二电极系为共平面,第一电极与第二电极具有不同极性,且位于第一像素区中的第一电极或第二电极相邻于位于第二像素区中具有相同极性的第一电极或第二电极。光电转换层设置于像素传感电路及像素电极上,其中光电转换层包括一感光层及一载子传输层,感光层位于载子传输层上,载子传输层位于像素电极及感光层之间。